-
公开(公告)号:CN103268891B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201310105564.7
申请日:2013-03-28
申请人: 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L27/146 , H01L21/34
CPC分类号: H01L29/78618 , H01L27/1225 , H01L27/14623 , H01L27/14663 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要: 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法,涉及液晶显示技术,薄膜晶体管的源漏极的材料是非晶金属氧化物有源层的材料通过沉积含氢离子量不小于设定值的绝缘性物质转化成的导体,从而使源漏极与有源层之间的价带能级的差距缩小,且晶格匹配性较好,形成的异质结或同质结对驱动电流信号的影响较小,减少了电子流动的障碍,改善了界面的接触性,从而减小了源漏极与有源层之间的价带能级的差距对薄膜晶体管电学特性的影响。
-
公开(公告)号:CN103472612B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201310418945.0
申请日:2013-09-13
申请人: 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G03F7/20
摘要: 本发明实施例公开了一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置,涉及液晶显示领域,节省了阻挡层结构的设置,提高了液晶显示装置的光学利用率。本发明实施例提供的一种阵列基板制备方法,包括:形成栅极金属层,通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形;形成栅极绝缘层;形成有源层以及半导体层,通过构图工艺形成包括硅岛的图形;形成源漏金属层,通过构图工艺形成包括数据线的图形;形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层,通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层;通过刻蚀工艺刻蚀掉沟道开口位置处的源漏金属层以及半导体层,形成包括源极、漏极以及沟道的图形。
-
公开(公告)号:CN103383945B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201310277079.8
申请日:2013-07-03
申请人: 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号: H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78669
摘要: 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法,所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元,所述薄膜晶体管单元包括:位于衬底基板之上的第一栅极,位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层之上且与所述第一栅极位置相对的有源层,位于所述有源层之上的源极和漏极,所述源极和漏极之间设置有间隙,以及位于所述源极和漏极之上的感光树脂钝化层。对比于现有技术,本发明的阵列基板在制造过程中,省去了沟道保护层工序,大大简化了生产工艺,有效地降低了生产成本,同时提高了产品的良品率。
-
公开(公告)号:CN104617110A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201510053759.0
申请日:2015-02-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , G02F1/1362
摘要: 本发明涉及显示技术领域,公开了一种基板及其制作方法、显示装置。所述基板上的两个导电层通过位于两者之间的第一绝缘层中的第一过孔电性连接,其中,位于上方的导电层包括对应非过孔制作区的待连接结构和位于第一绝缘层过孔底部的第一连接结构,然后形成填充所述第一绝缘层过孔的第二绝缘层,并在第二绝缘层中形成第二过孔,露出所述第一连接结构,最后形成第二连接结构,其一端与所述待连接结构电性连接,另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置,用于电性连接两个导电层,保证了电性连接的可靠性,提高了产品良率。
-
公开(公告)号:CN103913888A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201410124402.2
申请日:2014-03-28
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/167 , G09F9/00
CPC分类号: G02B5/201 , G02B26/026
摘要: 本发明属于显示领域,公开了一种彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制造方法,所述彩膜基板包括:透明基板;光电转换模块,设置于所述透明基板上,用于将从所述透明基板入射的光线转换为电能。所述显示装置包括所述彩膜基板。本发明在透明基板上设有光电转换模块,可以将从透明基板入射的光线转换为电能,从而可以将射入显示面板的太阳光转化为电能,由于太阳能比较充足,可以满足显示面板的需要,可以延长显示面板的使用时间。
-
公开(公告)号:CN103367165A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310272556.1
申请日:2013-07-01
申请人: 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06
CPC分类号: H01L29/78633 , H01L27/1262 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器,用以避免半导体有源层受到光照影响而导致薄膜晶体管产生漏电流的问题。所述薄膜晶体管包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极,该薄膜晶体管还包括:位于源极与漏极之间的遮光板,所述遮光板将源极与漏极阻断,并且该遮光板位于半导体有源层的入射光侧,用于阻挡入射光对半导体有源层的照射。
-
公开(公告)号:CN102629572A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201110189576.3
申请日:2011-07-07
申请人: 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要: 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法,用以提高TFT-LCD的阵列基板的性能。该方法包括:在基板的第一面上形成栅线、数据线、薄膜晶体管TFT、像素电极以及第一公共电极;在形成了第一公共电极的基板的第一面上涂覆负性光刻胶;从与所述第一面相对的第二面曝光所述负性光刻胶并进行显影;并在显影后的基板的第一面上沉积导电透明薄膜;剥离曝光后的负性光刻胶,在与所述栅线垂直相对的第一公共电极上以及与所述数据线垂直相对的第一公共电极上形成第二公共电极。
-
公开(公告)号:CN104330889B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201410446760.5
申请日:2014-09-03
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要: 本发明提供了一种电润湿显示面板及其制作方法、显示装置,属于显示领域。其中,该电润湿显示面板,包括第一衬底基板、与所述第一衬底基板相对设置的第二衬底基板、设置在所述第一衬底基板上的多个像素单元,所述第一衬底基板上设置有与所述多个像素单元一一对应的多个薄膜晶体管开关,所述第一衬底基板上设置有反射层,至少部分所述反射层能够遮挡所述薄膜晶体管开关。本发明的技术方案能够提高显示面板的显示亮度,降低显示面板的功耗。
-
公开(公告)号:CN103913888B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201410124402.2
申请日:2014-03-28
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/167 , G09F9/00
CPC分类号: G02B5/201 , G02B26/026
摘要: 本发明属于显示领域,公开了一种彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制造方法,所述彩膜基板包括:透明基板;光电转换模块,设置于所述透明基板上,用于将从所述透明基板入射的光线转换为电能。所述显示装置包括所述彩膜基板。本发明在透明基板上设有光电转换模块,可以将从透明基板入射的光线转换为电能,从而可以将射入显示面板的太阳光转化为电能,由于太阳能比较充足,可以满足显示面板的需要,可以延长显示面板的使用时间。
-
公开(公告)号:CN104576526A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201310710867.1
申请日:2013-12-19
申请人: 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号: H01L27/1288
摘要: 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置,其制备方法包括:在基板上依次形成栅极和栅线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、数据线、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、公共电极,其中源极、漏极、数据线与第一钝化层过孔在同一次构图工艺中形成。本发明的制备工艺中省去了保护层的制作,优化了制备工艺,缩短了生产周期,避免了倒角不良的缺陷,提升了第一钝化层的透过率,改善了画质亮度,进一步降低了显示装置的使用功耗,同时也减少了成本,提升了量产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-