公开(公告)号：CN119998924A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380073349.5

申请日：2023-10-19

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  青木优太 ,  武内一真 ,  正木克明 ,  山下文雄

IPC: H01L21/205

Abstract: 具备：包含在第1方向上并排的第1籽晶区域以及生长抑制区域的模板基板；和位于所述模板基板的上方的第1半导体部，所述第1半导体部具有：位于所述第1籽晶区域上的第1基部；和与所述第1基部连接且隔着第1空隙与所述生长抑制区域面对面的第1翼部，所述第1翼部包含：位于所述生长抑制区域的上方的翼端，所述第1空隙的所述第1方向的宽度相对于所述翼端下的厚度的比为5.0以上。

公开(公告)号：CN116783335A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180087640.9

申请日：2021-12-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  正木克明 ,  小林敏洋 ,  林雄一郎

IPC: C30B25/04

Abstract: 具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。

公开(公告)号：CN117859210A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057881.3

申请日：2022-08-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  谷口祐基 ,  林雄一郎 ,  三岛孝介

IPC: H01L33/32 ,  C23C16/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01S5/343

Abstract: 进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部(S1)的半导体基板(11)；通过在第1半导体部(S1)形成多个沟槽(TR)，来将第1半导体部(S1)分割成多个基底半导体部(8)；和在多个基底半导体部(8)的至少1个的上方形成化合物半导体部(9)。

公开(公告)号：CN117769613A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280050905.2

申请日：2022-07-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 神川刚 ,  青木优太 ,  小林敏洋

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B25/18

Abstract: 模板基板具备：主基板，其包含硅，具有边缘；掩模，其位于比主基板更上方，具有开口部；晶种部，其在比主基板更上方位于开口部；和保护部，其在侧视观察下与边缘重叠，包含与镓不同的材料。