-
公开(公告)号：CN117877975A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410274495.0
申请日：2024-03-11
申请人： 之江实验室
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧壁形貌。
-
公开(公告)号：CN117026194A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311150986.6
申请日：2023-09-07
申请人： 之江实验室
摘要： 本公开是关于一种磁控溅射镀膜装置及薄膜制备方法。磁控溅射镀膜装置包括传递仓、镀膜仓、可开合的连通部以及传递部。镀膜仓内设有供电端、靶位组件和基底组件，供电端与靶位组件和基底组件分别电连接。连通部设于传递仓和镀膜仓之间，用于连通或阻断传递仓和镀膜仓。传递部可活动地设于传递仓和镀膜仓。薄膜制备方法包括对镀膜仓抽真空；对基底进行物理清洗；将基底放入传递仓中的传递部，对传递仓抽真空；打开连通部，将基底运输至镀膜仓；对基底进行化学清洗；对靶材进行预溅射；在基底表面沉积薄膜。本公开提供的磁控溅射镀膜装置和薄膜制备方法能够减少抽真空时间，提高镀膜效率，并且生成致密均匀的薄膜。
-
公开(公告)号：CN117888080A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410294017.6
申请日：2024-03-14
申请人： 之江实验室
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/455
摘要： 本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。
-
公开(公告)号：CN117008249B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311279749.X
申请日：2023-10-07
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请提出一种铌酸锂波分复用器及光信号复用方法，包括耦合波导，在耦合波导的一端连接有用于接收光信号的输入波导，在耦合波导的另一端连接有用于输出光信号的输出波导，输入波导、耦合波导以及输出波导呈直线排布；输出波导包括用于输出不同波长的光信号的直通输出波导、交叉输出波导。通过使用直型多模波导，避免了在其他类型的波分复用器件中使用的弯曲波导，弯曲波导引起的模式杂化是限制TFLN这种各向异性材料波导高度集成化的一个重要因素，而且相比传统的MMI设计理念，仅需确定一种波长的耦合长度，通过对器件结构进行精心设计，即可实现对输入光信号的高性能传输，这种设计方法可大大降低器件占用面积，降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN117008249A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311279749.X
申请日：2023-10-07
申请人： 之江实验室
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请提出一种铌酸锂波分复用器及光信号复用方法，包括耦合波导，在耦合波导的一端连接有用于接收光信号的输入波导，在耦合波导的另一端连接有用于输出光信号的输出波导，输入波导、耦合波导以及输出波导呈直线排布；输出波导包括用于输出不同波长的光信号的直通输出波导、交叉输出波导。通过使用直型多模波导，避免了在其他类型的波分复用器件中使用的弯曲波导，弯曲波导引起的模式杂化是限制TFLN这种各向异性材料波导高度集成化的一个重要因素，而且相比传统的MMI设计理念，仅需确定一种波长的耦合长度，通过对器件结构进行精心设计，即可实现对输入光信号的高性能传输，这种设计方法可大大降低器件占用面积，降低工艺成本。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.031 秒)