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公开(公告)号：CN101779294B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980100131.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102047439B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101542686B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880000572.2
申请日：2008-02-18
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和使用了真空处理装置的制膜方法，可简单地调整制膜特性，而且可抑制各制膜室中制膜特性的差的产生，同时可降低设备成本。其特征在于，具有：多个放电电极(3a～3h)，从电源部(17a)向其两端部(53)供给高频电力，在其与基板(8)之间形成等离子体；和多个匹配器(3at～3ht)，在两端部(53)分别对供给到多个放电电极(3a～3h)上的高频电力的相位和振幅进行调整，多个匹配器(3at～3ht)的阻抗被设定为大致相同的值，阻抗值为使多个放电电极(3a～3h)之中的一个放电电极对电源部(17a)的反射功率大约成为最小的值。
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公开(公告)号：CN102047439A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含雏晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述雏晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的雏晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把雏晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101779294A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200980100131.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。
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公开(公告)号：CN101542686A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000572.2
申请日：2008-02-18
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和使用了真空处理装置的制膜方法，可简单地调整制膜特性，而且可抑制各制膜室中制膜特性的差的产生，同时可降低设备成本。其特征在于，具有：多个放电电极(3a～3h)，从电源部(17a)向其两端部(53)供给高频电力，在其与基板(8)之间形成等离子体；和多个匹配器(3at～3ht)，在两端部(53)分别对供给到多个放电电极(3a～3h)上的高频电力的相位和振幅进行调整，多个匹配器(3at～3ht)的阻抗被设定为大致相同的值，阻抗值为使多个放电电极(3a～3h)之中的一个放电电极对电源部(17a)的反射功率大约成为最小的值。
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