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公开(公告)号：CN101932750B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200880125848.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其能够简单地、且以具有通用性的方式设定进行自清洗的定时，并且能够进一步延长该定时，能够提高生产效率。一种向对基板(4)进行制膜处理的制膜室(1)内导入清洗气体进行自清洗的等离子体CVD装置(100)，其中，进行自清洗的定时在制膜运转时间比例(Ps)相对于制膜处理量的增大而饱和的范围内设定，该制膜运转时间比例(Ps)利用制膜关联作业时间(Tt)占制膜关联作业时间(Tt)与清洗关联作业时间(Tc)之和的比例来表示。
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公开(公告)号：CN101542686A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000572.2
申请日：2008-02-18
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和使用了真空处理装置的制膜方法，可简单地调整制膜特性，而且可抑制各制膜室中制膜特性的差的产生，同时可降低设备成本。其特征在于，具有：多个放电电极(3a～3h)，从电源部(17a)向其两端部(53)供给高频电力，在其与基板(8)之间形成等离子体；和多个匹配器(3at～3ht)，在两端部(53)分别对供给到多个放电电极(3a～3h)上的高频电力的相位和振幅进行调整，多个匹配器(3at～3ht)的阻抗被设定为大致相同的值，阻抗值为使多个放电电极(3a～3h)之中的一个放电电极对电源部(17a)的反射功率大约成为最小的值。
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公开(公告)号：CN1101716C
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN97111642.3
申请日：1997-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: F01N3/0892 , B01D53/32 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/0807 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894
Abstract: 用于处理废气的装置和方法。在该装置中，多级反应室(R1，…，Rn)在废气流动方向上串联连接。高压电源(V1，…，Vn)分别与反应室(R1，…，Rn)连接。因而在每个上述反应室中产生电子流放电等离子体。此外，一个级的反应室愈位于下游，投入到该反应室的能量愈低。在气体分解单元中产生的电子密度在位于所述气体分解单元中的废气流的上游侧的部分中为高，而在其废气流的下游侧的部分中电子密度低。
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公开(公告)号：CN1339330A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN01119454.5
申请日：1997-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B01D53/34
CPC classification number: F01N3/0892 , B01D53/32 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/0807 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894
Abstract: 一种使用电子流放电等离子体对包含在废气中的有毒成分进行去毒的废气处理装置和方法,所述废气处理装置包括:一个气体分解单元,用于对包含在废气中的有毒成分进行分解。按本发明,在气体分解单元中产生的电子的电子密度被这样的调整,即位于所述气体分解单元中的废气流的上游侧的部分中电子密度高,而位于所述气体分解单元中的废气流的下游侧的部分中电子密度低。
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