基片固定盘及利用该基片固定盘的基片校正系统及其方法

    公开(公告)号:CN1800443B9

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200510117051.3

    申请日:2005-10-31

    Abstract: 本发明提供一种基片固定盘,为了在真空工程用垂直基片固定盘的平板面上固定和支持所述基片,包含至少一部分以上基片固定单元,并且,通过固定和支持垂直布置的基片,可以进行高精度的校正和更加稳定的蒸镀工艺。基片固定盘(60)及利用该基片固定盘(60)的基片校正系统及其方法,包含被蒸镀蒸镀物的基片(10)、用于容纳所述基片(10)的框架(70)、用于容纳所述框架(70)而构成的盘(60)、用于在所述框架(70)上固定和支持所述基片(10)而构成的至少一个以上基片固定单元(110)。

    蒸镀装置及蒸镀方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101476116B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200910002040.9

    申请日:2006-01-20

    Abstract: 本发明公开了蒸镀装置和蒸镀方法。该蒸镀装置中,分解所需要的能量相对较高的气体利用等离子体分解方式和加热体方式进行分解,分解所需要的能量相对较低的气体利用加热体方式进行分解,由此在基板上形成蒸镀物。在利用现有的ICP-CVD装置或PECVD等的等离子体装置形成绝缘膜时,存在源气体难以完全分解而使蒸镀物的特性变差,源气体的使用效率差的缺陷,本发明为了克服该缺陷而涉及等离子体或/及加热体方式的蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法。

    蒸镀装置及蒸镀方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101476116A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910002040.9

    申请日:2006-01-20

    Abstract: 本发明公开了蒸镀装置和蒸镀方法。该蒸镀装置中,分解所需要的能量相对较高的气体利用等离子体分解方式和加热体方式进行分解,分解所需要的能量相对较低的气体利用加热体方式进行分解,由此在基板上形成蒸镀物。在利用现有的ICP-CVD装置或PECVD等的等离子体装置形成绝缘膜时,存在源气体难以完全分解而使蒸镀物的特性变差,源气体的使用效率差的缺陷,本发明为了克服该缺陷而涉及等离子体或/及加热体方式的蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法。

    蒸发源和具备蒸发源的蒸镀装置

    公开(公告)号:CN101445909A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810185280.2

    申请日:2005-11-28

    Abstract: 本发明提供一种蒸发源和具备该蒸发源的蒸镀装置,其能通过使用反射板来有效提高喷嘴的热量,从而防止蒸镀物质在喷嘴处凝缩。本发明的蒸发源包括:蒸镀物质贮藏部,其放置有蒸镀物质并且局部开口;喷嘴部,其具有连结在所述蒸镀物质贮藏部的开口的部分上并用于喷射所述蒸镀物质的开口部;反射板,其把所述喷嘴部的至少一部分的角部包围;壳体,其包围所述蒸镀物质贮藏部包围;加热部,其位于所述壳体与所述蒸镀物质贮藏部之间。本发明的蒸镀装置具备所述蒸发源。另外,本发明的有机物蒸发源由于改善所述有机物贮藏部和喷嘴部的材质并在它们的表面上附有防止有机物泄漏部件,所以,提高了喷嘴部和有机物贮藏部的导热性,并防止了有机物的泄漏。

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