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公开(公告)号：CN1834598A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610025717.7
申请日：2006-04-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种氧化锌基盲阳紫外探测装置，该装置从物方至像方按顺序由窄带反射滤光片、透镜、ZnO基多量子阱层、带通滤光片和Si基CCD5组成。所说的ZnO基多量子阱层是由交替生长30个周期的MgZnO势垒层/MgZnCdO过渡层/ZnCdO势阱层组成。调节各层Mg、Zn、Cd的组分，可使MgZnO势垒层和ZnCdO势阱层的禁带宽度分别对应于吸收的紫外光子能量和发出的可见光子能量。本发明的优点是：目标信号可以正入射，无需背入射。不需要加工作电压和Si基CCD的直接光学读出，这不仅提高了可靠性，还简化了系统结构。
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公开(公告)号：CN111584671A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010324657.9
申请日：2020-04-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种基于微腔谐振选频的高性能窄带红外探测器。探测器利用材料的红外吸收特性结合器件结构的特定设计进而可以实现红外波段的窄带探测。具体来说，通过将探测器设计成特定的微腔结构，基于微腔结构的共振模式，可以实现对入射红外光的窄带选频探测，并且这种共振模式可极大提高器件的吸收量子效率。通过调节掺杂浓度，在提高吸收量子效率的同时还可以有效的降低器件的暗电流，从而实现一种高性能的、免滤波的窄带红外气体探测器。此外，该器件的器件工艺与现有的红外焦平面工艺完全兼容，可以很方便地实现一种具有本征窄带探测性能的红外焦平面探测器芯片。
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公开(公告)号：CN104332510A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410546873.2
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/02161
摘要： 本发明公开了一种提升光电探测器响应率的亚波长等离激元微腔耦合结构，通过等离激元微腔对入射光的传播方向和光场分布进行调制，使入射光被限制在微腔中传播，减小了光的逃逸，提高了光子的利用率。入射光场被集聚在微腔中使得强度得到极大的增强，通过在微腔中夹持光电转换材料能够形成高响应率的光电探测器。该耦合结构由上层周期性金属条块形成的金属光栅层、光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是：利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应，使得进入到微腔的光子沿横向传播并形成驻波，既集聚了光场能量又增加了等效光吸收的长度，使得探测器响应率得到极大地提升。
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公开(公告)号：CN102185025B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN101458293B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R31/265
摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
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公开(公告)号：CN100559194C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100524841C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
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公开(公告)号：CN100461557C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
摘要： 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
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公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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