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公开(公告)号：CN118372292A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410817448.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 中北大学
IPC: B25J19/00
Abstract: 本发明公开了一种电触发气体推动的脱锁机构，属于机器人脱锁技术领域，包括壳体、壳盖、内固定体、气体发生器、活塞、锁定器、摇臂；壳盖用于封闭壳体上部开口；活塞设置于壳体内，并将壳体内空间分为上下两部分；气体发生器设置在活塞上方，用于释放气体推动活塞使其向下运动；壳体内呈轴对称分布设置有多个锁定器，锁定器上方与活塞底部固定连接；内固定体设置在各个锁定器之间，内固定体的圆周上与各个锁定器对应位置转动设置有摇臂；摇臂包括分别位于转轴两侧的第一卡凸和第二卡凸；锁定器上设置有与第一卡凸配合的第一卡槽，投放物上设置有与第二卡凸配合的第二卡槽。本发明结构简单，控制方便，解锁速度快，可靠性高。
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公开(公告)号：CN117479809A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311817067.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种柔性化的Y型微型热电器件及其制备方法，包括聚酰亚胺衬底层、有机物填充层和设置在中间的热电单元层，热电单元层顶部设置有多个向下延伸至聚酰亚胺衬底层的第一电极柱，底部设置有多个向上延伸至有机物填充层的第二电极柱，第二电极柱与第一电极柱交错设置；热电单元层设置在各个相邻的第二电极柱之间，两个相邻的第二电极柱及其之间的热电单元层和第一电极柱构成Y型热电单元器件；热电单元层包括分别位于第一电极柱的左右两侧的N型热电单元和P型热电单元。本发明不仅热电转化率高，性能优异，而且结构简单，易于扩展，其结合MEMS工艺制备，制备工艺简单、成本低，可广泛应用。
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公开(公告)号：CN103869504B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410123884.X
申请日：2014-03-31
Applicant: 中北大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明为一种基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法。首先进行光波导微环谐振腔的仿真与设计，选出Q值较高的设计并进行工艺流片，然后取已有的SOI片进行光波导微环谐振腔的工艺制备，接着在制备好的光波导微环谐振腔上生长两层石墨烯和一层Al2O3，最后引两个对称分布的电极即可。本发明方法能提供很强的石墨烯与光的相互作用，提供高强度的光电转换；由于石墨烯对光的吸收与光的波长无关，所以可以进行宽频操控；同时石墨烯在室温下的载流子迁移率极高，通过施加外电场可以使调制时间降至皮秒级别，再加上它能与CMOS工艺相兼容，这对以后集成光学芯片的微型化、高速化以及低功耗具有重大意义。
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公开(公告)号：CN102540349A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014097.2
申请日：2012-01-18
Applicant: 中北大学
IPC: G02B6/34
Abstract: 本发明公开了一种光纤与光波导芯片高效垂直耦合互连的封装方法，其包括以下步骤：制备出硅基纳米波导光栅，并应用扫描电镜对硅基纳米波导光栅进行扫描；准备好低折射率固化封装材料；制备单模光纤；在硅基纳米波导光栅的表面涂覆光学增透膜；调整单模光纤和硅基纳米波导光栅之间的位置；点胶单模光纤与硅基纳米波导光栅的耦合端；对点胶的内部封装体进行曝光固化；制备出V型光纤定位槽；将单模光纤放置到V型光纤定位槽中；进行单模光纤的固化封装；对点胶的V型光纤定位槽进行曝光固化；对最终封装后的结构进行测试。本发明克服目前光集成芯片上纳米波导与光栅垂直耦合系统的不稳定性等缺点，且结构简单、稳定性好、抗外界干扰且易于阵列集成。
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公开(公告)号：CN118714909A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411195617.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 中北大学
IPC: H10N10/851 , H10N10/17 , H10N10/01 , H10N10/80 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J3/28 , G01J5/12 , G01J5/14
