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公开(公告)号：CN112072450A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011077810.9
申请日：2020-10-10
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明公开基于光导器件的可调谐超高重频微波产生装置及产生方法，所述装置包括：激光调制模块、微波提取模块；激光调制模块包括宽禁带光导半导体器件、超高重频激光驱动源；微波提取模块包括高压充电电源、微波射频传输结构和超高重频微波辐射输出组件；宽禁带光导半导体器件分别与超高重频激光驱动源、高压充电电源、微波射频传输结构连接，超高重频微波辐射输出组件与微波射频传输结构连接。本发明能够实现频率可调的MHz超高重频电磁脉冲输出，输出的微波信号既可以是宽谱信号，也可以是窄谱信号，同时，提高了光电转换效率，实现了可调谐超高重频电磁脉冲的高效提取，为超高重复频率大功率微波集成系统的研制提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN111584434B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010453492.5
申请日：2020-05-25
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/10 , H01L23/18 , H01L21/52 , H01L21/54
摘要： 本发明具体涉及一种光子微波用兆瓦级光导半导体器件及电极的连接与绝缘封装方法。由绝缘封装盒、正电极、负电极、第二固定板、宽禁带光导半导体晶圆组成。本发明以光导半导体绝缘封装盒为主体结构，通过电极涂敷与绝缘胶灌封，很好的解决了微米级光导半导体器件和外接电极的欧姆接触和耐高压绝缘问题。通过优化电极结构，改进涂敷、灌封方式等措施，解决了光导半导体器件与外接电路的欧姆接触问题，大幅度减少了光导半导体器件的欧姆接触阻抗，同时也保证了欧姆接触的稳定性。本发明可以有效提高在几十ns脉宽、几十kV量级重复频率脉冲高压条件下，光导半导体器件的耐压绝缘特性和系统整体紧凑化程度，实现兆瓦量级光子微波输出。
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公开(公告)号：CN111371409A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010310042.0
申请日：2020-04-20
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种光控可调频全固态多周期微波产生器，包括传输线、激光二极管驱动、激励激光二极管、激光脉冲经光纤、高压电极、接地电极和介质。本发明的有益效果是：采用多固态光导开关和固态传输线单元直接形成电磁振荡，经天线产生微波，在微波振荡产生过程中，无需气体火花隙开关和强流真空电子束，具备固态模块化特性；利用开关的关断性能在负载上形成多周期振荡脉冲，能量分散到各个模块，第m个单元异常只影响其自身输出的第m个双极性脉冲，对最终整体波形产生影响较小，不会导致全系统崩溃。
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公开(公告)号：CN112117976B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010996870.4
申请日：2020-09-21
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03F3/26
摘要： 本发明公开了一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法，目的是解决现有放大电路输出功率低、放大效率低的问题。技术方案是先构建由两个电源、两个脉冲形成器件、两个宽带隙半导体器件、两个限流电阻、负载电阻和接地端组成基于宽带隙半导体器件的B类推挽式放大电路；两路激光脉冲与两个直流电源产生的电压同时作用于放大电路中的2个宽带隙半导体器件；2个宽带隙半导体器件在光电信号激励下作为光控可变电阻工作，其导通电阻随高能脉冲簇激光的光强成线性变化，使得输出的电流和光强呈正比例变化，使得光电微波放大。本发明放大电路结构简单，工作电压高，微波输出功率高，既消除了单极性限制，又有效解决了输出功率低的问题。
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公开(公告)号：CN114927514A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210577650.7
申请日：2022-05-25
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明提供一种基于光导器件的大范围可调谐高频微波产生装置及方法，所述的基于光导器件的大范围可调谐高频微波产生装置包括：高压电源、微波射频传输结构、可调谐激光驱动源和天线，本发明利用宽禁带光导半导体器件的线性工作模式，在外加偏置电压作用下，通过可调谐脉冲簇激光驱动源辐照宽禁带光导半导体器件，调制产生高频电信号，并通过天线辐射输出产生微波信号，实现宽范围频率可调谐的高频微波输出。本发明提高了系统的光电转换效率，能够实现频率大范围可调谐(0.5GHz～50GHz)的窄谱微波输出，实现了大范围可调谐高频微波的高效提取。本发明为大范围可调谐的高功率微波集成系统的研制提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN111584434A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010453492.5
