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公开(公告)号：CN113078192B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110309608.2
申请日：2021-03-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H01L29/786 , H10K71/00
摘要： 本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括设置在基底上的电路层和设置在所述电路层远离所述基底一侧的发光结构层和光电结构层，所述电路层包括至少一个杂质吸收层和至少一个晶体管，所述晶体管包括有源层，所述杂质吸收层与所述有源层之间设置有至少一个绝缘层；所述杂质吸收层中硅元素与氮元素的原子比为1:5至1:35。本公开通过设置杂质吸收层，有效避免了显示基板出现大量亮点，提高了良品率，提高了显示效果。
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公开(公告)号：CN118210175A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211627276.3
申请日：2022-12-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 本申请提供了一种阵列基板、扫描驱动方法、制备方法及显示装置。阵列基板包括显示区，显示区设置有多行多列的子像素阵列；子像素阵列中，第n行子像素与第一栅线连接，第n+1行子像素与第二栅线连接，第一栅线与第二栅线连接；子像素阵列的同一列中，第n行子像素和第n+1行子像素各与一条数据线连接。本申请的技术方案可实现双行扫描，减少数据扫描时间，增加液晶偏转时间，进而显示效果。
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公开(公告)号：CN113257837B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110511725.7
申请日：2021-05-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请涉及显示技术领域，具体而言，公开了一种柔性显示基板、显示装置及制备方法，该柔性显示基板包括依次设置的金属层、第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，金属层图形化形成金属引线，第一栅极绝缘层图形化形成第一栅极，第二栅极绝缘层图形化形成第二栅极，金属引线包括第一栅极覆盖的第一部分、第二栅极覆盖的第二部分以及第三部分，第三部分通过透明电极形成。本发明提供了一种通过将未被第一栅极和第二栅极覆盖的金属引线以及设计时未能被遮挡的金属引线通过透明电极来形成，由于透明电极的设置可以提高透光面积，进而增加像素的开口率。同时还不会影响金属层对基底电荷的屏蔽效果，保障器件特性。
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公开(公告)号：CN113345924B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110620847.X
申请日：2021-06-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，为了在简化显示面板制造工艺的同时，保证氧化物薄膜晶体管的性能。该显示面板，包括基底；位于基底一侧的像素电路结构层，像素电路结构层包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管包括第二有源层和与第二有源层电连接的至少一个刻蚀阻挡结构；第二有源层的材料包含氧化物，且第二有源层与第一有源层不同层设置。本发明提供的显示面板，通过在第二有源层的两端设置刻蚀阻挡结构，从而阻挡氟化氢对氧化物薄膜晶体管的有源层的刻蚀损伤，因此可以保证金属氧化物薄膜晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN117832287A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410009954.2
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H10K59/13 , H10K71/00
摘要： 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制备方法、显示装置，薄膜晶体管包括衬底，第一金属层位于衬底一侧，第一金属层包括栅极，第一绝缘层位于第一金属层背离衬底一侧，有源层位于第一绝缘层背离衬底一侧，有源层包括第一半导体子层和第二半导体子层，第二半导体子层位于第一半导体子层背离衬底一侧，第一半导体子层材料载流子迁移率大于第二半导体子层材料载流子迁移率，有源层包括沟道及位于沟道两侧的第一区域和第二区域，第二金属层位于有源层背离衬底一侧，第二金属层包括第一极和第二极，第一极和第二极分别与第一区域和第二区域耦接。本公开实施例可以有效避免对第一半导体子层的刻蚀损伤，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113795920B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202080000199.1
申请日：2020-02-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/12
摘要： 一种探测基板、其制作方法及平板探测器，包括：衬底基板(100)；晶体管(104)，位于衬底基板(100)之上；光电转换器件(105)，位于衬底基板(100)之上，光电转换器件(105)的底电极(1051)与晶体管(104)电连接；偏压线(103)，偏压线(103)位于光电转换器件(105)远离衬底基板(100)的一侧，且与光电转换器件(105)的顶电极(1052)电连接；绝缘保护层(106)，位于偏压线(103)和光电转换器件(105)远离衬底基板(100)的一侧，绝缘保护层(106)与光电转换器件(105)的顶电极(1052)直接接触。
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公开(公告)号：CN112543997B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201980001110.0
申请日：2019-07-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板的第一表面形成第一有源层，第二有源层；在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层；在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层；利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层；对露出的第一有源层进行清洗。
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公开(公告)号：CN117561475A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280000672.5
申请日：2022-03-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1368
摘要： 一种显示基板及其制作方法、显示面板显示基板包括：第一半导体层(25)，设置在衬底基板(21)上，第一薄膜晶体管(T1)的有源层位于第一半导体层(25)，且第一薄膜晶体管(T1)的有源层至少包括沟道区(GD)和漏极接触区；层间绝缘层(22)，设置在第一半导体层(25)背离衬底基板(21)的一侧；第一导电层，设置在层间绝缘层(22)背离第一半导体层(25)的一侧，像素电极(26)位于第一导电层，且在像素单元中像素电极(26)通过贯穿层间绝缘层(22)的过孔与第一薄膜晶体管(T1)有源层的漏极接触区直接电连接。
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公开(公告)号：CN116224666A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310288586.5
申请日：2023-03-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L29/423 , G02F1/136 , G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02B27/01
摘要： 本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。阵列基板包括依次层叠设置的基底、第一有源层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层和像素电极，第一有源层在基底上的正投影的至少部分位于子像素区域，第一有源层的材质包括氧化物，第一导电层包括栅线和第一栅电极，栅线的材质包括金属，第一栅电极与栅线连接，第一栅电极的材质包括透明导电材料，第一栅电极在基底上的正投影与第一有源层在基底上的正投影存在第一交叠区域，第一交叠区域位于子像素区域，像素电极与第一有源层连接。本公开的技术方案，有利于提升产品的开口率。
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