公开(公告)号：CN220289896U

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202321682000.5

申请日：2023-06-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘博缘 ,  马向 ,  李少波 ,  于文琦 ,  齐合飞 ,  丁跃迪 ,  何剑涛 ,  杨瑾 ,  杨万里

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/26

Abstract: 本实用新型公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本实用新型包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本实用新型可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。

公开(公告)号：CN219609379U

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202321177788.4

申请日：2023-05-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 ,  中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 马向 ,  李少波 ,  何剑涛 ,  梁晓东 ,  齐合飞 ,  于文琦 ,  丁跃迪 ,  刘博缘 ,  杨瑾

IPC: G02F1/03

Abstract: 本实用新型提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本实用新型的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本实用新型具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。