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公开(公告)号：CN104925743A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410109684.9
申请日：2014-03-21
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种MEMS半导体器件的形成方法，至少包括：提供形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫的第一半导体衬底，所述第二铝焊垫的表面还形成有阻挡层；提供第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成有连接结构，所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应；将所述第一铝焊垫和连接结构连接，以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；采用切割刀切割所述第二半导体衬底上所述连接结构不重合的区域，使得所述第二铝焊垫暴露出来；去除所述第二铝焊垫上的阻挡层。本发明通过改变传统技术中形成MEMS半导体器件的形成方法的工艺，解决了在切割第二半导体衬底时，产生颗粒，所述颗粒会附着在第二铝焊垫的表面，难以去除的问题。
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公开(公告)号：CN110767748B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201810827320.2
申请日：2018-07-25
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻接的体区和漂移区；栅极结构，位于体区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的体区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构和漏区之间的基底上，还延伸至栅极结构靠近漏区一侧的侧壁和部分顶部，硅化物阻挡层包括第一氧化层、位于第一氧化层上的第一氮化层、以及位于第一氮化层上的第二氧化层；导电结构，位于第二氧化层上。通过位于所述第一氧化层和第二氧化层之间的第一氮化层，有利于提高LDMOS的电学性能，例如：提高LDMOS的击穿电压等。
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公开(公告)号：CN109385614B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710681563.5
申请日：2017-08-10
摘要： 本发明提供了一种石墨烯薄膜的形成方法、MEMS麦克风及其形成方法，包括：在衬底中引入气体离子和/或气体原子；在衬底上依次形成过渡层和一石墨烯薄膜；在去除过渡层的过程中，由气体离子和/或气体原子在衬底表面上所产生的气泡吸引所述石墨烯薄膜，以使石墨烯薄膜附着在所述衬底上。即，根据本发明提供的形成方法，不需要再额外提供一过渡基底即可将石墨烯薄膜形成在目标基底上，有效节省了成本；并且，石墨烯薄膜是在气泡的吸引下，使其内部的毛细通道自发的与气泡发生桥接进而吸附在衬底上的，从而可有效减小石墨烯薄膜发生开裂或破损的风险。
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公开(公告)号：CN109786234B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201711117419.5
申请日：2017-11-13
发明人： 王伟
IPC分类号： H01L21/304 , B81C1/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，形成晶圆键合结构；对晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺，以使顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。本发明所提供的半导体器件的制造方法，在晶圆的键合步骤之后进行多次边缘修剪工艺，使得每次切割的量减小，对晶圆的损伤减小，并使得处于后面的边缘修剪工艺能够消除掉部分处于前面的边缘修剪工艺所造成的损伤，进一步降低了边缘修剪工艺对晶圆的损伤，晶圆破片的概率大大降低，从而提高了晶圆的成品率，并且提高了整个晶圆的质量，提高了产品的性能。
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公开(公告)号：CN112885714A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911203882.0
申请日：2019-11-29
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有第一核心层、以及位于第一核心层上的第一掩膜层，第一掩膜层中形成有露出第一核心层的开口；形成覆盖第一掩膜层的第二核心层，第二核心层还填充满开口；形成贯穿第二核心层、第一掩膜层和第一核心层的第一沟槽，第一沟槽的侧壁暴露出开口中的第二核心层；在第一沟槽的侧壁上形成侧墙层；以侧墙层为掩膜，刻蚀去除第二核心层以及开口位置下方的第一核心层，形成贯穿第一核心层的第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽之间被侧墙层隔离。本发明在第一掩膜层的保护作用下，增大了形成第二沟槽的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN108622846B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710176077.8
申请日：2017-03-22
摘要： 本发明提供一种MEMS麦克风及其形成方法，所述MEMS麦克风包括：背极膜，所述背极膜包括第一面和第二面，所述背极膜包括功能区和包围所述功能区的支撑区；位于所述背极膜第一面上的振片膜，所述振片膜的机械强度大于所述背极膜的机械强度，所述功能区振片膜中具有振片孔，所述振片孔贯穿所述振片膜；位于所述支撑区的背极膜和振片膜之间的支撑件。所述振片膜的机械强度大于所述背极膜的机械强度，从而所述振片膜能够承受较大的应力，所述MEMS麦克风在使用过程中，不容易引起振片膜的断裂，从而能够增加MEMS的寿命。
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公开(公告)号：CN106957044B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610011755.0
申请日：2016-01-08
摘要： 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，形成覆盖第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对第一衬底进行减薄处理；图案化第一衬底，以形成上电极；去除部分牺牲材料层，使所牺牲材料层的侧壁与上电极的侧壁对齐，并在牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；对第二衬底的背面进行刻蚀，以形成下电极以及空腔；刻蚀去除部分牺牲材料层，以使上电极悬浮，位于上电极与第二衬底之间剩余的牺牲材料层作为锚点。根据本发明的方法，避免在湿法刻蚀过程对牺牲材料层造成的过蚀刻，提高MEMS器件的良率和性能。
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公开(公告)号：CN109786234A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711117419.5
申请日：2017-11-13
发明人： 王伟
IPC分类号： H01L21/304 , B81C1/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，形成晶圆键合结构；对晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺，以使顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。本发明所提供的半导体器件的制造方法，在晶圆的键合步骤之后进行多次边缘修剪工艺，使得每次切割的量减小，对晶圆的损伤减小，并使得处于后面的边缘修剪工艺能够消除掉部分处于前面的边缘修剪工艺所造成的损伤，进一步降低了边缘修剪工艺对晶圆的损伤，晶圆破片的概率大大降低，从而提高了晶圆的成品率，并且提高了整个晶圆的质量，提高了产品的性能。
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公开(公告)号：CN107785423A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610765144.5
申请日：2016-08-30
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/404
摘要： 本发明提供一种LDMOS晶体管结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内且分立设置的第一漂移区及第二漂移区；位于所述第一漂移区内的源极及位于所述第二漂移区内的漏极；位于所述半导体衬底上且两侧分别与所述第一漂移区、第二漂移区接触的栅极结构；位于所述第一漂移区中并将所述源极与所述栅极结构隔离的第一隔离结构；位于所述第二漂移区中并将所述漏极与所述栅极结构隔离的第二隔离结构；其中：所述第一隔离结构与第二隔离结构上均设有浮置场板。本发明在源-栅、漏-栅之间的隔离结构上设置了一个或多个浮置场板，可以增大耗尽区域面积并减少碰撞电离，从而获得更高的击穿电压及饱和漏电流Idsat，并且不会恶化器件的栅漏电容Cgd及栅源电容Cgs。
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公开(公告)号：CN107777657A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610726709.9
申请日：2016-08-25
CPC分类号： B81C1/00873 , B81B7/0016
摘要： 本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆并将所述第一晶圆与所述第二晶圆相接合；图案化所述第一晶圆，以在所述第一晶圆的边缘和/或切割道中间隔地形成若干凹槽，进而在所述边缘和/或所述切割道中形成切割引导线；沿所述切割引导线切割所述第一晶圆和所述第二晶圆。本发明的优点在于：(1)通过所述方法可以很好地避免刀片被破损，由于所述凹槽的设置可以使晶圆切割更加容易，而且可以避免切割道损坏。(2)提高了产品的良率。
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