公开(公告)号：CN117270282A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311301905.8

申请日：2023-10-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 马向 ,  李少波 ,  丁跃迪 ,  于文琦 ,  齐合飞 ,  杨瑾 ,  何剑涛 ,  刘博缘 ,  杨万里

IPC: G02F1/29

Abstract: 本发明公开了一种基于二维光栅阵列的紧凑型InP基光学相控阵，属于光学相控阵技术领域。该光学相控阵包括光源、InP基片和分束器，InP基片上分布有以矩形阵列形式排布的正方形微腔，相邻两正方形微腔的直角彼此正对，且正对的两直角之间通过直波导连接；分束器将光源输出的光束连接到每个正方形微腔处；正方形微腔上设有移相正电极、移相负电极和光栅天线。本发明具有结构紧凑、易于规模扩展、可大角度扫描等诸多优点。

公开(公告)号：CN118281691A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410257486.0

申请日：2024-03-07

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 ,  中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 马向 ,  李少波 ,  齐合飞 ,  于文琦 ,  杨万里 ,  唐新兵 ,  刘博缘 ,  杨瑾

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明公开了一种基于光‑光谐振和失谐加载的光栅薄膜直调激光器，涉及半导体激光器技术领域。其包括从上至下层叠设置的欧姆接触层、表面光栅层、上盖层、有源区、薄粘附层以及高导热低折射率衬底；上盖层位于所述表面光栅层下方，用来控制所述表面光栅层与激光器工作模式作用的大小，从而控制激光器输出的大小；有源区位于所述上盖层下方，用来给激光器提供增益；高导热低折射率衬底用于对光场提供进一步的光场限制，同时增加激光器散热。本发明具有高带宽、灵活性高、易于散热、单模特性好，输出功率高的优点。

公开(公告)号：CN116908962A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310784550.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘博缘 ,  马向 ,  李少波 ,  于文琦 ,  齐合飞 ,  丁跃迪 ,  何剑涛 ,  杨瑾 ,  杨万里

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本发明包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本发明可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。

公开(公告)号：CN220289896U

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202321682000.5

申请日：2023-06-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 刘博缘 ,  马向 ,  李少波 ,  于文琦 ,  齐合飞 ,  丁跃迪 ,  何剑涛 ,  杨瑾 ,  杨万里

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/26

Abstract: 本实用新型公开了一种石英衬底铌酸锂模斑转换器，涉及光通信和微波光子领域。本实用新型包括石英衬底层、二氧化硅包层、铌酸锂波导层、氧化物夹层和氧化物上包层，所述铌酸锂波导层为三层阶梯型结构，且三层铌酸锂波导层的光纤耦合端横截面均为等腰梯形，氧化物夹层和氧化物上包层的光纤耦合端横截面均下部设有缺口，上部设有等腰梯形突出的形状，且氧化物夹层和氧化物上包层的等腰梯形突出、铌酸锂波导层的横截面等腰梯形的斜边角度均不超过70°。本实用新型可实现光信号在集成铌酸锂光子芯片与光纤间进行耦合时的高耦合和低传输损耗，且降低了工艺加工难度，具有较高的实用性。