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公开(公告)号：CN117888080A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410294017.6
申请日：2024-03-14
Applicant: 之江实验室
IPC: C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。
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公开(公告)号：CN117075265B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311315502.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅结构的硅光啁啾切趾光栅，包括：输入的倒锥形端面耦合器和硅光啁啾切趾光栅。其中，输入的倒锥形端面耦合器由亚波长光栅组成，可通过微调亚波长光栅的占空比和光栅周期，有效地增大输入光耦合效率。该硅光啁啾切趾光栅采用啁啾的方式实现了在厘米长度范围内具有数百皮秒的高时延量；采用波导中间刻蚀孔洞的方式，通过调节孔洞的尺寸，有效地抑制光栅旁瓣，增大了边模抑制比；采用螺旋波导的方式，使其结构紧凑，尺寸较小；在光栅区上方施加热电极的方式，有效地实现了波长的调谐。最终可实现数百皮秒的高时延的具有箱型响应谱线的低损耗片上器件。
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公开(公告)号：CN117075265A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311315502.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于亚波长光栅结构的硅光啁啾切趾光栅，包括：输入的倒锥形端面耦合器和硅光啁啾切趾光栅。其中，输入的倒锥形端面耦合器由亚波长光栅组成，可通过微调亚波长光栅的占空比和光栅周期，有效地增大输入光耦合效率。该硅光啁啾切趾光栅采用啁啾的方式实现了在厘米长度范围内具有数百皮秒的高时延量；采用波导中间刻蚀孔洞的方式，通过调节孔洞的尺寸，有效地抑制光栅旁瓣，增大了边模抑制比；采用螺旋波导的方式，使其结构紧凑，尺寸较小；在光栅区上方施加热电极的方式，有效地实现了波长的调谐。最终可实现数百皮秒的高时延的具有箱型响应谱线的低损耗片上器件。
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公开(公告)号：CN116302533A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310259281.1
申请日：2023-03-13
IPC: G06F9/50 , G06N3/0464 , G06N3/063 , G06F16/901
Abstract: 本说明书公开了一种针对图卷积加速的执行系统，系统包括：聚合引擎、组合引擎、缓存区，系统可以通过多核设备运行聚合引擎和组合引擎，聚合引擎与组合引擎并行处理任务，聚合引擎获取原始图数据，将原始图数据进行划分，得到若干子图数据，并从若干子图数据中，选取出至少部分子图数据存储在缓存区中，根据缓存区中的子图数据，构建各聚合任务，并将每个聚合任务分配给各核，不同核之间并行处理各聚合任务，在聚合任务完成后将得到的节点对应的聚合特征存入缓存区中；组合引擎可以针对每个节点，从缓存区中获取该节点的聚合特征，并根据该节点的历史节点特征以及对应的聚合特征，执行组合任务，从而，本系统可以在一定程度上提高图卷积的效率。
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公开(公告)号：CN115037380B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210953648.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/548 , H04B10/2575 , H01S5/026 , G02F1/21
Abstract: 本发明公开了一种幅度相位可调的集成微波光子混频器芯片及其控制方法。该芯片可基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)和磷化铟(InP)半导体加工工艺制造而成。InP基半导体用来制备高功率激光器芯片，SOI基半导体用来制备硅基马赫增德尔调制器、锗硅探测器、光滤波器等光器件。InP基与SOI基芯片通过异构集成实现该混频器芯片的整体集成。通过调控调制器和光滤波器工作状态，实现混频信号的幅度和相位可调。由于该芯片基于CMOS硅光工艺，具有低功耗和低成本优势。除此之外，该混频器在光域实现了射频信号的混频，具有超宽带、抗电磁干扰等优势。因此可以用于超宽带无线通信和雷达系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114024612B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111348392.7
