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公开(公告)号：CN111771012A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201980015051.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种Cu‑Ga合金溅射靶，其由Cu、Ga及不可避免的杂质组成，该Cu‑Ga合金溅射靶的特征在于，设为由γ1相、γ2相、γ3相中的任一个组成的单相组织，理论密度比设为96％以上，并且靶溅射面的Ga浓度的偏差设在2.0％以内。
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公开(公告)号：CN108603283B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201780009799.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，具有如下组成：作为金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的碱金属，并且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，溅射面侧的表面的碱金属浓度小于靶内部的碱金属浓度的80％。
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公开(公告)号：CN106170581B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201580018738.3
申请日：2015-07-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶是具有如下成分组成的Cu‑Ga合金溅射靶，即含有Ga：0.1～40.0原子％且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，空孔率为3.0％以下，空孔的外接圆的平均直径为150μm以下，并且，Cu‑Ga合金粒子的平均晶体粒径为50μm以下。
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公开(公告)号：CN109563614A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046274.6
申请日：2017-07-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga溅射靶作为金属成分具有如下组成：含有5原子％以上且60原子％以下范围的Ga，进一步含有0.01原子％以上且5原子％以下范围的选自K、Rb及Cs中的至少一种添加元素，并且余量由Cu及不可避免的杂质构成，所述添加元素的全部或一部分以含有选自F、Cl、Br及I中的至少一种卤素的卤化物粒子的状态存在，所述卤化物粒子的最大粒径为15μm以下，氧浓度为1000质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN104024470B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380004675.7
申请日：2013-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F3/10 , B22F2201/20 , B22F2301/00 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C32/0089 , C23C14/0623 , C23C14/08 , C23C14/087 , C23C14/3414 , C23C14/35 , B22F3/1007
Abstract: 本发明提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104903487A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380054636.8
申请日：2013-11-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L31/032
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C30/00 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种形成CIGS膜时所使用的由Cu-In-Ga-Se合金形成的溅射靶，该CIGS膜用于形成具有较高的光电转换效率的太阳能电池的光吸收层。本发明的溅射靶为具有如下成分组成的烧结体，即，含有Cu、In、Ga及Se作为主成分，剩余部分包含不可避免杂质，其中，在该烧结体的基体中，以Se/(Se+Cu+In+Ga)的原子比计含有50.1～60％的Se。
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公开(公告)号：CN112424390A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046706.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的光学功能膜含有由选自TiC、NbC、VC、TiN、NbN及VN中的一种以上组成的第一成分和由选自In2O3、Y2O3、Nb2O5、V2O5、Al2O3、ZnO及SiO2中的一种以上组成的第二成分，所述光学功能膜的膜厚d为30nm以上且100nm以下，可见光区域的折射率n为1.5以上且2.7以下，且可见光区域的消光系数k为0.3以上且1.5以下。
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公开(公告)号：CN109420758A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810755765.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B22F1/0003 , B22F9/082 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: 本申请涉及In-Cu合金粉末及其制法、In-Cu合金溅射靶及其制法。该In-Cu合金粉末包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下。该In-Cu合金粉末的制造方法具备：抽真空工序，使投入了包含In及Cu的原料金属的耐热容器达到10Pa以下的真空度；熔融工序，向所述耐热容器导入氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体，使所述耐热容器的内部充满所述惰性气体，接着加热为1100℃以上来熔融所述原料金属以制成熔融原料；及雾化工序，在700℃以上的温度下以氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体将所述熔融原料进行雾化。该In-Cu合金溅射靶由包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下的烧结体构成。In-Cu合金溅射靶的制造方法中，将包含所述In-Cu合金粉末的原料粉末进行烧结。
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公开(公告)号：CN105008580B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480010218.3
申请日：2014-02-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22F1/08 , C22C28/00 , C22F1/00 , C22F1/16
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，该溅射靶的机械加工性优异，且可形成含有Cu、Ga作为主成分的化合物膜。本发明的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶中的全部金属元素，含有15.0～50.0原子％的Ga、合计0.1～10.0原子％的选自Al、Zn、Sn、Ag及Mg中的一种以上金属元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。
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