Abstract: 本发明公开了一种免制冷、宽光谱的硅基集成光热电探测器件及其制备方法，属于光热电探测器件制备技术领域。所述光热电探测器件的结构包括：一侧表面的中间为微纳米黑硅结构的绝缘衬底层、位于所述绝缘衬底层上包围所述微纳米黑硅结构的钝化保护层、所述微纳米黑硅结构表面生长的贵金属纳米粒子层、位于所述钝化保护层上的热电薄膜以及位于所述热电薄膜上的电极。本发明通过在硅基表面形成微纳结构并溅射贵金属纳米颗粒形成等离激元，结合共溅射薄膜制备技术，解决了现有光电探测器结构单一、感知光谱范围有限及集成度低等诸多问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118372292B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410817448.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 中北大学
IPC: B25J19/00
Abstract: 本发明公开了一种电触发气体推动的脱锁机构，属于机器人脱锁技术领域，包括壳体、壳盖、内固定体、气体发生器、活塞、锁定器、摇臂；壳盖用于封闭壳体上部开口；活塞设置于壳体内，并将壳体内空间分为上下两部分；气体发生器设置在活塞上方，用于释放气体推动活塞使其向下运动；壳体内呈轴对称分布设置有多个锁定器，锁定器上方与活塞底部固定连接；内固定体设置在各个锁定器之间，内固定体的圆周上与各个锁定器对应位置转动设置有摇臂；摇臂包括分别位于转轴两侧的第一卡凸和第二卡凸；锁定器上设置有与第一卡凸配合的第一卡槽，投放物上设置有与第二卡凸配合的第二卡槽。本发明结构简单，控制方便，解锁速度快，可靠性高。
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公开(公告)号：CN117213616B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311481470.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种应力释放结构的压电水听器单元，其包括SOI晶圆基底以及下电极薄膜、压电层和上电极薄膜，SOI晶圆基底包括衬底层、埋氧层和器件层，衬底层刻蚀有圆柱形背腔，下电极薄膜、压电层和上电极薄膜均刻蚀为圆形结构，圆形结构的侧壁上沿上下方向刻蚀有四个扇环体凹槽，扇环体凹槽从压电层上表面向下刻蚀至埋氧层上表面，四个扇环体凹槽沿圆形结构的周向均布。设置扇环体凹槽可将夹紧型边界条件变为简单支撑型边界条件，压电层的振型状态从类似高斯型变为类似活塞型，三明治结构的薄膜振动幅值增大，应力释放结构可释放薄膜结构层上的应力，提高水听器的综合性能。
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公开(公告)号：CN117191182B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311469449.8
申请日：2023-11-07
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及悬臂梁式一维MEMS压电矢量水听器，其包括衬底和悬臂梁结构，衬底为矩形框体，衬底的下表面固定连接有支撑层，悬臂梁结构连接至衬底上相对的两根侧壁之间，悬臂梁结构包括中心质量块和两根结构相同的条形悬臂，两根条形悬臂对称布置于中心质量块的左右两端，且条形悬臂的其中一端设为弧腰梯形连接部，弧腰梯形连接部的较短底用于固定连接中心质量块；条形悬臂从上至下包括依次叠摞且相连的第二电极层、压电材料层和第一电极层。该悬臂梁式一维MEMS压电矢量水听器只需要探测某一方向的声源信号即可，在探测的同时会抑制掉其他方向的干扰信息，提高信号的信噪比，能准确提取出需要的信号。
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公开(公告)号：CN117213616A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311481470.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种应力释放结构的压电水听器单元，其包括SOI晶圆基底以及下电极薄膜、压电层和上电极薄膜，SOI晶圆基底包括衬底层、埋氧层和器件层，衬底层刻蚀有圆柱形背腔，下电极薄膜、压电层和上电极薄膜均刻蚀为圆形结构，圆形结构的侧壁上沿上下方向刻蚀有四个扇环体凹槽，扇环体凹槽从压电层上表面向下刻蚀至埋氧层上表面，四个扇环体凹槽沿圆形结构的周向均布。设置扇环体凹槽可将夹紧型边界条件变为简单支撑型边界条件，压电层的振型状态从类似高斯型变为类似活塞型，三明治结构的薄膜振动幅值增大，应力释放结构可释放薄膜结构层上的应力，提高水听器的综合性能。
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公开(公告)号：CN103594378B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310593276.0
申请日：2013-11-23
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明为一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，解决了石墨烯沟道与衬底和栅介质层直接接触带来的性能降低的问题。本发明方法在衬底上形成凹槽结构，在凹槽底部制作栅电极和栅介质，然后转移石墨烯薄膜至衬底上以覆盖凹槽，且在石墨烯薄膜两侧制作源、漏极，石墨烯薄膜和栅介质之间形成悬空的石墨烯沟道，避免了石墨烯沟道与衬底、栅介质直接接触。通过悬空的石墨烯沟道，避免衬底和栅介质层对石墨烯基本特性的影响，进一步提高了石墨烯晶体管的性能。
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