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公开(公告)号：CN1244973C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN03120052.4
申请日：2003-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02461 , H01S5/162 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2227 , H01S2301/18
Abstract: 半导体激光器件，具有：第一电极；设置在所述第一电极上的第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一包覆层；位于所述第一包覆层上的有源层；位于所述有源层上的与第一导电类型不同的第二导电类型的第二包覆层；绝缘体层；部分设置于所述绝缘体层上的与所述第二包覆层的第一部分电气连接的第二电极，其特征在于，第一和第二包覆层由AlGaInP制成，其中绝缘体层覆盖第二包覆层的第二部分但不覆盖第二包覆层的第一部分，第二包覆层的第一部分比第二部分厚，且位于两个所述第二包覆层的第二部分之间，所述绝缘体层具有导热率和厚度，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。
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公开(公告)号：CN1207828C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN01125554.4
申请日：2001-08-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/162 , H01S2302/00
Abstract: 本发明的课题是，提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中，将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16，形成无序化区域，并以此作为窗口层20，以激发光照射该窗口层20，测量窗口层20的光致发光波长λdpl(nm)，将以激发光照射有源层16时所产生的光致发光的波长λapl(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光致发光的波长λdpl(nm)之差定义为蓝移量λbl(nm)，借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。
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公开(公告)号：CN1819378A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1359179A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01125554.4
申请日：2001-08-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/162 , H01S2302/00
Abstract: 本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光荧光波长λdp1(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光荧光的波长λap1(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光荧光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。
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公开(公告)号：CN100411262C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1392641A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02119180.8
申请日：2002-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101515703A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910118503.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 八木哲哉
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0202 , H01S5/0282
Abstract: 本发明涉及通过简易的方法来降低半导体激光器(谐振器)与镀膜之间的界面的界面能级的半导体激光器件及其制造方法，其目的在于提供可抑制起因于半导体激光器的光输出功率的瞬时光学损伤(COD)的半导体激光器件及其制造方法。其特征在于，在半导体激光器的切开面上形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜，并在该悬空键终结膜上形成镀膜。
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公开(公告)号：CN100426608C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610077820.6
申请日：2003-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n-GaAs衬底(1)的上边，顺序地将n-AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p-AlxGa1-xAs-ESL5、具备条状凸部(6)的p-AlGaInP第2上包层(7)、以及p-GaAs接触层(8)层叠起来。除p-AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P-AlxGa1-xAs-ESL5的折射率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。
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公开(公告)号：CN1303732C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1463059A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03120052.4
申请日：2003-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02461 , H01S5/162 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2227 , H01S2301/18
Abstract: 提供一种半导体激光器件，即使在光输出变化时远视场图像FFPx的光强度半值宽度之差ΔFFPx也无大变化。半导体激光器件10具有：第一电极6a、在所述第一电极上顺序层叠的第一导电类型的衬底1、第一导电类型的第一包覆层2、有源层3、具有多段层厚的第二导电类型的第二包覆层4、覆盖所述第二包覆层的层厚相对较厚的段部分以外部分的绝缘体层5，与所述第二包覆层的所述层厚相对较厚的段部分电气连接的第二电极6b，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。
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