公开(公告)号：CN100479179C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610008807.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长山显祐 ,  石贺展昭 ,  井上和式 ,  竹口彻 ,  渕上宏幸

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。

公开(公告)号：CN101110434A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710137041.5

申请日：2007-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长山显祐 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供一种显示质量优良、生产率较高的显示装置。本发明的TFT阵列衬底在衬底(110)上具有栅电极(1)、栅极绝缘膜(3)、半导体层(23)和由透明导电膜(11)构成的源电极(11b)和漏电极(11c)、从漏电极(11c)延伸设置的像素电极(11a)。并且，在透明导电膜(11)上，形成具有到达源电极(11b)的源电极接触孔(27)的层间绝缘膜(8)和源极布线(22)。还具有通过源电极接触孔(27)与源电极(11b)连接的源极布线(22)。

公开(公告)号：CN101079431A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710106375.6

申请日：2007-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  河濑和雅

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol％的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。