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公开(公告)号：CN110760307A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911087927.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种稀土掺杂石榴石结构闪烁体，该闪烁体的化学组成通式为REr(AaBb)3-r(CcDd)5O12，其中，通式中0.0001
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公开(公告)号：CN218037369U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202221509995.0
申请日：2022-06-16
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本申请公开了一种闪烁晶体阵列、探测器及医疗影像设备，涉及辐射探测技术领域，解决现有技术中闪烁晶体阵列使用ESR反射层导致PET图像畸变的问题。该闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体单元，相邻两个所述闪烁晶体单元之间设有间隙，所述闪烁晶体阵列的部分间隙内设有第一反射层，部分间隙内设有第二反射层；其中，所述第一反射层为由薄膜状材料制成的反射层，所述第二反射层为由无确定形状的材料制成的反射层。本申请通过在闪烁晶体单元之间的间隙中混合填充两种反射层，能够在发挥薄膜类材料高反射效果的同时，有效避免闪烁晶体阵列漏光或串光的问题，提高光收集效率，防止PET图像畸变，改善探测器性能和PET成像质量。
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公开(公告)号：CN222771008U
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202421537644.X
申请日：2024-07-01
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种碲化镉系列半导体晶体的退火装置及碲化镉系列半导体晶体。退火装置包括：坩埚，具有第一区和第二区，第一区用于容纳含镉的氯化物和/或含铟的氯化物，第二区用于容纳碲化镉系列半导体晶体；加热炉，包括用于容纳坩埚的炉体和加热装置，其中，加热装置用于对坩埚进行加热，从而使得含镉的氯化物和/或含铟的氯化物熔融为熔融状态的退火剂；位置调节装置，与加热炉连接，用于调节容纳于炉体内的坩埚的位置，以将碲化镉系列半导体晶体浸泡在熔融状态的退火剂中，从而利用熔融状态的退火剂对碲化镉系列半导体晶体进行退火。该退火装置可制得性能非常好的晶体。
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公开(公告)号：CN216738630U
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202123056897.4
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶体生长设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现缺陷的问题。该晶体生长设备包括：生长炉，生长炉内具有生长炉腔；坩埚，设置于生长炉腔内，坩埚内可盛放晶体原料；感应线圈，设置于生长炉腔内，且围绕在坩埚外部；感应线圈驱动机构，与感应线圈连接，可在晶体生长的过程中，驱动感应线圈相对坩埚按照不同的速度向下移动。本申请方案能平稳调整坩埚与感应线圈的相对位置，以调整坩埚内液面上方的温度变化，使晶体生长界面的温度梯度与初始状态保持一致，为晶体生长提供持续稳定的温场环境，避免晶体生长产生缺陷，极大提高了毛坯良品率和材料利用率，降低了成本。
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