公开(公告)号：CN101207139A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710305133.X

申请日：2007-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  本并薰

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F2001/136254 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及一种显示装置，包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管使用通过激光使非晶硅膜结晶化的多晶硅膜，其中在显示品质这点上，就必须减少基板面内的多晶硅膜粒径的偏差。但是，在光学方式管理多晶硅膜的表面的凹凸的方法中，仅能够把握极微小级别的偏差。根据本发明的评价装置，由于在绝缘性基板(1)上包括多个评价单元(101)、对评价单元(101)施加电压的信号布线(105)、以及用于通过信号取出布线(106)测量来自评价单元(101)的输出的信号取出布线用输出端子焊盘(104)，因此就能容易地测量电气特性的面内分布。此外，通过评价与多晶硅膜的结晶粒径相关联的电气特性，就能够管理多晶硅膜的结晶粒径的面内偏差。

公开(公告)号：CN101196668B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710198911.X

申请日：2007-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  今村卓司 ,  山吉一司 ,  入住智之 ,  西浦笃德 ,  本并薰

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。在使用了多晶半导体膜的薄膜晶体管中，在形成保持电容的情况下，多是将多晶半导体膜也用于电容的一个电极。在具备了具有这样的多晶半导体膜的保持电容和薄膜晶体管的显示装置中，由于保持电容表现出起因于半导体膜的电压依赖性，故引起了显示不良。在本发明的显示装置中，在由用作保持电容(130)的下部电极的多晶半导体膜构成的半导体层(4d)的上层层叠了金属性导电膜(5)。

公开(公告)号：CN1825622A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008807.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长山显祐 ,  石贺展昭 ,  井上和式 ,  竹口彻 ,  渕上宏幸

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。

公开(公告)号：CN101236993A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810009260.X

申请日：2008-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 在具有使用半导体膜的薄膜晶体管的显示装置中，得到初始故障较少并且能够进行薄膜晶体管的小型化引起的高精细的显示的显示装置。在多晶半导体膜(4)的上层隔着栅极绝缘膜(5)形成栅电极(6)的薄膜晶体管中，多晶半导体膜(4)和栅电极(6)交叉的区域的多晶半导体膜(4)的图形端部剖面的锥角θ2形成得比其以外的区域的锥角度θ1低。

公开(公告)号：CN101136429A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148148.X

申请日：2007-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  由良信介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/064 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/083 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外，本发明的半导体薄膜中，晶粒(6)排列成格子状。另外，晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。

公开(公告)号：CN101097948A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710127331.1

申请日：2007-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  竹口彻 ,  河濑和雅

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B1/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01J29/28 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种能够使由Al或者Al合金膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触、且可靠性、生产率优越的半导体器件。本发明的透明导电膜是实质上由In2O3、SnO2以及ZnO构成的透明导电膜，摩尔比In/(In+Sn+Zn)为0.65～0.8，且摩尔比Sn/Zn为1以下。该透明导电膜具有与由Al或者Al合金膜形成的电极或布线良好的接触特性。另外，具有该透明导电膜和由Al或者Al合金膜形成的电极或布线的半导体器件可靠性、生产率优越。

公开(公告)号：CN101060140A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710101286.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  本并薰

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法和有源矩阵型显示装置及其制造方法。本发明的一种实施方式的TFT20包括：设置在TFT阵列基板(10)上的绝缘性的基底膜(21)；以及包含设置在基底膜(21)上的沟道区(222)的半导体膜(22)，沟道区(222)内的半导体膜(22)中的杂质浓度在半导体膜(22)的膜厚方向上大致恒定，在沟道区(222)内的半导体膜(22)与基底膜(21)的界面处，杂质浓度是不连续的，基底膜(21)中的杂质浓度比半导体膜(22)中的杂质浓度低，而且朝向TFT阵列基板(10)一侧单调地减少。

公开(公告)号：CN101136429B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200710148148.X

申请日：2007-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻 ,  由良信介

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/064 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/083 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外，本发明的半导体薄膜中，晶粒(6)排列成格子状。另外，晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。

公开(公告)号：CN101236993B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810009260.X

申请日：2008-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹口彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 在具有使用半导体膜的薄膜晶体管的显示装置中，得到初始故障较少并且能够进行薄膜晶体管的小型化引起的高精细的显示的显示装置。在多晶半导体膜(4)的上层隔着栅极绝缘膜(5)形成栅电极(6)的薄膜晶体管中，多晶半导体膜(4)和栅电极(6)交叉的区域的多晶半导体膜(4)的图形端部剖面的锥角θ2形成得比其以外的区域的锥角度θ1低。

公开(公告)号：CN101118913B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710141925.8

申请日：2007-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永田一志 ,  竹口彻

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 以简易的结构提供抑制了以晶体硅层作为沟道活性层的薄膜晶体管的特性偏差的显示装置。本发明一实施例的显示装置设有：形成在绝缘基板(1)上的多晶硅层(2)；在绝缘基板(1)上的多晶硅层(2)的源区(2a)及漏区(2c)上形成的包含源线的布线层(3)；在多晶硅层(2)及布线层(3)上形成的栅绝缘层(4)；包含栅线、对应于多晶硅层(2)的沟道区(2b)形成的栅电极(5)及对应于布线层(3)的一部分形成的电容器电极(6)的在栅绝缘层(4)上形成的栅电极层(11)；在栅电极层(11)上形成的层间绝缘层(7)；在层间绝缘层(7)上形成的、通过设在栅绝缘层(4)及层间绝缘层(7)的接触孔(9)连接至漏区(2c)的包含像素电极的像素电极层(8)。