申请日：2020-05-25
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/10 , H01L23/18 , H01L21/52 , H01L21/54
摘要： 本发明具体涉及一种光子微波用兆瓦级光导半导体器件及电极的连接与绝缘封装方法。由绝缘封装盒、正电极、负电极、第二固定板、宽禁带光导半导体晶圆组成。本发明以光导半导体绝缘封装盒为主体结构，通过电极涂敷与绝缘胶灌封，很好的解决了微米级光导半导体器件和外接电极的欧姆接触和耐高压绝缘问题。通过优化电极结构，改进涂敷、灌封方式等措施，解决了光导半导体器件与外接电路的欧姆接触问题，大幅度减少了光导半导体器件的欧姆接触阻抗，同时也保证了欧姆接触的稳定性。本发明可以有效提高在几十ns脉宽、几十kV量级重复频率脉冲高压条件下，光导半导体器件的耐压绝缘特性和系统整体紧凑化程度，实现兆瓦量级光子微波输出。
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公开(公告)号：CN113823554B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111097889.6
申请日：2021-09-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明提供一种背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件的制备方法，包括清洗、镀膜、匀胶、光刻、刻蚀、镀金属层、剥离、划片和减薄等步骤，制备出的光导半导体器件能够采用紫外光(λ＝355nm)背面光入射方式进行触发，可以在光导半导体器件内部形成电流通道，从而降低了平面电极间的表面电流，有效地提升光电转化效率；并且使用嵌入式欧姆接触电极，能够避免载流子在电极处的堆积造成局部电场过大导致提前发生击穿，提高了器件耐压能力；同时由于采用了减薄工艺，进一步减小器件尺寸和导通电阻，可以确保器件厚度接近穿透厚度，从而有效提升背面光入射时光生载流子浓度，实现光导半导体器件在亚纳秒电磁脉冲产生系统中的实际应用。
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公开(公告)号：CN112203392A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011081839.4
申请日：2020-10-12
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开基于可移动衬底的长寿命强流电子束收集极及其控制方法，所述收集极包括收集极衬底、收集极外筒、收集极滑筒；收集极衬底套接在收集极外筒的内腔，其两端均超出所述收集极外筒；收集极衬底与收集极滑筒滑动连接；收集极滑筒外壁固定连接有传动电机，传动电机连接有转动齿轮；收集极衬底外壁设有条形齿轮，条形齿轮与转动齿轮的尺寸和位置相匹配；收集极外筒与收集极滑筒内壁交接处设有第一行程开关，收集极滑筒内壁设有第二行程开关。本发明能够在不影响微波产生和传输的前提下，有效避免强流电子束总是攻击收集极内表面的相同区域，缓解沉积热量过于集中的问题，降低收集极耐热压力，适用于连续运行的高功率微波源。
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公开(公告)号：CN112117976A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010996870.4
申请日：2020-09-21
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03F3/26
摘要： 本发明公开了一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法，目的是解决现有放大电路输出功率低、放大效率低的问题。技术方案是先构建由两个电源、两个脉冲形成器件、两个宽带隙半导体器件、两个限流电阻、负载电阻和接地端组成基于宽带隙半导体器件的B类推挽式放大电路；两路激光脉冲与两个直流电源产生的电压同时作用于放大电路中的2个宽带隙半导体器件；2个宽带隙半导体器件在光电信号激励下作为光控可变电阻工作，其导通电阻随高能脉冲簇激光的光强成线性变化，使得输出的电流和光强呈正比例变化，使得光电微波放大。本发明放大电路结构简单，工作电压高，微波输出功率高，既消除了单极性限制，又有效解决了输出功率低的问题。
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公开(公告)号：CN111739953A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010649128.6
申请日：2020-07-08
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/08
摘要： 本发明公开一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构，包括碳化硅光导开关、反射结构；所述碳化硅光导开关包括透明电极、SiC材料衬底、背反电极；所述透明电极、SiC材料衬底、背反电极依次由上向下排列；所述反射结构位于所述透明电极上方；所述反射结构与所述透明电极之间的间距L满足：L
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