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公开(公告)号：CN118732395A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410367375.5
申请日：2024-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供能够改善图案形成时的分辨性，且得到LER及图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)光酸产生剂，由下式(A)表示的鎓盐构成；及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118666653A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293726.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C43/15 , C08F8/00 , G03F7/039 , C08F12/24 , C07C43/162 , C07C43/166 , C07C43/176 , C07C43/168 , C07C43/225 , C07C205/34 , C07D493/08 , C07C43/188 , C07C43/172 , C07C43/17 , G03F7/32 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明课题：提供具有极高孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，抑制显影负载及残渣缺陷的影响，同时蚀刻耐性、图案崩塌受抑制的化学增幅正型抗蚀剂组成物；用以制造用于该抗蚀剂组成物中的基础聚合物的缩醛修饰剂；经该缩醛修饰剂修饰的聚合物；及抗蚀剂图案形成方法。本发明解决手段：提供具有会成为脂肪族性或芳香族性羟基保护基的三键的基团的缩醛修饰剂；含有在侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基保护而成的结构的重复单元A1，且会因酸的作用而脱保护并成为碱可溶性聚合物；及包含该聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118388443A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410103957.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D327/08 , C07C309/43 , C07D333/76 , C07C381/12 , C07C25/18 , G03F7/00 , G03F7/039 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可产生具有适当的酸强度且扩散小的酸的鎓盐、含有其的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种鎓盐，以下式(A)表示。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119472171A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411069502.X
申请日：2024-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可以形成能够形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、对显影液的残渣缺陷的影响受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂，(A)基础聚合物，包含含有特定的含酚性羟基的单元、特定的含芳香环的单元及特定的经酸不稳定基团保护的含酚性羟基的单元的聚合物，(A)基础聚合物中包含的重复单元，全部为具有芳香环的重复单元，构成(A)基础聚合物的重复单元中包含的卤素原子的数量，为3以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165731A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410781639.1
申请日：2024-06-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供：可形成能形成具有极高的分辨性、LER小、矩形性优异、显影负载的影响及显影残渣缺陷经抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)以下式(A)表示，且会因为高能射线的作用而产生酸的光酸产生剂；及(B)包含会因为酸的作用致使对于碱水溶液的溶解性增大且含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119080619A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410714566.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C69/533 , C08F212/14 , C08F220/20 , C08F232/08 , G03F7/004 , G03F7/038 , C07D493/08 , C07C69/757 , C07D307/00 , C07C233/09
Abstract: 本发明涉及单体、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供一种可获得改善图案形成时的分辨度，且LER及分辨度、图案忠实性、剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物，以及提供一种抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种下式(A1)表示的单体、含有来自该单体的重复单元的聚合物、及含有包含该聚合物的基础聚合物的化学增幅负型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118938597A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410560301.3
申请日：2024-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供：可改善图案形成时的矩形性，且可获得LER、分辨性、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂；及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元，且会因为酸的作用而分解，在碱显影液中的溶解度会增大的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117736362A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311228979.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物、抗蚀剂图案形成方法、及空白掩膜。本发明提供能形成可形成有极高的孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，显影负载及残渣缺陷的影响受抑制且蚀刻耐性优良、制成的抗蚀剂图案的图案崩塌受抑制的图案的抗蚀剂膜的聚合物、使用了此聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物、使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法、及使用前述化学增幅正型抗蚀剂组成物的空白掩膜。一种聚合物，其特征为：含有键结于主链的芳香族性羟基的结构单元中的前述芳香族性羟基被下式(ALU‑1)表示的酸不稳定基团保护，因酸作用而脱保护并成为碱可溶性。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117590697A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310985044.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，能形成可形成极高孤立间距分辨性且LER小、矩形性优异、显影负载及残渣缺陷的影响受抑制的图案的抗蚀剂膜，并提供抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，是包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂的电子束光刻用化学增幅正型抗蚀剂组成物，(A)基础聚合物包含含有预定的含苯酚性羟基的单元、预定的含芳香环的单元及预定的含苯酚性羟基的单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的重复单元皆为具有芳香环骨架的重复单元，(B)酸产生剂相对于(C)淬灭剂的含有比率((B)/(C))按质量比计未达3。
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