-
公开(公告)号：CN116449588A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310550300.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本发明的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本发明具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
-
公开(公告)号：CN117270282A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311301905.8
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种基于二维光栅阵列的紧凑型InP基光学相控阵，属于光学相控阵技术领域。该光学相控阵包括光源、InP基片和分束器，InP基片上分布有以矩形阵列形式排布的正方形微腔，相邻两正方形微腔的直角彼此正对，且正对的两直角之间通过直波导连接；分束器将光源输出的光束连接到每个正方形微腔处；正方形微腔上设有移相正电极、移相负电极和光栅天线。本发明具有结构紧凑、易于规模扩展、可大角度扫描等诸多优点。
-
公开(公告)号：CN117270242A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311350488.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种热光可调谐并具有平顶型输出响应的三阶微环滤波器，属于半导体器件光滤波技术领域。该滤波器包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、刻蚀形成的单晶薄膜铌酸锂脊波导、沉积形成的二氧化硅包层和热光电极。本发明通过合理控制耦合区域的耦合间距和耦合长度来实现所需要的滤波器带宽、消光比、矩形系数和平顶通带的滤波效果，提高了对工作波长的变化的容忍度，同时也提高了对工艺误差的容忍度，并且不会引入额外的损耗。本发明可以利用铌酸锂的热光效应实现有效折射率的改变。一方面，可以补偿工艺误差，解决由工艺误差引入的微环谐振峰漂移问题；另一方面，实现滤波器通带中心波导的调节，满足光通信系统中对波长选择的灵活可重构性的需求。
-
公开(公告)号：CN119209171A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411155808.7
申请日：2024-08-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种集成化光电振荡器，涉及微波光子技术领域。其包括光学链路和电学链路。光学链路包括双模激光器、光耦合器和光延迟线集成芯片、光电探测器，采用光子引线键合技术实现光学链路的集成。双模激光器作为系统的直调光源和微波光子滤波器。系统中两个不同长度的光延迟线构成双环结构，抑制环路模式。光电探测器将双模光信号转化为电信号，电信号注入电学环路，经过放大器放大后，功分器分路后反馈调制在双模激光器上，形成闭合环路，输出微波信号。本发明的集成化光电振荡器系统可以显著减小光电振荡器的系统体积和重量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116599587A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310697195.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H04B10/25 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/548
Abstract: 本发明公开了一种基于微波光子技术的宽带光频梳产生系统，属于光频梳技术领域。微波源发出的微波信号分为两路，其中一路微波信号经过微波光子移相器，实现对微波信号相位的调谐；第二电放大器对移相后的微波信号进行放大，并发送至第二相位调制器上；另一微波信号经由第一放大器放大后，发送至强度调制器；激光调制器发出的光载波分为两路，其中一路作为微波光子移相器的光载波，另一路依次经强度调制器发送至第二相位调制器，产生一个窄带光频梳；窄带光频梳依次经过标准单模光纤、光放大器和高非线性光纤实现参量混频后，光谱展宽得到一个宽带光频梳。本发明有助于提高光频梳的带宽和平坦度。
-
公开(公告)号：CN116908962A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310784550.6
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本发明包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本发明可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。
-
公开(公告)号：CN116780312A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310905552.6
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01S1/02 , H01S5/02345 , H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种部分集成光电振荡器，涉及微波光子信号产生领域。本发明包括光学环路和电学环路，光学环路包括采用光子引线连接的半导体激光器、光延迟线和光电探测器，电学环路包括电放大器、滤波器和功分器。本发明通过光子引线键合技术实现光电振荡器系统中光电器件的集成，从而减小光电振荡器系统的体积和重量，该种集成方案制备过程简单，有利于大规模生产。
-
公开(公告)号：CN220289896U
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202321682000.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本实用新型包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本实用新型可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。
-
公开(公告)号：CN219609379U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202321177788.4
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本实用新型提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本实用新型的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本实用新型具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.039 seconds)
