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公开(公告)号：CN114157147A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111439240.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源电路。该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(Vout)接负载(Load)，限流保护电路(3)的输入端接输入电压(Vin2)；复位驱动电路(2)的一端接限流保护电路(3)，另一端接输出电压(Vout)。本发明解决了现有自激式降压变换器功率密度低、接受输入电压不够宽泛、工作频率不够高、输出纹波高、噪声高的问题，同时也实现了过压保护和过流保护以及自适应软启动的功能。
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公开(公告)号：CN114157145A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111439320.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC开关电源的电感电流预估方法，包括电压采样模块、数据转换模块、开关信号计数模块、电感电压计算模块和数字滤波器模块；输入电压和输出电压经过电压采样模块和数据转换模块，得到位数相同的转换后的输入电压和转换后的输出电压；节点电压与参考电压进行比较，再通过开关信号计数模块得到占空比；然后电感电压计算模块输出电感和寄生阻两端的电压平均值，再经过数字滤波器模块最终得到预估的电感电流；本发明在只采样输入和输出电压的情况下，能准确估算出实时电感电流，且不需要增加额外的电阻、电容和运放等模拟采样电路，不需要远高于开关频率的高速ADC，可降低成本、减小电路体积，具有很高泛用性。
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公开(公告)号：CN113990965A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111230806.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。
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公开(公告)号：CN113782601A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111011687.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 本发明是一种具有低饱和电流特性的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底上方设有氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层、源极和漏极，作为连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极金属和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接铝镓氮势垒层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，本发明结构可以有效降低氮化镓功率器件的饱和电流，提高整个器件结构的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN105827223B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511512A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810115022.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种带有波浪型场限环结构的功率半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上方设有N型缓冲层(2)，N型缓冲层(2)上设有N型外延层(3)且N型外延层(3)被划分为元胞区、过渡区和终端区，在元胞区内设有栅极沟槽(4-1)、(4-2)，在过渡区设有栅极沟槽(4-3)、(4-4)、(4-5)，在栅极沟槽(4-1)、(4-2)之间设有P型体区(6)，P型体区(6)内设有重掺杂N型发射极(7)，其特征在于，终端区内设有波浪型、交叠状离子扩散区(10)，在波浪型离子扩散区(10)内设有离子注入区(10-1)、(10-2)、(10-3)。本发明器件结构能够抑制器件关断时刻所产生的电场尖峰，从而抑制动态雪崩。
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公开(公告)号：CN107493095A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710674866.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/08 , H03K17/567 , H03K19/003
Abstract: 一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统，包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采样电阻Rx。通过对IGBT的栅极电压VG和栅极电压的变化率dVG/dt以及集电极电流的二阶变化率d(dIc/dt)/dt进行采样和检测，实时的掌握IGBT开启过程的各个阶段，之后经过逻辑使能电路的判断并对栅驱动电路中的电流源电路进行控制，便可以改变IGBT开启过程的驱动电流大小，从而达到在IGBT的开启过程中抑制电流振荡减小电流过冲和开启损耗的目的。
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公开(公告)号：CN107293585A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710530053.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学-无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其上设有N型缓冲区和P型体区，在N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在P型体区内设有N型发射极区，其右侧设有P型发射区，在发射极区上连接有发射极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在N型发射区左侧设有纵向沟槽，在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层，其上连接有栅金属，在纵向沟槽的左侧设有P型发射极区块体，其上连接有发射极金属，在场氧层与P型发射区之间设有纵向沟槽，在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层，其上连接有栅金属，在栅金属和发射极金属之间设有氧化层。
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公开(公告)号：CN114785125B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210378386.4
申请日：2022-04-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于恒定导通时间控制的多相交错电路，包括：功率级模块、电流和电压采样模块、电压Vramp信号产生模块、阈值分配模块和VTR信号产生模块。功率级模块一共有N相buck变换器；所述锯齿波电压Vramp信号产生模块为反向充电恒定导通时间控制的积分模块；所述阈值分配模块根据单相反向充电恒定导通时间计算出的电容充电的阈值电压VTH，产生N个阈值电压；所述VTR信号产生模块中，将电压Vramp信号产生模块产生的锯齿波电压Vramp与阈值分配模块产生的N个阈值电压分别进行比较。本发明不需要用到远高于开关频率的高速ADC，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN118100604A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410154691.4
申请日：2024-02-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H02M1/08 , H03K17/687 , H02M1/32 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路，属于集成电路领域，通过第一栅极控制器件进入开关状态，第二栅极控制系统的待机状态。电路包括隔离型栅极驱动芯片、隔离型变压器、双栅宽禁带功率器件和增强型半导体器件，其中双栅宽禁带功率器件的第二栅极连接增强型半导体器件的源极，双栅宽禁带功率器件的源极连接增强型半导体器件的漏极。双栅宽禁带功率器件包括第一栅极和间隔沟槽型的第二栅极。本发明实现了耗尽型功率器件的正压直驱功能，同时充分发挥了宽禁带半导体材料的高频开关特性与高阻断耐压能力，具有高栅压工作范围，高栅极可靠性，低泄漏电流与高反向续流能力。
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