公开(公告)号：CN103500042A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310463669.X

申请日：2013-09-30

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周伯柱 ,  白明基 ,  段献学 ,  陈程 ,  杨成绍 ,  操彬彬

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G02B6/00 ,  G06F1/16 ,  G06F3/0386 ,  G06F3/0421 ,  G06F3/0428 ,  G06F2203/04109

摘要： 本发明公开一种光触控屏以及显示装置，涉及光电技术领域，为能够提高触控位置的定位精确度而发明。所述光触控屏，包括光触控面板，所述光触控面板内设有多条第一光传输通道和多条第二光传输通道，所述第一光传输通道和所述第二光传输通道相互正交；所述光触控面板的外部设有第一传感器和第二传感器，所述第一传感器设置在所述第一光传输通道的一端，用于接收由所述第一光传输通道发出的光；所述第二传感器设置在所述第二光传输通道的一端，用于接收由所述第二光传输通道发出的光。本发明主要用于远距离控制显示屏。

公开(公告)号：CN102956714A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210401619.4

申请日：2012-10-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 段献学 ,  白明基

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，能够简化制造工艺、降低成本，进一步地，提高阵列基板的产能、良品率及稳定性。氧化物薄膜晶体管包括设置于基板上的栅极、栅绝缘层、源极、漏极，源极和漏极之间形成有沟道，还包括：设置于沟道内的氧化物有源层，其中，氧化物有源层与源极、漏极接触。

公开(公告)号：CN102832254A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210333280.9

申请日：2012-09-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 周伯柱 ,  白明基 ,  操彬彬 ,  赵娜 ,  王文龙 ,  王一军

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L33/0041

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，属于液晶显示领域。所述阵列基板包括形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极包括至少两层导电层，所述像素电极与所述漏电极直接连接。所述阵列基板的制作方法包括在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层，对所述至少两层导电层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极。本发明的技术方案由于不需要在像素区域形成过孔，从而提高了阵列基板的开口率，进一步地，通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极，可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构，使源漏电极直接与电流通道相连，提高了TFT器件的导电性能。

公开(公告)号：CN107170761B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201710437796.0

申请日：2017-06-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 宫奎 ,  段献学 ,  白明基

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以使观看者能在各个视角都能观看到均匀的反射效果，提高显示效果。阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上依次制作薄膜晶体管和钝化层的方法，还包括：在钝化层上依次形成反射层和透明导电层；反射层通过贯穿钝化层的过孔与薄膜晶体管的源极或漏极电连接，透明导电层包括若干金属离子；对透明导电层进行还原处理，使得金属离子被还原出来，形成一金属颗粒层；对完成上述步骤的透明导电层和反射层进行构图工艺，形成像素电极。

公开(公告)号：CN104733384B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201510178332.3

申请日：2013-08-22

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 段献学 ,  白明基 ,  徐德智 ,  邹志翔

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。方法包括在基板上形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤，形成所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤包括：依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。本发明省去了刻蚀阻挡层图形单独形成的构图工艺，简化了工艺流程，节省了制作成本。本发明实施例用于制造显示装置。

公开(公告)号：CN103500042B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201310463669.X

申请日：2013-09-30

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周伯柱 ,  白明基 ,  段献学 ,  陈程 ,  杨成绍 ,  操彬彬

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G02B6/00 ,  G06F1/16 ,  G06F3/0386 ,  G06F3/0421 ,  G06F3/0428 ,  G06F2203/04109

摘要： 本发明公开一种光触控屏以及显示装置，涉及光电技术领域，为能够提高触控位置的定位精确度而发明。所述光触控屏，包括光触控面板，所述光触控面板内设有多条第一光传输通道和多条第二光传输通道，所述第一光传输通道和所述第二光传输通道相互正交；所述光触控面板的外部设有第一传感器和第二传感器，所述第一传感器设置在所述第一光传输通道的一端，用于接收由所述第一光传输通道发出的光；所述第二传感器设置在所述第二光传输通道的一端，用于接收由所述第二光传输通道发出的光。本发明主要用于远距离控制显示屏。

公开(公告)号：CN104733384A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510178332.3

申请日：2013-08-22

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 段献学 ,  白明基 ,  徐德智 ,  邹志翔

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。方法包括在基板上形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤，形成所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤包括：依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。本发明省去了刻蚀阻挡层图形单独形成的构图工艺，简化了工艺流程，节省了制作成本。本发明实施例用于制造显示装置。

公开(公告)号：CN103713471A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210378201.6

申请日：2012-10-08

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 黄寅虎 ,  刘同军 ,  白明基

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/44

摘要： 本发明公开了一种关键尺寸测试的校正装置和方法，可以在Mask上设置至少一组Mark，利用所述Mask进行刻蚀工艺后在基板上形成的图形获知DICD的实际值，据此校正CD测试结果。本发明装置和方法，简化了DICD测试值的校准工作，并能够保证校准精度。

公开(公告)号：CN103441100A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310370380.3

申请日：2013-08-22

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 段献学 ,  白明基 ,  徐德智 ,  邹志翔

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。方法包括在基板上形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤，形成所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤包括：依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。本发明省去了刻蚀阻挡层图形单独形成的构图工艺，简化了工艺流程，节省了制作成本。本发明实施例用于制造显示装置。

公开(公告)号：CN102998856A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210469712.9

申请日：2012-11-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 操彬彬 ,  白明基 ,  黄寅虎 ,  徐向阳

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/13439 ,  G02F1/136204 ,  G02F2001/133337 ,  G02F2001/134372

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本发明提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。