-
公开(公告)号：CN117637755A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210979830.8
申请日：2022-08-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一有源层的材质包括多晶硅半导体，第二薄膜晶体管的第二有源层的材质包括氧化物半导体，层间绝缘层位于第一有源层和第二有源层的背离衬底基板的一侧，源漏金属层位于层间绝缘层的背离衬底基板的一侧，层间绝缘层至少在所述源漏金属层图案位置包括依次叠层设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层和第四子绝缘层，第三子绝缘层的材质包括氧化硅，第四子绝缘层的材质包括氮化硅，第四子绝缘层靠近源漏金属层。
-
公开(公告)号：CN117406505A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311348393.0
申请日：2023-10-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： G02F1/1362
摘要： 本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：衬底；源漏金属层，设置于衬底的一侧；第一有源层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧，第一有源层包括沟道区域；耐刻蚀导电层，设置于源漏金属层的背离衬底的一侧且连接于沟道区域；钝化层，设置于第一有源层的背离衬底的一侧，钝化层设置有暴露源漏金属层和耐刻蚀导电层的过孔；第一透明电极层，设置于钝化层的背离衬底的一侧且通过过孔与源漏金属层和耐刻蚀导电层连接。本申请实施例的技术方案可以使第一透明电极层和耐刻蚀导电层之间的接触电阻较小，从而提升显示面板的显示效果。
-
公开(公告)号：CN117119849A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311277858.8
申请日：2023-09-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/131 , H10K59/121
摘要： 本申请提供了一种显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。在该显示面板中，由于第一晶体管的有源层的源漏极接触区的一端，搭接于转接金属层的远离基底层的一侧并接触；转接金属层的靠近基底层的一侧，通过过孔分别与目标导电层接触并导通。这样一来，仅需一个过孔就能实现第一晶体管的有源层的源漏极接触区与目标导电层接通且导电性良好，且保证了显示产品的高分辨率。
-
公开(公告)号：CN117098418A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311246978.1
申请日：2023-09-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/122 , H10K59/121 , H10K59/131 , H10K50/11 , H10K50/17 , H10K59/12 , H10K59/80
摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括衬底基板，以及位于衬底基板上的多个驱动电路以及多个发光单元。并且，显示面板还包括隔断结构，有机功能膜层中的电荷产生层可以被隔断结构隔断，且第二电极层不会被隔断结构隔断。由此可以不仅可以保证显示面板的显示功能，而且可以避免产生横向漏电流，保证显示效果。
-
公开(公告)号：CN114725015A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210303696.X
申请日：2022-03-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种显示基板及其制作方法及显示装置，显示基板的制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层、第二栅极、第一层间介质层和第三栅绝缘层；在第一有源层的上方形成过孔，其中过孔贯穿第三栅绝缘层且延伸至第一有源层；沉积金属氧化物层，其中金属氧化物层覆盖位于过孔位置的第一有源层；进行高温退火，改善第一有源层的亚阈值摆幅；对金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。本申请省去了刻蚀工艺制程，基本避免了因刻蚀所导致的低工艺稳定性及产品显示不良的问题。
-
公开(公告)号：CN109309122B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201811080383.2
申请日：2018-09-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/84 , H01L21/28 , H01L21/44
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板；在衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极。第二源极和第二漏极中的一个作为第一电极，第一电极与第一栅极同层设置，且材料均相同；第二源极和第二漏极中的另一个作为第二电极，第二电极与第一源极以及第一漏极同层设置，且材料均相同。该阵列基板中仅需要设置三层导电结构，相对于相关技术中的阵列基板需要至少四层导电结构，该阵列基板的制造工艺较为简单。
-
公开(公告)号：CN107179644B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710356912.6
申请日：2017-05-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置，用以解决现有的显示基板制作过程中，大面积的金属电极层很容易被氧化，影响其应有功能的问题。该显示基板，包括：依次设置在衬底基板上的金属电极层、绝缘层和保护电极层；绝缘层上与金属电极层对应的位置设置有开口；保护电极层通过绝缘层上的开口覆盖金属电极层。由于在金属电极层上方的绝缘层中设置有开口，并使保护电极层通过开口覆盖金属电极层的上表面，以保护金属电极层不被氧化，由于可以通过绝缘层上的开口减少金属电极层上表面被氧化的部分，因而在绝缘层进行后续退火工艺时，可以减少被氧化的电容层进一步向下表面延伸的程度。
-
公开(公告)号：CN109994047B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201910277126.6
申请日：2019-04-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了全面屏显示面板及其制作方法和全面屏显示装置。该全面屏显示面板包括显示背板、发光元件、封装层和偏光片，所述全面屏显示面板的显示区划分为第一显示区和第二显示区，全面屏显示面板的一侧设置有光学器件，其中，光学器件在显示区上的正投影位于第一显示区中，且第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。该全面屏显示面板的第一显示区的透光率高，在组装成显示装置以后，光学器件可透过屏幕进行采光，使光学器件的采光效果好，增强使用性能，第一显示区在实现显示画面的同时集成图像采集和成像的功能，在显示装置中无需设置刘海区域，实现真正的全面屏显示，用户体验好。
-
公开(公告)号：CN113241351A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110668421.1
申请日：2021-06-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本文公开一种阵列基板，包括：基底和设置在基底上的至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括：依次叠置在基底上的第一有源结构层、第一栅极结构层和第一源漏结构层；第二薄膜晶体管包括：依次叠置在第一栅极结构层上的第二有源结构层、第二栅极结构层和第二源漏结构层；第一栅极结构层包括：第一栅极；第二栅极结构层包括：叠置的第二栅极辅助电极和第二栅极；第二栅极设置在第二栅极辅助电极远离基底的一侧；第二栅极辅助电极是透明电极；第二栅极辅助电极在第一方向上的长度比第二栅极在第一方向的长度长。本文提供的阵列基板能够改善阵列基板的性能，提高像素开口率。
-
公开(公告)号：CN108493198B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810336384.2
申请日：2018-04-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 杨维
摘要： 一种阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成第一薄膜晶体管，其包括分两次构图工艺分别形成第一源极和第一漏极，与第一辅助源极和第一辅助漏极；在衬底基板上形成第二薄膜晶体管，其包括通过一次构图工艺形成第二源极和第二漏极，其中第一辅助源极、第一辅助漏极、第二源极以及第二漏极在同一次构图工艺中形成；第一源漏极和第一辅助源漏极在垂直于衬底基板方向上的长度之和大于第二源漏极在垂直于衬底基板方向上的长度。该阵列基板的制作方法可以有效解决采用低温多晶硅材料的薄膜晶体管与采用金属氧化物材料的薄膜晶体管的制作工艺兼容性问题以保证了工艺的稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
152 条记录 (耗时 0.05 秒)
