-
公开(公告)号：CN119962445A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510444801.5
申请日：2025-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/31 , G06F30/337
Abstract: 本申请提供一种阵列式谐振电路的参数设计方法，阵列式谐振电路包括m个谐振单元，参数设计方法包括：根据谐振频率#imgabs0#关于谐振电感的电感值L、谐振电容的第一微桥数量#imgabs1#、耦合电容的第二微桥数量#imgabs2#和多个常量参数K的表达式，对m个谐振单元中的n个谐振单元进行仿真，确定L与K的组合的值；n大于等于3，且小于m；根据品质因子#imgabs3#关于电感值L、第一微桥数量#imgabs4#、第二微桥数量#imgabs5#和多个常量参数K的第一表达式，结合L与K的组合的值，确定L和多个常量参数K的值。如此，可以通过少量的仿真结合公式计算，确定谐振频率、品质因子关于第一微桥数量#imgabs6#和第二微桥数量#imgabs7#的关系。
-
公开(公告)号：CN118971899B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411411226.0
申请日：2024-10-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种射频干扰消减方法、装置、存储介质及电子设备。在本说明书提供的射频干扰消减方法中，获取大规模天线阵列接收的目标观测数据；对所述目标观测数据进行分块处理，得到若干分块数据；针对每个分块数据，确定该分块数据的协方差矩阵；对所述协方差矩阵进行特征值分解，得到该分块数据的协方差矩阵的各特征值和各特征向量，其中，每个特征值有且仅有一个对应的特征向量；根据所述各特征值确定干扰数量，并基于所述干扰数量和所述各特征向量构建干扰子空间；确定投影到所述干扰子空间的正交投影矩阵，并采用所述正交投影矩阵对该分块数据进行干扰消减处理；对完成所述干扰消减处理的各分块数据进行合并，得到降噪数据。
-
公开(公告)号：CN118971899A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411411226.0
申请日：2024-10-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种射频干扰消减方法、装置、存储介质及电子设备。在本说明书提供的射频干扰消减方法中，获取大规模天线阵列接收的目标观测数据；对所述目标观测数据进行分块处理，得到若干分块数据；针对每个分块数据，确定该分块数据的协方差矩阵；对所述协方差矩阵进行特征值分解，得到该分块数据的协方差矩阵的各特征值和各特征向量，其中，每个特征值有且仅有一个对应的特征向量；根据所述各特征值确定干扰数量，并基于所述干扰数量和所述各特征向量构建干扰子空间；确定投影到所述干扰子空间的正交投影矩阵，并采用所述正交投影矩阵对该分块数据进行干扰消减处理；对完成所述干扰消减处理的各分块数据进行合并，得到降噪数据。
-
公开(公告)号：CN117410300A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311350658.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超透镜的超导动态电感探测器，包括硅衬底；超导动态电感像素单元阵列，所述超导动态电感像素单元阵列沉积在所述硅衬底表面；和超透镜阵列，所述超透镜阵列通过以超导动态电感像素单元阵列为基准采用背面光刻对准工艺刻蚀所述硅衬底背面得到，所述超透镜阵列用于将垂直入射光聚焦到所述超导动态电感像素单元阵列上，通过所述超导动态电感像素单元阵列将聚焦的入射光转化为电信号从而完成对入射光的探测。该超导动态电感探测器能够将入射光准确的聚焦到超导动态电感像素单元阵列上从而能够准确的探测入射光。本发明还公开了该基于超透镜的超导动态电感探测器的制备方法。
-
公开(公告)号：CN119535420A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411618975.0
申请日：2024-11-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G01S7/52
Abstract: 本说明书公开了一种相控阵坏道自动检测方法、装置、存储介质及设备，可以在大型传感器阵列运行时，通过对每个阵元所采集到的待检测接收信号进行均方根值分析以及频率特性分析，以对每个阵元进行检测，并在检测到某个阵元出现问题时，立即重新计算剩余正常工作的阵元在波束形成时所使用的权重系数，以确保整个阵列的性能不受影响，以提高波束图的质量，减少不必要的旁瓣干扰，并提高目标方位估计的准确性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119011030B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411471224.0
申请日：2024-10-22
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/556 , H04B10/564 , H04B17/00 , H04B17/391
Abstract: 本发明涉及一种射电天文信号与射频干扰模拟方法及其应用、设备及介质，包括备选射电天文信号生成、备选射频干扰生成、当次射电天文信号与射频干扰产生、天线阵列模拟、采集系统模拟、网络传输模拟和源数据生成等部分，能够基于实测与仿真信号，在时域、频域、空域和功率域随机生成含有射电天文信号和射频干扰的混合信号，并通过模拟不同接收天线阵列和采集系统响应，生成数据集，可作为测试数据通过网络传输至射电天文信号处理系统，也可生成深度学习所需带有标签的源数据为科学研究提供支撑。与现有技术相比，本发明通过仿真与实测信号利用相结合的方法，解决了射电望远镜后端处理系统所需测试数据的产生问题，模拟的信号与场景更加复杂且逼真。
-
公开(公告)号：CN119315235A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411846638.7
申请日：2024-12-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种多工器和探测器，多工器包括介质基板、连接结构和多个工作频率不同的带通滤波器。介质基板其一侧平面设有导电薄膜层，导电薄膜层包括信号线和位于信号线侧边的接地板。连接结构设于导电薄膜层，其包括主支和多个分支，主支分别与多个分支连接，主支作为多工器的输入端口。多个工作频率不同的带通滤波器均与信号线和接地板连接。每个带通滤波器包括第一端口和第二端口，第一端口分别与对应的分支连接，第二端口作为多工器的输出端口。可以使信号线和接地板、连接结构、带通滤波器位于介质基板的同一侧平面，降低金属损耗和辐射损耗，且利于和探测器其他部件之间的集成。
-
公开(公告)号：CN117684125A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311611199.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用，包括以下步骤：固定Si衬底温度为室温，溅射功率为100W～300W，沉积气压为1mTorr～5mTorr，反应气体N2和工作气体Ar的气体质量流量比为15％～35％，溅射时间为1200s～1500s，在Si衬底上沉积得到具有高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法制备出的NbN超导薄膜的超导转变温度能够达到14.07K，且沉积温度为室温，制备方法简单可靠，可重复性好，可工业批量化生产，同时为后续NbN超导材料的机制研究、超导动态电感探测器研制及其工程应用提供了有力的材料支撑。
-
公开(公告)号：CN117070892A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
-
公开(公告)号：CN116377407B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310369719.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.024 seconds)
