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公开(公告)号：CN113554955A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110821172.5
申请日：2021-07-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09F9/33 , G09G3/32 , H04B10/116
摘要： 本申请公开了一种显示面板及装置、通信控制方法、电子设备和存储介质。显示面板包括发光像素阵列、感光像素阵列、发光像素驱动阵列和感光像素驱动阵列。发光像素阵列包括多个发光元件；感光像素阵列包括多个感光元件。发光像素驱动阵列包括多个向对应的发光元件提供驱动信号的发光像素驱动电路，通过驱动信号控制发光元件发射光信号以传输数据信息；感光像素驱动阵列包括多个根据对应的感光元件采集的光信号生成电信号以接收数据信息的感光像素驱动电路。本申请的显示面板具有分布式多阵列光通信收发区域，可以根据通道的状态监控和信息传输需求选择最佳通道和通道数进行传输，拓展带宽，提高传输速率和信噪比，实现真正意义上的通信显示一体化。
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公开(公告)号：CN110137184B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910444498.3
申请日：2019-05-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；依次设置于衬底基板上的图案化的薄膜晶体管层、第一钝化层、量子点层、彩色滤光层、平坦层和金属线栅偏光层，其中，量子点层在衬底基板上的正投影位于彩色滤光层在衬底基板上的正投影内。该阵列基板将量子点层和金属线栅偏光层均设置于衬底基板上，且通过彩色滤光层阻挡了制作工艺中对量子点层产生的热影响，实现了通过波长转换的方式提高背光利用率，进而满足了显示需求。
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公开(公告)号：CN109300840B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811159425.1
申请日：2018-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对有源层材质层和层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。本申请解决了显示基板的制造过程复杂，制造成本较高的问题，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。本申请用于LTPO基板的制造。
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公开(公告)号：CN109087928B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810931892.5
申请日：2018-08-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种光电探测基板及其制造方法、光电探测装置。光电探测基板包括共面结构的薄膜晶体管和光电二极管，所述薄膜晶体管为垂直沟道结构。本发明通过将垂直沟道结构的薄膜晶体管和光电二极管构成共面结构，有效减小了光电探测基板的整体厚度，减少了由应力引起的基板形变，避免了基板形变带来的损伤，提高了产品良品率。同时，由于采用共面结构，因而薄膜晶体管和光电二极管可以同步制备，减少了构图工艺次数，简化了制备流程，降低了生产成本。此外，由于垂直沟道结构薄膜晶体管占用面积小，能够使得光电二极管的感光面积得以增加，因而可以提高探测效率，提高产品分辨率。
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公开(公告)号：CN109244174B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201811067343.4
申请日：2018-09-13
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/32 , G06K9/00
摘要： 本发明公开了光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板。光电传感器包括第一电极；第一类型半导体层，第一类型半导体层由P型材料和N型材料的一者形成，第一类型半导体层设置在第一电极上；本征半导体层，本征半导体层设置在第一类型半导体层远离第一电极的一侧；第二类型半导体层，第二类型半导体层由P型材料和N型材料的另一者形成，第二类型半导体层设置在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧，第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得第二类型半导体层形成减反射膜；第二电极，第二电极设置在第二类型半导体层远离本征半导体层的一侧，第二电极由透明导电材料形成。该光电传感器有较大的吸光量。
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公开(公告)号：CN110265484A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910563193.4
申请日：2019-06-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , H01L27/12 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决薄膜晶体管漏电流高的问题。薄膜晶体管，包括衬底，还包括：第一电极，设置在衬底上；有源层，包括层叠设置的第一掺杂层、半导体层以及第二掺杂层；第一掺杂层设置在第一电极远离衬底一侧，且与第一电极电连接；第一掺杂层和第二掺杂层互为电子掺杂层和空穴掺杂层；栅绝缘层，设置在有源层远离衬底一侧；栅绝缘层上设置有露出有源层的第一过孔；栅极设置在栅绝缘层远离衬底一侧；栅极与有源层并排设置，栅极朝向有源层的第一侧面所在平面为参考平面，半导体层在参考平面上的正投影位于栅极在参考平面上的正投影内；第二电极，设置在栅极远离衬底一侧，与有源层电连接。
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公开(公告)号：CN108447937A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810276151.8
申请日：2018-03-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0224 , H01L31/0352
摘要： 本发明实施例提供一种感光组件、指纹识别面板及装置，该感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及PIN光电二极管；其中，所述PIN光电二极管包括依次设置的P型半导体层、I型本征半导体层以及N型半导体层；薄膜晶体管包括漏极，漏极包括金属层以及位于该金属层背离所述衬底基板一侧、且与该金属层接触的上保护层；N型半导体层和P型半导体层中靠近衬底基板的一个为第一半导体层，漏极与第一半导体层电连接，且漏极中的上保护层与第一半导体层同层同材料。
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公开(公告)号：CN113591676B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110856808.X
申请日：2021-07-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G06V40/13
摘要： 本申请公开了一种有源像素传感器、显示面板、电子设备和驱动控制方法。有源像素传感器包括感光像素阵列和感光驱动电路阵列。感光像素阵列包括多个感光元件；感光驱动电路阵列包括多个感光驱动电路，多个感光驱动电路与多个感光元件对应，感光驱动电路根据感光元件采集的光信号生成电信号；有源像素传感器对多个感光驱动电路生成的电信号进行检测以感应手指触控；有源像素传感器逐行读取感光驱动电路生成的电信号生成指纹图像。本申请的有源像素传感器能够在不加入更多膜层、结构的同时，利用原本用于光学指纹采集的感光元件，复用感光驱动电路实现可见光通信及光学触控功能，达到替代电子设备的其他功能模块，简化电子设备内部结构的目的。
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公开(公告)号：CN113594189B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110866256.0
申请日：2021-07-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/0224
摘要： 本申请实施例提供了一种光电子集成基板及其制备方法、光电子设备。在本申请实施例提供的光电子集成基板中，光电二极管的第二电极在衬底的正投影区域，与第一电极在衬底的正投影区域不重叠。即在垂直于衬底的方向上，第一电极和第二电极不正对，从而能够延长载流子从第一电极到第二电极的传输距离，能够减小光电二极管中形成的结电容，能够提高光电二极管的响应频率。而且，由于第一电极和第二电极不正对，使得半导体层的厚度能够减小，从而能够降低光电二极管的厚度，从而能够在确保光电二极管对波长较短的信号光吸收的基础上，能够减少对环境中波长较长的光的吸收，从而增强光电二极管的光谱选择性，有利于降低误码率。
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公开(公告)号：CN117642874A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280001866.7
申请日：2022-06-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本公开提供的显示基板、显示面板及显示装置，包括衬底基板，衬底基板包括显示区，以及位于显示区至少一侧的边框区；第一晶体管，位于边框区，第一晶体管包括第一有源层；第二晶体管，位于显示区，第二晶体管包括位于第一有源层远离衬底基板一侧的第二有源层，第二有源层包括第一沟道区；遮光层，位于显示区，遮光层与第一有源层所包含的元素相同，遮光层的材料可吸收至少部分紫外光，并透过部分可见光；遮光层在衬底基板上的正投影覆盖第一沟道区在衬底基板上的正投影。
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