一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置

    公开(公告)号:CN109860283A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910040864.9

    申请日:2019-01-16

    IPC分类号: H01L29/739 H01L21/331

    摘要: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置,在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层,并对所述场终止层进行激光退火处理;在所述场终止层的底部形成P+集电极层,并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理;在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层,不需要光刻程序,仅需要一次注入即可形成,简化了制作过程,大大提高了制作效率,降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火,能够降低终端区P+注入效率,减小过渡区电场积累,提高IGBT可靠性。

    一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置

    公开(公告)号:CN109860283B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN201910040864.9

    申请日:2019-01-16

    IPC分类号: H01L29/739 H01L21/331

    摘要: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置,在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层,并对所述场终止层进行激光退火处理;在所述场终止层的底部形成P+集电极层,并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理;在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层,不需要光刻程序,仅需要一次注入即可形成,简化了制作过程,大大提高了制作效率,降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火,能够降低终端区P+注入效率,减小过渡区电场积累,提高IGBT可靠性。