公开(公告)号：CN112582460A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910937911.X

申请日：2019-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  桑玲 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件，其特征在于，所述单元包括：具有两种掺杂特性半导体材料层堆叠而成的层叠层、栅控制结构和绝缘钝化层(31)；所述层叠层为凸台结构，上底面小于下底面，所述凸台侧面具有正斜角或直角结构；所述绝缘钝化层(31)设置于所述层叠层的侧面，且配合所述正斜角或直角结构与所述层叠层构成立方体结构；所述栅控制结构设置在所述绝缘钝化层(31)和所述层叠层之间。本发明可以实现受力面平整、受力均匀、绝缘栅受力小，可实现大面积互联。

公开(公告)号：CN111312586A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010106956.5

申请日：2020-02-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  王耀华 ,  金锐 ,  姜春艳 ,  杨霏 ,  赛朝阳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法。本发明包括初步确定仿真值、根据仿真值进行离子注入、对仿真值进行校准；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的p型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。

公开(公告)号：CN111293040A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010104556.0

申请日：2020-02-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  吴鹏飞 ,  赛朝阳 ,  王耀华 ,  金锐 ,  查祎英 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  姜春艳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法。本发明包括：根据目标值采用TRIM仿真继而确定n型掺杂离子的注入能量和剂量的仿真值；根据仿真值对碳化硅外延层进行离子注入；对注入后的碳化硅外延层进行SIMS检测获得实际注入值，比较实际注入值与目标值之间的偏差；根据偏差对仿真值进行校准，根据校准后的仿真值再次进行离子注入；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的n型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。

公开(公告)号：CN111368464B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN113725293A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110792613.3

申请日：2021-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 高明超 ,  金锐 ,  王耀华

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件，终端具有第一导电类型的第一半导体层；具有第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于第一半导体层下表面，且第二半导体层掺杂浓度高于第一半导体层；具有第二导电类型的第三半导体层，所述第三半导体层位于第二半导体层下方；具有第一导电类型的至少一个半导体区域，所述半导体区域掺杂浓度高于第二半导体层。本发明中的半导体区域可减少终端区从第二电极向第一电极的载流子注入，而不影响有源区从第二电极向第一电极的载流子注入。

公开(公告)号：CN113675256A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010409949.2

申请日：2020-05-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  电子科技大学

发明人： 金锐 ,  刘江 ,  吴军民 ,  高明超 ,  张金平 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种高压功率半导体器件复合终端，包括：元胞结构和位于所述元胞结构边缘的终端结构，所述终端结构包括多个沟槽结构和多个半导体层(9)，所述沟槽结构底部具有场限环结构，所述多个半导体层(9)相间设置于所述沟槽结构间，所述元胞结构包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于所述多个沟槽结构的一侧，所述沟槽栅结构与所述沟槽结构通过同步工艺制作，本发明有效解决了传统浮空场限环终端结构长时间的热推结过程造成的芯片翘曲，从而使得芯片制造简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN111524796A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010238731.5

申请日：2020-03-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 张红丹 ,  焦倩倩 ,  刘瑞 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  汤广福

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。

公开(公告)号：CN111505018A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010322087.X

申请日：2020-04-22

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 汤广福 ,  潘艳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  吴昊 ,  李嘉琳 ,  张红丹 ,  李玲 ,  阎海亮

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。

公开(公告)号：CN111368464A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010340549.0

申请日：2020-04-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 林仲康 ,  潘艳 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  李现兵 ,  王亮

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F115/12

摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

公开(公告)号：CN113675257A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010410064.4

申请日：2020-05-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  电子科技大学

发明人： 金锐 ,  刘江 ,  吴军民 ,  高明超 ,  张金平 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种高压功率半导体器件结终端结构，包括：元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽，所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中，本发明有效解决了传统结终端扩展终端结构的工艺容差小，工艺复杂，终端耐压小，可靠性低的问题。