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公开(公告)号：CN118281691A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410257486.0
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光‑光谐振和失谐加载的光栅薄膜直调激光器，涉及半导体激光器技术领域。其包括从上至下层叠设置的欧姆接触层、表面光栅层、上盖层、有源区、薄粘附层以及高导热低折射率衬底；上盖层位于所述表面光栅层下方，用来控制所述表面光栅层与激光器工作模式作用的大小，从而控制激光器输出的大小；有源区位于所述上盖层下方，用来给激光器提供增益；高导热低折射率衬底用于对光场提供进一步的光场限制，同时增加激光器散热。本发明具有高带宽、灵活性高、易于散热、单模特性好，输出功率高的优点。
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公开(公告)号：CN116449588A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310550300.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本发明的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本发明具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN219609379U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202321177788.4
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本实用新型提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本实用新型的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本实用新型具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN119866081A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510049704.6
申请日：2025-01-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H10F30/225 , H10F77/14 , H10F77/30 , H10F77/20 , H10F71/00 , H10F77/124 , H10F77/42
Abstract: 本发明涉及高速高增益的三台阶背入射雪崩光电探测器及其制备方法，属于半导体器件领域，包括包括探测器芯片，所述探测器芯片包括从下至上层叠的本征InP衬底、N型InAlAs欧姆接触层、本征InAlAs渡越层、N型InAlAs电荷层、本征InAlAs倍增层、P型InAlAs电荷层、本征InAlGaAs过渡层、本征InGaAs吸收层、梯度掺杂的P型InGaAs吸收层和P型InAlAs欧姆接触层；本发明使用0.12μm厚的InAlAs作倍增层制备的APD，在0.9倍击穿电压下暗电流低于10nA的同时，增益带宽积可达210GHz，能够实现高速高增益的效果。
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公开(公告)号：CN119209171A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411155808.7
申请日：2024-08-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种集成化光电振荡器，涉及微波光子技术领域。其包括光学链路和电学链路。光学链路包括双模激光器、光耦合器和光延迟线集成芯片、光电探测器，采用光子引线键合技术实现光学链路的集成。双模激光器作为系统的直调光源和微波光子滤波器。系统中两个不同长度的光延迟线构成双环结构，抑制环路模式。光电探测器将双模光信号转化为电信号，电信号注入电学环路，经过放大器放大后，功分器分路后反馈调制在双模激光器上，形成闭合环路，输出微波信号。本发明的集成化光电振荡器系统可以显著减小光电振荡器的系统体积和重量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116599587A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310697195.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H04B10/25 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/548
Abstract: 本发明公开了一种基于微波光子技术的宽带光频梳产生系统，属于光频梳技术领域。微波源发出的微波信号分为两路，其中一路微波信号经过微波光子移相器，实现对微波信号相位的调谐；第二电放大器对移相后的微波信号进行放大，并发送至第二相位调制器上；另一微波信号经由第一放大器放大后，发送至强度调制器；激光调制器发出的光载波分为两路，其中一路作为微波光子移相器的光载波，另一路依次经强度调制器发送至第二相位调制器，产生一个窄带光频梳；窄带光频梳依次经过标准单模光纤、光放大器和高非线性光纤实现参量混频后，光谱展宽得到一个宽带光频梳。本发明有助于提高光频梳的带宽和平坦度。
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公开(公告)号：CN116107026A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310261344.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于硅波导的模斑转换器，属于硅基光子芯片技术领域；其包括氧化物包层、衬底和硅波导结构，其中硅波导结构在二氧化硅包层内并采用三叉戟的结构。三叉戟结构硅波导的输入端为单个波导，与输入光波导连接，输出端为双波导，与光纤对接在一起，模斑转换器输出端通过采用这种三叉戟的结构可以提高波导与光纤之间的耦合效率。三叉戟硅波导的传输部分采用锥形的结构，通过硅波导宽度的逐渐缩小，波导对于光的限制作用减弱，当波导宽度缩小到一定程度时，光无法被限制在波导中，就会从波导中溢出，光斑尺寸随之增加，实现波导与光纤之间两种模斑的高效耦合。
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公开(公告)号：CN116908962A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310784550.6
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本发明包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本发明可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN116780312A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310905552.6
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01S1/02 , H01S5/02345 , H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种部分集成光电振荡器，涉及微波光子信号产生领域。本发明包括光学环路和电学环路，光学环路包括采用光子引线连接的半导体激光器、光延迟线和光电探测器，电学环路包括电放大器、滤波器和功分器。本发明通过光子引线键合技术实现光电振荡器系统中光电器件的集成，从而减小光电振荡器系统的体积和重量，该种集成方案制备过程简单，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN115754922A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211395615.X
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: G01S7/282
Abstract: 本发明公开了一种基于克尔光频梳的超宽带多通道波束形成方法及网络系统，属于集成光子技术和微波光子技术领域。该系统包括一个克尔光频梳产生模块，调制模块，多路光延时网络模块和解调模块。该方法首先由克尔光频梳产生模块产生一个宽带相干光频梳信号，通过波分复用器分束成多路光信号，利用电光调器阵列将外部多路天线阵元接收到的微波信号调制到光信号上，然后经过光延时网络模块对多路光信号的相位和幅度进行调控，最终合束为一路光信号，经由光电探测器解调出微波信号。本发明可提高光学波束形成网络的集成化水平，实现大宽带、多通道、宽角的性能，可促进光控相控阵天线芯片化、集成化的发展。
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