一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法

    公开(公告)号:CN112904550A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110132723.7

    申请日:2021-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于多层硅基光栅的太赫兹波幅度调制器及制备方法,属于信息技术中的人工电磁材料领域。包括:第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、线圈、磁体和MEMS弹簧;所述第一亚波长光栅和第二亚波长光栅位于上下两层且相互平行,键合构成双层光栅;所述线圈置于第二亚波长光栅上,所述MEMS弹簧与第二亚波长光栅相连;所述线圈通电时,在所述磁体的作用下带动第二亚波长光栅相对于第一亚波长光栅发生位移,位移方向与所述双层光栅平行。本发明仅基于多层硅基光栅,无其他复杂结构,具有易于设计、低成本、操作简单等特点,而且普适性强,无频率依赖性,具有很好的可扩展性,能够被推广至太赫兹以外的其他电磁波频段。

    一种磁反馈闭环加速度传感器及其温度补偿方法

    公开(公告)号:CN111505338A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010369114.9

    申请日:2020-05-03

    Abstract: 本发明公开了一种磁反馈闭环加速度传感器及其温度补偿方法;方法包括:获得磁反馈闭环加速度传感器中磁路的磁感应强度的温度系数;根据温度系数筛选出满足条件的热敏电阻;将热敏电阻与磁反馈执行机构中的压流转换电阻串联,实现磁反馈闭环加速度传感器的磁路的温度系数的补偿。本发明只需检测磁路的磁感应强度的温度系数,省去了复杂耗时的标度因子标定的相关工作,操作简单,省时省力;利用热敏电阻自身温度系数来抵消磁路的温度系数,从而减小磁反馈加速度传感器的标度因子的温度系数方法,可以避免传感器安装所带来的误差以及测试设备自身热胀冷缩所带来的误差所带来的影响,提高了测量精度。

    一种变面积式位移电容的检测装置

    公开(公告)号:CN109341744B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201811471282.8

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明提供了一种变面积式位移电容检测装置,包括:变面积式位移电容检测结构、驱动电压模块和电荷放大器;变面积式位移电容检测结构包括:检测电容和移动块;驱动电压模块产生用于位移电容检测的正负驱动载波且分别加载在所述检测电容上;电荷放大器包括:反馈电容、反馈电阻和运算放大器,电荷放大器用于将微小位移引起的差分电容变化与反馈电容作比并转化为电压信号;当对外界位移进行检测时,检测方向上的位移使检测电容的正对面积发生改变,从而使检测电容的大小发生变化,通过对由于面积变化产生的电容变化进行检测,实现位移检测的目的;消除了动定极板间距变化对差分电容的影响,提高了位移电容检测精度。

    一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法

    公开(公告)号:CN108151735B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201711295820.8

    申请日:2017-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法,主要包括以下步骤:(1)处理SOI片:在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点,采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层,完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工;在支撑层上制作掩膜,采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层;通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层,使可活动的部件被释放;(2)制作盖板;(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装,形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取,以及对电容位移检测方式进行改进,与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。

    一种变面积式位移电容的检测装置

    公开(公告)号:CN109341744A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811471282.8

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明提供了一种变面积式位移电容检测装置,包括:变面积式位移电容检测结构、驱动电压模块和电荷放大器;变面积式位移电容检测结构包括:检测电容和移动块;驱动电压模块产生用于位移电容检测的正负驱动载波且分别加载在所述检测电容上;电荷放大器包括:反馈电容、反馈电阻和运算放大器,电荷放大器用于将微小位移引起的差分电容变化与反馈电容作比并转化为电压信号;当对外界位移进行检测时,检测方向上的位移使检测电容的正对面积发生改变,从而使检测电容的大小发生变化,通过对由于面积变化产生的电容变化进行检测,实现位移检测的目的;消除了动定极板间距变化对差分电容的影响,提高了位移电容检测精度。

