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公开(公告)号：CN1787234A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN102004028A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010285365.5
申请日：2010-09-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC分类号： G01M11/00
摘要： 本发明公开了一种检测半导体发光二极管封装结构有效散热性的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管封装结构有效散热性的好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由指数拟合该曲线来获得表征该封装结构有效散热性的等效散热系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管封装结构有效散热性，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1804591A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610023133.6
申请日：2006-01-06
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 一种基于步进扫描的红外调制光致发光谱的方法及装置，该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为激发光源的激光器、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器、置于样品与激光器之间光路上的斩波器，从而使连续激发光变为调制激发光，并馈入锁相放大器的输入参考端来控制锁相。该方法使用上述装置进行红外调制光致发光谱测量，包括消除室温背景辐射；消除傅立叶频率和增强中、远红外波段光致发光微弱信号的探测能力三个功能。经过对低x组分Hg1－xCdxTe材料光致发光谱的测试，表明：本发明显著提高探测灵敏度和光谱信噪比，并具有快速、便捷的优点，特别适用于中、远红外光电材料微弱光致发光特性的检测。
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公开(公告)号：CN1095539C
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN99113698.5
申请日：1999-05-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J3/447
摘要： 一种单色仪分光红外椭圆偏振光谱仪，包括沿着光源发射的测量光束c前进方向上，依次置有聚光镜，调制盘，作为分光元件的红外单色仪，光束准直元件，由固定和旋转两起偏器构成相对待测样品为入射光臂的起偏器。待测样品被吸附在垂直于水平方向装在置于转台上的调节样品架上的样品吸附板上。检偏器与探测器构成相对于待测样品的带步进马达的出射光臂。探测器的输出通过前置和锁向两放大器与计算机相联。红外椭偏光谱测量准确到10-3量级。
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公开(公告)号：CN1327085A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01112710.4
申请日：2001-04-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供了一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法,该方法包括先驱体溶液的配制,即将溶剂醋酸、去离子水、乙酰丙酮和溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸钴以0.2－0.4M的浓度在一定的温度下混合和将配制好的先驱体溶液用匀胶机甩开得到干膜,然后在快速热退火炉中分段升温进行热处理,得到所需厚度的LSCO薄膜材料。该薄膜性能优良,电阻率值为0.95mΩ·cm,晶粒尺寸为50～100nm,表面粗糙度为2.7nm,用该薄膜做铁电存储器的电极经标准铁电测量系统测试,3×109次翻转后不显示疲劳。表明此薄膜材料适合做铁电存储器的电极。
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公开(公告)号：CN103105011B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310040103.6
申请日：2013-01-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
IPC分类号： F24J2/48 , B32B15/04 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/16
CPC分类号： Y02E10/40
摘要： 本发明公开了一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属基底上的红外高反射银薄膜、铜薄膜、钛铝氮氧薄膜、氧化锌锡锑薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系太阳能吸收率大于96%，发射率小于2%，具有超低发射率，光热转换效率高的特点，同时膜系中的氧化锌锡锑材料镀膜速率高，利于提高生产效率。该膜系可广泛应用于太阳能光热转换的集热器，适合于太阳能热利用在建筑一体化产品方面的应用，尤其适合于中高温太阳能热利用产品的广泛使用。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积基底上连续镀制，实现低成本大规模高效生产。
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公开(公告)号：CN101846499A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176138.9
申请日：2010-05-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海宇豪光电技术有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底，通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化，即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉，新镀上去的待测薄膜即使很薄，也会引起干涉的变化，由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度，其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度，只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱，就可以快速获得待测薄膜的厚度，非常简单、快捷，特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控，尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量，本发明方法克服了传统方法测量的困难。
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公开(公告)号：CN1171080C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02136155.X
申请日：2002-07-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 发明公开了一种用于热释电薄膜材料热释电系数的测量装置及方法。其特征在于：本发明利用了电压法中以正弦函数周期调制样品温度的方法和电流法中利用通用仪器直接测量热释电电流的优点及数字化低频锁相放大器的应用技术，设计一套简便易行的高灵敏度热释电薄膜材料的热释电系数测量装置及方法。测量装置包括：样品台，控制样品台温度的控温电源，温度传感器，恒流源，测量样品的热释电电流的静电计及锁相放大器。本发明的测量装置最大优点是结构简单，数据处理简便，所得信号由锁相放大器处理，测量灵敏度可提高1-2个量级。
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公开(公告)号：CN1152439C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN01139083.2
申请日：2001-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L41/24 , H01L41/187 , C04B41/87
摘要： 本发明提供了一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法，该方法包括：前驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸、去离子水和添加剂甲酰胺与溶质醋酸镍、硝酸镧以0.3M的浓度在一定的温度下混合得到前驱体溶液和薄膜材料的制备，即将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在基片上得到凝胶膜，然后在快速退火炉中分段进行热处理，形成薄膜材料。用该方法得到的薄膜具有高度的择优取向和良好的金属特性，在室温下的电阻率约为7.6×10-4Ωcm。用该薄膜可在其上制备出高质量的铁电薄膜材料或可作为铁电薄膜器件的底电极。
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