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公开(公告)号：CN115390200B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211119625.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及到光通信领域，尤其涉及到一种基于窄线宽激光器的高速PAM4硅光调制模块。包括一个窄线宽激光器芯片，设置在电路板上，发出窄线宽激光；一个高速电光调制器芯片，用于接收激光并进行调制处理，生成调制的光信号；一个高速调制驱动芯片，用于将输入电信号进行转换和放大，然后传递给高速电光调制器芯片用来对激光进行调制；一根输出光纤，与高速电光调制器的输出端口相连，用于将调制的光信号输出至光模块外部。本发明的技术方案有益效果在于：提供一种基于窄线宽激光器的高速PAM4硅光调制模块，能够基于成熟工艺设计，缩短开发周期，降低成本。另外使用窄线宽激光器作为光源，可以有效降低色散对信号的影响，提升传输距离和传输速率。
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公开(公告)号：CN116436494A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310359435.4
申请日：2023-04-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H04B1/7136 , H04B10/25 , H04B10/2575
Abstract: 本发明公开了一种基于光开关的微波光子跳频信号产生装置及方法，属于光通信技术领域。本发明由光源、分束器、光频梳生成器、电光移频器、声光调制器、数字频率合成器、滤波器阵列、信号控制单元、电控高速光开关、合束器、光电探测器组成。本发明利用超窄带宽光滤波器将光频梳梳齿分离，通过光开关选通与本振光拍频产生跳频信号。相比现有技术，本发明能够产生高速高阶高稳定性的跳频信号。
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公开(公告)号：CN117097367A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310640766.5
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H04B1/7136 , H04B10/25
Abstract: 本发明公开了一种基于光频梳的可重构大带宽跳频系统及方法，属于通信技术领域。该系统包括激光器、第一微波源、第二微波源、第三微波源、第一耦合器、第二耦合器、第一强度调制器、第二强度调制器、第一光滤波器、第二光滤波器、第三光滤波器、第四光滤波器、高速光开关、双平行马赫‑增德尔强度调制器、控制器、90°混频器、光电探测器、掺饵光纤放大器。本系统通过级联强度调制器时实现高质量光频梳的产生，能为跳频够提供丰富的频谱资源，结合商用高速光开关实现高速切换，利用双平行马赫‑增德尔调制器的载波抑制单边带调制与外差检测，可实现可重构大带宽跳频信号产生。
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公开(公告)号：CN115390200A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211119625.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及到光通信领域，尤其涉及到一种基于窄线宽激光器的高速PAM4硅光调制模块。包括一个窄线宽激光器芯片，设置在电路板上，发出窄线宽激光；一个高速电光调制器芯片，用于接收激光并进行调制处理，生成调制的光信号；一个高速调制驱动芯片，用于将输入电信号进行转换和放大，然后传递给高速电光调制器芯片用来对激光进行调制；一根输出光纤，与高速电光调制器的输出端口相连，用于将调制的光信号输出至光模块外部。本发明的技术方案有益效果在于：提供一种基于窄线宽激光器的高速PAM4硅光调制模块，能够基于成熟工艺设计，缩短开发周期，降低成本。另外使用窄线宽激光器作为光源，可以有效降低色散对信号的影响，提升传输距离和传输速率。
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公开(公告)号：CN118281691A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410257486.0
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光‑光谐振和失谐加载的光栅薄膜直调激光器，涉及半导体激光器技术领域。其包括从上至下层叠设置的欧姆接触层、表面光栅层、上盖层、有源区、薄粘附层以及高导热低折射率衬底；上盖层位于所述表面光栅层下方，用来控制所述表面光栅层与激光器工作模式作用的大小，从而控制激光器输出的大小；有源区位于所述上盖层下方，用来给激光器提供增益；高导热低折射率衬底用于对光场提供进一步的光场限制，同时增加激光器散热。本发明具有高带宽、灵活性高、易于散热、单模特性好，输出功率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118249901A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410347097.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H04B10/079 , H04B10/516 , H04B10/556 , H04B10/70
Abstract: 本发明公开了信道化和频时映射的微波光子瞬时频率测量装置及方法，涉及微波频率测量领域。其由光源、光频梳产生器、多通道可编程光滤波器、双并行马赫曾德调制器、光电探测器、带通滤波器、示波器、分束器、合束器组成。本发明通过光频梳构建多个通道，利用线性调频信号扫频和带通滤波器的方式实现频率‑时间映射，同过多个通道并行测量将测频范围扩展到线性调频信号带宽的数倍。相比现有技术，本发明能够在不影响测量精度的情况下扩大测频范围并实现实时和多频点测量。
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公开(公告)号：CN116449588A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310550300.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本发明的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本发明具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN219609379U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202321177788.4
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本实用新型提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本实用新型的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本实用新型具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN117270282A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311301905.8
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种基于二维光栅阵列的紧凑型InP基光学相控阵，属于光学相控阵技术领域。该光学相控阵包括光源、InP基片和分束器，InP基片上分布有以矩形阵列形式排布的正方形微腔，相邻两正方形微腔的直角彼此正对，且正对的两直角之间通过直波导连接；分束器将光源输出的光束连接到每个正方形微腔处；正方形微腔上设有移相正电极、移相负电极和光栅天线。本发明具有结构紧凑、易于规模扩展、可大角度扫描等诸多优点。
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公开(公告)号：CN117270242A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311350488.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种热光可调谐并具有平顶型输出响应的三阶微环滤波器，属于半导体器件光滤波技术领域。该滤波器包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、刻蚀形成的单晶薄膜铌酸锂脊波导、沉积形成的二氧化硅包层和热光电极。本发明通过合理控制耦合区域的耦合间距和耦合长度来实现所需要的滤波器带宽、消光比、矩形系数和平顶通带的滤波效果，提高了对工作波长的变化的容忍度，同时也提高了对工艺误差的容忍度，并且不会引入额外的损耗。本发明可以利用铌酸锂的热光效应实现有效折射率的改变。一方面，可以补偿工艺误差，解决由工艺误差引入的微环谐振峰漂移问题；另一方面，实现滤波器通带中心波导的调节，满足光通信系统中对波长选择的灵活可重构性的需求。
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