    一种消除介质层针孔缺陷影响的方法

    公开(公告)号:CN108039338A

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201711193289.3

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明属于微纳加工制造领域,更具体地,涉及一种消除介质层针孔缺陷影响的方法。本发明介质层位于第一金属层与第二金属层之间,其为第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层,通过在沉积第二金属层之前,将第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀,刻蚀液通过介质层中的针孔缺陷进入第一金属层表面,发生第一金属层的各向同性刻蚀,使得第一金属层形成无金属区域,无金属区域的横向尺寸大于针孔缺陷的横向尺寸,纵向尺寸等于第一金属层的厚度,这样再沉积上层金属即第二金属层时就不会在两金属层之间形成导通,由此解决现有技术的介质层薄膜IMD中普遍存在的针孔缺陷带来的金属层间短路引起的良品率下降的技术问题。

    一种深硅刻蚀方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103950887B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410140457.2

    申请日:2014-04-09

    Abstract: 本发明公开了一种深硅刻蚀方法,包括如下步骤:(1)在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜;(2)对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀,包括多个刻蚀阶段,每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内,通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成,随着刻蚀深度的增加,各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题,在提高刻蚀效率的同时,提高了对光刻胶的选择比,刻蚀槽侧壁垂直度高,粗糙度小,刻蚀深度大。

    基于双路错位阵列电容位移传感的MEMS重力仪探头及重力仪

    公开(公告)号:CN115016019B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202210623975.4

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于双路错位阵列电容位移传感的闭环MEMS重力仪探头及重力仪,属于仪器仪表领域。探头包括:电容位移传感模块、电容检测电路模块、PID控制模块及反馈执行机模块,且这几个模块构成磁闭环回路。电容位移传感模块包括两路并行且错位m/4个极板周期的动极板阵列,其中,m为正整数,当其中一路动极板阵列与定极板阵列构成的位移传感器处于非敏感区间时,另一路动极板阵列与定极板阵列构成的位移传感器正好处于敏感区间并用于检测振子位移。本发明的探头可有效避免现有单路阵列极板输出由于质量块下垂量不可控导致的位移检测失效的问题,提升了检测灵敏度,且采用闭环工作模式,提高探头响应时间,具有更强的抗干扰能力。

    一种无人机载流动重力测量系统及方法

    公开(公告)号:CN115421207A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202210922567.9

    申请日:2022-08-02

    Abstract: 本发明公开了一种无人机载流动重力测量系统及方法,重力测量系统包括:重力仪运载模块、MEMS重力仪和自动调平装置;重力仪运载模块用于根据预先设定好的飞行路线将所述MEMS重力仪运送至指定测量点;MEMS重力仪用于对所述指定测量点的重力进行测量;自动调平装置用于对所述MEMS重力仪进行调平从而确保所述MEMS重力仪在测量过程中始终处于水平位置。本发明中利用无人机代替车辆或人工运载MEMS重力仪,可远程操纵或依据设定测量点位置自动实现不同测量点的重力测量,节省了人力成本,提高测量效率和测量精度,尤其在交通条件差、自然环境恶劣的区域测量优势更加显著。

    一种基于变面积梳齿电容的MEMS相对重力仪探头及重力仪

    公开(公告)号:CN115061213A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210603702.3

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于变面积梳齿电容的MEMS相对重力仪探头及重力仪,属于仪器仪表领域。探头包括:弹簧结构、检验质量、动梳齿、定梳齿及外框,所述弹簧结构固定端设置在外框上,自由端与检验质量相连,所述动梳齿设置在检验质量的上下表面,所述定梳齿相应的设置在外框上,所述动梳齿和定梳齿均为异形梳齿结构,所述异形梳齿结构包括底部梳齿和顶部梳齿,且所述底部梳齿的宽度小于顶部梳齿的宽度;所述动梳齿的底部梳齿固定在所述检验质量上,所述定梳齿的底部梳齿固定在所述外框上,工作时,所述动梳齿的顶部梳齿与所述定梳齿的顶部梳齿构成变面积差分梳齿电容结构。本发明能够提升电容位移传感的灵敏度,并减小重力仪探头的机械热噪声。

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