公开(公告)号：CN111312586A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010106956.5

申请日：2020-02-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  王耀华 ,  金锐 ,  姜春艳 ,  杨霏 ,  赛朝阳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法。本发明包括初步确定仿真值、根据仿真值进行离子注入、对仿真值进行校准；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的p型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。

公开(公告)号：CN110581181A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910908017.X

申请日：2019-09-24

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 姜春艳 ,  吴昊 ,  田亮 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。

公开(公告)号：CN111368464B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN113675256A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010409949.2

申请日：2020-05-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  电子科技大学

发明人： 金锐 ,  刘江 ,  吴军民 ,  高明超 ,  张金平 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种高压功率半导体器件复合终端，包括：元胞结构和位于所述元胞结构边缘的终端结构，所述终端结构包括多个沟槽结构和多个半导体层(9)，所述沟槽结构底部具有场限环结构，所述多个半导体层(9)相间设置于所述沟槽结构间，所述元胞结构包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于所述多个沟槽结构的一侧，所述沟槽栅结构与所述沟槽结构通过同步工艺制作，本发明有效解决了传统浮空场限环终端结构长时间的热推结过程造成的芯片翘曲，从而使得芯片制造简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN112002648A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010672215.3

申请日：2020-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 桑玲 ,  田亮 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  朱涛 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件，方法包括在半导体层(1)的正面形成场限环终端(4)；采用热氧化工艺在场限环终端(4)的正面以预设的生长温度形成热氧化层(5)；在热氧化层(5)的正面形成氧化层(6)，通过设置热氧化层(5)大大降低了氧化层(6)产生孔洞的可能性，碳化硅功率器件在承受反向高电压时不易击穿，提高了碳化硅功率器件的良率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN111524796A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010238731.5

申请日：2020-03-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 张红丹 ,  焦倩倩 ,  刘瑞 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  汤广福

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。

公开(公告)号：CN111505018A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010322087.X

申请日：2020-04-22

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 汤广福 ,  潘艳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  吴昊 ,  李嘉琳 ,  张红丹 ,  李玲 ,  阎海亮

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。

公开(公告)号：CN111368464A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN110246814A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910467609.2

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  林仲康 ,  王亮 ,  赛朝阳 ,  董建军 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。

公开(公告)号：CN110211885A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910467610.5

申请日：2019-05-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 武伟 ,  石浩 ,  赛朝阳 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。