申请日：2021-11-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/2543 , H04B10/564 , H04B10/58 , G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种光域非线性失真补偿的硅基调制器芯片及其方法。该硅光芯片包含一个分光比可调的1×2光功分器，一个Si‑MZM和一个Si‑MRM。将Si‑MZM和Si‑MRM的工作点分别设置在正交工作点和三阶交调非线性最大点，并保证两个工作点的相位相差π。输入光信号经光功分器分成两路并输入到对应的两个调制器中，由射频放大器引入的失真调制电信号通过分配比可调的电功分器分成两路并分别调制对应的硅基调制器。调控光功分比和电功分比，用Si‑MRM产生的三阶非线性来用补偿Si‑MZM的非线性，最后在接收端经平衡探测器解调。该硅基调制器芯片可以抑制由射频放大器和硅基调制器共同产生的二阶和三阶非线性。
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公开(公告)号：CN114531205B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210035581.7
申请日：2022-01-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种可编程二维同时多波束光控相控阵接收机芯片及多波束控制方法。该芯片可基于包含氮化硅(SiN)工艺的绝缘体上硅(SOI)和磷化铟(InP)等半导体加工工艺制造而成。InP基半导体用来制备激光器阵列芯片和半导体光放大器阵列芯片，SiN用来制备光功分器、SOI半导体用来制备硅光调制器、锗硅探测器、光波长复用器和真延时线等无源光器件。InP基与SOI基芯片通过异构集成实现该接收机芯片的整体集成。通过外围电路编程控制可以实现同时多波束扫描。由于该芯片不仅可以实现二维多波束扫描功能，还具有很强的可拓展性，因此可以用于超宽带大容量无线通信和同时多目标雷达识别系统。
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公开(公告)号：CN114167555B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111186701.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件。该芯片组件可基于包含氮化硅工艺的绝缘体上硅(SOI)和磷化铟(InP)等半导体加工工艺制造而成。该光引擎收发组件以硅光芯片为基底，通过键合或倒装焊等方式将InP激光器和光放大器光芯片与硅光芯片实现异质集成。激光器作为泵浦光源，经超低损耗氮化硅谐振腔产生光孤子光频梳，从而可以作为多波长激光器，减少了单波长激光器芯片的使用，降低了光子引擎光芯片中的激光器功耗以及热传导，并且提升了光器件的集成度。此外，光频梳可以产生带宽覆盖范围广、波长数量多的光载波，因此可以实现基于波分复用技术的超大通信容量的硅基光引擎芯片。
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公开(公告)号：CN114063216B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210025016.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称布拉格光栅结构的宽带宽波分解复用器，包括：依次连接的输入波导、第一锥形波导和非对称布拉格光栅；第一波导模块，第一波导模块包括依次连接的第一信道波导、第一微环结构和第一下载区，其中第一信道波导的输入端与非对称布拉格光栅的输出端相连接，第一微环结构与第一信道波导和第一下载区之间分别设置有第一和第二耦合间距；及第二波导模块，第二波导模块包括依次连接的第二锥形波导、第二信道波导、第二微环结构和第二下载区，其中第二锥形波导与第一锥形波导构成非对称定向耦合器，第二信道波导的输入端与第二锥形波导的输出端相连接，第二微环结构与第二信道波导和第二下载区之间分别设置有第三和第四耦合间距。
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公开(公告)号：CN114063216A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210025016.2
申请日：2022-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称布拉格光栅结构的宽带宽波分解复用器，包括：依次连接的输入波导、第一锥形波导和非对称布拉格光栅；第一波导模块，第一波导模块包括依次连接的第一信道波导、第一微环结构和第一下载区，其中第一信道波导的输入端与非对称布拉格光栅的输出端相连接，第一微环结构与第一信道波导和第一下载区之间分别设置有第一和第二耦合间距；及第二波导模块，第二波导模块包括依次连接的第二锥形波导、第二信道波导、第二微环结构和第二下载区，其中第二锥形波导与第一锥形波导构成非对称定向耦合器，第二信道波导的输入端与第二锥形波导的输出端相连接，第二微环结构与第二信道波导和第二下载区之间分别设置有第三和第四耦合间距。
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