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公开(公告)号：CN113823554B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111097889.6
申请日：2021-09-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明提供一种背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件的制备方法，包括清洗、镀膜、匀胶、光刻、刻蚀、镀金属层、剥离、划片和减薄等步骤，制备出的光导半导体器件能够采用紫外光(λ＝355nm)背面光入射方式进行触发，可以在光导半导体器件内部形成电流通道，从而降低了平面电极间的表面电流，有效地提升光电转化效率；并且使用嵌入式欧姆接触电极，能够避免载流子在电极处的堆积造成局部电场过大导致提前发生击穿，提高了器件耐压能力；同时由于采用了减薄工艺，进一步减小器件尺寸和导通电阻，可以确保器件厚度接近穿透厚度，从而有效提升背面光入射时光生载流子浓度，实现光导半导体器件在亚纳秒电磁脉冲产生系统中的实际应用。
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公开(公告)号：CN113193483B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110422576.7
申请日：2021-04-14
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01T1/22
摘要： 本发明公开了一种具有尖峰电极结构的半球型自击穿高压气体开关，目的是解决现有自击穿气体开关由于没有触发极造成其自击穿不稳定，自击穿电压离散度较大等问题。本发明由阴极电极、阳极电极、阴极杆、阳极杆和绝缘腔体组成。阴极杆和阳极杆通过螺栓固定在绝缘腔体上，阴极电极和阳极电极通过螺纹孔分别固定在阴极杆和阳极杆上。绝缘腔体由绝缘筒，前绝缘端板和后绝缘端板构成。阳极电极的阳极突出部位和阴极电极的阴极突出部位加工成粗糙度为N的带尖峰结构；通过增大开关电极表面粗糙度，增大电极表面电场，促使开关电极表面电子产生，使开关击穿更加稳定，减小自击穿电压离散度从而提升自击穿高压气体开关工作稳定性。
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公开(公告)号：CN113013732B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110401991.4
申请日：2021-04-14
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种具有尖峰电极结构的异形自击穿高压气体开关，目的是解决现有自击穿气体开关由于没有触发极造成其自击穿不稳定，自击穿电压离散度较大等问题。本发明由阴极电极、阳极电极、阴极杆、阳极杆和绝缘腔体组成。阴极杆和阳极杆通过螺栓固定在绝缘腔体上，阴极电极和阳极电极通过螺纹孔分别固定在阴极杆和阳极杆上。绝缘腔体由绝缘筒，前绝缘端板和后绝缘端板构成。阳极电极的阳极突出部位和阴极电极的阴极突出部位加工成粗糙度为N的带尖峰结构；通过增大开关电极表面粗糙度，增大电极表面电场，促使开关电极表面电子产生，使开关击穿更加稳定，减小自击穿电压离散度从而提升自击穿高压气体开关工作稳定性。
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公开(公告)号：CN108449074B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810201681.6
申请日：2018-03-12
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于磁开关的高功率脉冲后沿陡化电路，目的是解决脉冲后沿过长的问题。技术方案是在基于MOV的近方波脉冲产生电路的负载Z两端并联一个磁开关MS，磁开关MS未饱和时电感很大，相当于断路；磁开关MS饱和时电感很小，相当于短路，利用磁开关MS饱和前后电感量突变的特性实现对负载Z上得到的近方波脉冲后沿的陡化。本发明可以实现脉冲后沿的陡化，解决脉冲后沿过长的问题，且结构简单易于实现，可应用于多种工作场合。
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公开(公告)号：CN111490418B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010327848.0
申请日：2020-04-23
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种浸油高压同轴电缆接头，目的是针对浸油情况提供密封和绝缘效果好的高压同轴电缆接头。本发明由电缆公头、电缆母头和注油筒组成；电缆公头由公头法兰、外导体连接体、内导体连接体和橡胶固定件组成；电缆母头由母头法兰、空心橡胶圆台和母头连接体组成；注油筒由注油筒外壳、内导体柱和绝缘体组成；电缆公头与注油筒连接，高压同轴电缆依次穿过电缆公头与电缆母头，插入注油筒内，注油筒内注有变压器油。空心橡胶圆台位于母头法兰和电缆之间，橡胶固定件处于公头法兰和母头法兰之间，通过橡胶固定件挤压空心橡胶圆台使其产生形变从而填充缝隙，实现注油筒外壳密封。本发明密封效果好，绝缘等级高，且结构简单。
