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公开(公告)号：CN1306669C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310119695.7
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底1的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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公开(公告)号：CN1848567A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610077820.6
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－AlxGa1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－AlxGa1－xAs－ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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公开(公告)号：CN1543026A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1499684A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310119695.7
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－AlxGa1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－AlxGa1－xAs－ESL5的折时率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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