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公开(公告)号：CN113675257A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010410064.4
申请日：2020-05-15
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种高压功率半导体器件结终端结构，包括：元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽，所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中，本发明有效解决了传统结终端扩展终端结构的工艺容差小，工艺复杂，终端耐压小，可靠性低的问题。
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公开(公告)号：CN111368464B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010340549.0
申请日：2020-04-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F115/12
摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号：CN113675256A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010409949.2
申请日：2020-05-15
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种高压功率半导体器件复合终端，包括：元胞结构和位于所述元胞结构边缘的终端结构，所述终端结构包括多个沟槽结构和多个半导体层(9)，所述沟槽结构底部具有场限环结构，所述多个半导体层(9)相间设置于所述沟槽结构间，所述元胞结构包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于所述多个沟槽结构的一侧，所述沟槽栅结构与所述沟槽结构通过同步工艺制作，本发明有效解决了传统浮空场限环终端结构长时间的热推结过程造成的芯片翘曲，从而使得芯片制造简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN111505018A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322087.X
申请日：2020-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。
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公开(公告)号：CN111368464A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010340549.0
申请日：2020-04-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F115/12
摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号：CN111458623B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010307229.5
申请日：2020-04-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种半导体芯片的测试装置，包括：箱体，所述箱体包括由导电材料制成的上底板、下底板，以及由绝缘材料制成的多个侧板；其中，所述上底板用于连接低压电源，所述下底板用于连接高压电源；芯片定位块，由导电材料制成，与所述下底板相接触，所述芯片定位块内设置有容置待测芯片的芯片凹槽；低压铜柱，贯穿所述上底板，通过相对于所述上底板的上下运动对位于所述芯片定位块内的待测芯片施加压力；其中所述低压铜柱的下底面尺寸与所述待测芯片的低压电极尺寸相匹配；流体出入口，位于其中两个相对的侧板上，用于供加热的绝缘流体介质流入或流出所述箱体。
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公开(公告)号：CN111458623A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010307229.5
申请日：2020-04-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种半导体芯片的测试装置，包括：箱体，所述箱体包括由导电材料制成的上底板、下底板，以及由绝缘材料制成的多个侧板；其中，所述上底板用于连接低压电源，所述下底板用于连接高压电源；芯片定位块，由导电材料制成，与所述下底板相接触，所述芯片定位块内设置有容置待测芯片的芯片凹槽；低压铜柱，贯穿所述上底板，通过相对于所述上底板的上下运动对位于所述芯片定位块内的待测芯片施加压力；其中所述低压铜柱的下底面尺寸与所述待测芯片的低压电极尺寸相匹配；流体出入口，位于其中两个相对的侧板上，用于供加热的绝缘流体介质流入或流出所述箱体。
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公开(公告)号：CN111682062A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010594130.8
申请日：2020-06-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种IGBT器件的背面结构及其制备方法、IGBT器件，通过将缓冲层中与IGBT器件的有源区对应的区域设置为第一激活效率缓冲区，与IGBT器件的终端区对应的区域设置为第二激活效率缓冲区，且第二激活效率缓冲区的激活率大于第一激活效率缓冲区的激活效率，从而降低了终端区的空穴注入效率；IGBT器件芯片过流关断时，终端区注入的空穴在IGBT关断时都要通过主结进行收集，从而降低了有源区边缘主结处的电流集中现象，提高了器件的过流关断性能。
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公开(公告)号：CN109216472A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810990583.5
申请日：2018-08-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。
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公开(公告)号：CN113725293A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110792613.3
申请日：2021-07-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件，终端具有第一导电类型的第一半导体层；具有第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于第一半导体层下表面，且第二半导体层掺杂浓度高于第一半导体层；具有第二导电类型的第三半导体层，所述第三半导体层位于第二半导体层下方；具有第一导电类型的至少一个半导体区域，所述半导体区域掺杂浓度高于第二半导体层。本发明中的半导体区域可减少终端区从第二电极向第一电极的载流子注入，而不影响有源区从第二电极向第一电极的载流子注入。
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