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公开(公告)号：CN100573885C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710106375.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol%的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。
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公开(公告)号：CN101388371A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810173789.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: H01L21/2855 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101388371B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810173789.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: H01L21/2855 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。
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公开(公告)号：CN101097948A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710127331.1
申请日：2007-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/43 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L23/532 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01B1/00 , H01B1/08
CPC classification number: H01J29/28 , G02F1/13439 , G02F1/13458 , H01L27/3244 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种能够使由Al或者Al合金膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触、且可靠性、生产率优越的半导体器件。本发明的透明导电膜是实质上由In2O3、SnO2以及ZnO构成的透明导电膜，摩尔比In/(In+Sn+Zn)为0.65～0.8，且摩尔比Sn/Zn为1以下。该透明导电膜具有与由Al或者Al合金膜形成的电极或布线良好的接触特性。另外，具有该透明导电膜和由Al或者Al合金膜形成的电极或布线的半导体器件可靠性、生产率优越。
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公开(公告)号：CN114729739A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980102214.0
申请日：2019-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F21V5/00
Abstract: 提供对光扩散体的出射面的亮度或色调进行了控制的光扩散体、照明器具以及那样的光扩散体的制造方法。光扩散体(100)具有：入射面(121)，其供第1光(Li)入射；光散射部(110)，其包含存在于介质(111)中的光散射粒子(112)，通过对所入射的第1光进行导光并利用光散射粒子使其散射而生成散射光；以及出射面(122)，其使散射光射出，光散射部中的光散射粒子的浓度分布成与在光散射部内的第1光的导光方向上距入射端的距离对应地、以非线性的方式连续或不连续地变高。
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公开(公告)号：CN114729739B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980102214.0
申请日：2019-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F21V5/00
Abstract: 提供对光扩散体的出射面的亮度或色调进行了控制的光扩散体、照明器具以及那样的光扩散体的制造方法。光扩散体(100)具有：入射面(121)，其供第1光(Li)入射；光散射部(110)，其包含存在于介质(111)中的光散射粒子(112)，通过对所入射的第1光进行导光并利用光散射粒子使其散射而生成散射光；以及出射面(122)，其使散射光射出，光散射部中的光散射粒子的浓度分布成与在光散射部内的第1光的导光方向上距入射端的距离对应地、以非线性的方式连续或不连续地变高。
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公开(公告)号：CN101079431A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710106375.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol％的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。
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