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公开(公告)号：CN108335995B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810035925.8
申请日：2018-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
Abstract: 提供一种一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗的基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质。基板处理方法包括以下工序：在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以基板的转速在第一转速与同该第一转速不同的第二转速之间变化的方式旋转，一边使安装于杯的冲洗液喷嘴向基板的背面且周缘部供给冲洗液，由此利用供给到背面的冲洗液来对杯中的冲洗液喷嘴的周边区域以及杯中的比周边区域靠外侧的区域这双方进行清洗。
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公开(公告)号：CN114649235A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111500173.6
申请日：2021-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本公开说明一种基板处理方法和基板处理装置，在对形成于基板的表面的金属多晶膜进行蚀刻处理时，能够有效地去除蚀刻残渣。基板处理方法包括以下工序：第一工序，一边使表面形成有金属多晶膜的基板旋转一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第二工序，一边使基板旋转，一边向比第一工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；第三工序，一边使基板旋转，一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第四工序，一边使基板旋转，一边向比第三工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；以及第五工序，在第四工序之后，使基板干燥。
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公开(公告)号：CN107275253B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201710142468.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中，能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置，特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量，喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量，对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。
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公开(公告)号：CN111834251A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010276204.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备多个翅片、热源、流体导入部、以及流体喷出部。多个翅片在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板的下表面喷出通过多个翅片而被加热了的流体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118160075A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072218.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：使用能够水平地并且以可旋转的方式保持基片的保持部来保持所述基片的步骤；之后，对所保持的所述基片进行加热的步骤；之后，在从配置在预先确定的处理位置的第一喷嘴向旋转的所述基片的周缘部释放第一处理液之前，调节所述周缘部的温度，使所述基片的面内温度分布近似于从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的期间的面内温度分布的步骤；和之后，从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的步骤。
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公开(公告)号：CN109427629B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810965777.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其具有：包含处理液喷嘴(61)的处理液供给部(60)；和使处理液喷嘴(61)在第一处理位置(P1)、比第一处理位置(P1)靠上述基片的中心侧的第二处理位置(P2)和后退位置(Q1)之间移动的处理液喷嘴驱动部(65)。在第一移动步骤中，使基片以第一转速(R1)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从后退位置(Q1)向第一处理位置(P1)移动。在第一移动步骤后的第二移动步骤中，使基片以比第一转速(R1)高的第二转速(R2)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从第一处理位置(P1)向第二处理位置(P2)移动。由此，能够抑制在基片的上表面产生颗粒。
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公开(公告)号：CN115440621A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210585374.9
申请日：2022-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制在基板上产生微粒。基板处理方法包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向基板的表面供给药液来对基板进行处理，所述基板处理方法包括：第一工序，检测在药液供给部的流路内的药液中产生的气泡；第二工序，获取从喷嘴排出在第一工序中检测到的药液中的气泡的排出时期；以及第三工序，基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置。
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公开(公告)号：CN112582301A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010978651.3
申请日：2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；使上述基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；向上述基片的周缘部释放处理液的处理液喷嘴；和气体喷嘴，其在自上述处理液从上述处理液喷嘴的释放口被释放的时刻起至到达上述基片上的着落点的时刻的期间，向上述处理液释放气体。根据本发明，能防止或抑制从基片脱离后的处理液再附着于基片。
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公开(公告)号：CN212485277U
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202020511196.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本实用新型的基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备多个翅片、热源、流体导入部、以及流体喷出部。多个翅片在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板的下表面喷出通过多个翅片而被加热了的流体。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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