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公开(公告)号：CN112203392A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011081839.4
申请日：2020-10-12
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开基于可移动衬底的长寿命强流电子束收集极及其控制方法，所述收集极包括收集极衬底、收集极外筒、收集极滑筒；收集极衬底套接在收集极外筒的内腔，其两端均超出所述收集极外筒；收集极衬底与收集极滑筒滑动连接；收集极滑筒外壁固定连接有传动电机，传动电机连接有转动齿轮；收集极衬底外壁设有条形齿轮，条形齿轮与转动齿轮的尺寸和位置相匹配；收集极外筒与收集极滑筒内壁交接处设有第一行程开关，收集极滑筒内壁设有第二行程开关。本发明能够在不影响微波产生和传输的前提下，有效避免强流电子束总是攻击收集极内表面的相同区域，缓解沉积热量过于集中的问题，降低收集极耐热压力，适用于连续运行的高功率微波源。
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公开(公告)号：CN112117976A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010996870.4
申请日：2020-09-21
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03F3/26
摘要： 本发明公开了一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法，目的是解决现有放大电路输出功率低、放大效率低的问题。技术方案是先构建由两个电源、两个脉冲形成器件、两个宽带隙半导体器件、两个限流电阻、负载电阻和接地端组成基于宽带隙半导体器件的B类推挽式放大电路；两路激光脉冲与两个直流电源产生的电压同时作用于放大电路中的2个宽带隙半导体器件；2个宽带隙半导体器件在光电信号激励下作为光控可变电阻工作，其导通电阻随高能脉冲簇激光的光强成线性变化，使得输出的电流和光强呈正比例变化，使得光电微波放大。本发明放大电路结构简单，工作电压高，微波输出功率高，既消除了单极性限制，又有效解决了输出功率低的问题。
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公开(公告)号：CN111739953A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010649128.6
申请日：2020-07-08
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/08
摘要： 本发明公开一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构，包括碳化硅光导开关、反射结构；所述碳化硅光导开关包括透明电极、SiC材料衬底、背反电极；所述透明电极、SiC材料衬底、背反电极依次由上向下排列；所述反射结构位于所述透明电极上方；所述反射结构与所述透明电极之间的间距L满足：L
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公开(公告)号：CN109451647B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811295041.2
申请日：2018-11-01
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H05H5/03
摘要： 本发明公开了一种强流二极管锥体陶瓷封装真空界面绝缘结构，目的是提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。本发明由阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰、第二法兰、强流二极管外筒组成；阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰位于强流二极管外筒内部，锥角绝缘体右端通过第一可伐环封装阴极座和瓷环，左端通过第二可伐环封装第一法兰，实现一体化封装；本发明通过合理设计锥角绝缘体、均压罩等电场屏蔽结构，优化表面电场和沿面磁场分布，降低界面沿面闪络几率，提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。
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公开(公告)号：CN109301693A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811219394.4
申请日：2018-10-19
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01T1/22
摘要： 本发明涉及脉冲功率技术领域的一种碳纤维脉冲功率开关，与现有的自击穿开关相比，主要通过将现有自击穿开关中的金属阴极电极的主要发射区域由金属替换为碳纤维盘来提高开关的稳定性和延长寿命。其中，碳纤维盘包括金属带孔底盘、若干碳纤维束和固定压盘。所述的碳纤维束两端形成的碳纤维发射面以代替传统开关的金属发射面。本发明提供的碳纤维脉冲功率开关，由于碳纤维束比现有金属电极开关中的晶须长径比更大、场增强因子的一致性更好，且更耐高温烧蚀，因此在稳定性和寿命方面的性能都有很大提高。
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