一种金属构件腐蚀情况的红外检测方法

    公开(公告)号:CN110057745A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910316762.5

    申请日:2019-04-19

    Abstract: 本发明属于红外热像无损检测技术领域,并具体公开了一种金属构件腐蚀情况的红外检测方法。该方法包括获得金属构件的红外图像并进行滤波去噪处理,然后设定阈值获得二值化图像;标记腐蚀区域和未腐蚀区域,并绘制腐蚀区域的轮廓;根据腐蚀区域的轮廓提取二值化图像中腐蚀区域的掩模,使用该掩模在红外图像中计算腐蚀区域的温度;将腐蚀区域的温度输入温度腐蚀深度转化模型,获得金属构件的腐蚀深度。本发明提供的金属构件腐蚀情况的红外检测方法,只需对红外图像进行处理,并根据温度腐蚀深度转化模型便可从三个方面具体描述金属构件的腐蚀情况,包括腐蚀位置、腐蚀面积和腐蚀深度,从而实现了对金属构件的腐蚀情况进行定性和定量分析。

    一种单层二维材料中能谷光子的分离方法及分离装置

    公开(公告)号:CN109782455A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910094647.8

    申请日:2019-01-31

    Abstract: 本发明涉及一种单层二维材料中能谷光子的分离方法,包括:制作纳米孔阵列;在纳米孔阵列的一表面上层叠单层二维材料薄膜;向纳米孔阵列的另一表面上入射线偏激光,线偏激光经纳米孔阵列的调制,得到自旋相反且发射方向不同的两束圆偏激光,单层二维材料薄膜在两束圆偏激光的激发下,发射出自旋相反且出射方向不同的两束能谷光子,完成能谷光子的分离。本发明采用纳米孔阵列辅助单层二维材料中能谷光子的分离,在产生倍频的能谷光子的同时,提高单层二维材料的倍频效率。另外,可以在常温下对能谷光子的出射方向进行操控,自由度高,能谷光子转换效率高。

    基于虚拟案例的非常规突发事件应急管理决策方法及系统

    公开(公告)号:CN108734402A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810503544.8

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于虚拟案例的非常规突发事件应急管理决策方法及系统,该方法包括:将收集到的历史案例信息以统一架构组织起来存入案例库;对案例库中的案例知识进行分析与挖掘,生成关联规则,与专家规则、常识性规则以产生式规则的形式存入规则库;将规则库中的规则翻译成Drools规则引擎能够识别的drl规则文件;调用规则引擎将输入的当前事件的情景信息与规则文件中的规则进行匹配推理,基于决策者风险态度将推理结果生成虚拟案例;决策者与计算机之间不断迭代交互的联想-反馈-修正,最终得到决策方案。通过本发明能够充分复用案例与人的知识,同时发挥人的创造性思维,解决非常规突发事件的难预测、相关辅助决策信息缺乏的问题。

    一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方式及制备方法

    公开(公告)号:CN108666865A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810434917.0

    申请日:2018-05-09

    CPC classification number: H01S5/10 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方法及制备方法,结构依次包括:透明基底,位于透明基底上的多层介质膜,位于多层介质膜表面的半导体纳米结构,覆盖于半导体纳米结构上的透明介质薄膜以及位于透明介质薄膜上的金属薄膜;半导体纳米结构用于形成金属薄膜表面纳米尺度的缺陷,并产生荧光信号以激发金属SPPs;透明基底和多层介质膜构成双色镜衬底,双色镜衬底对激光高透且对荧光高反;激发方法包括:将波长相对较短的激光透过双色镜衬底后垂直入射到所述半导体纳米结构上,以激发半导体纳米结构产生波长相对较长的单光子荧光信号,进而由荧光信号激发金属薄膜的SPPs。本发明能够提高SPPs的激发效率并降低SPPs的探测难度和探测成本。

    一种探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的方法

    公开(公告)号:CN105466862B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201510815035.5

    申请日:2015-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下,利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲,从而产生不同程度的晶格畸变。同时,将一束激光聚焦至单根纳米线上一点A,并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ),测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在A点不变的情况下,随弯曲曲率逐渐增大,偏振角θ=90°和θ=0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法,相对于传统透射电镜法,其探测灵敏度提高近一个数量级,具有不损伤样品、可测块体材料,可适用于液态、低温等各种环境等优势。

    一种导电加热成形装置和方法

    公开(公告)号:CN104475587A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410634854.5

    申请日:2014-11-12

    CPC classification number: B21D22/02 B21D37/10 B21D37/16 C21D1/18

    Abstract: 本发明公开了一种导电加热成形装置,包括供电电源和模具,模具包括上模座、上模、下模座及下模,供电电源连接有开关,开关连接有电压调节单元,电压调节单元连接有逻辑控制模块和加热单元,加热单元上连接有三个以上固定电极,固定电极上安装有第一绝缘体,第一绝缘体连接有垫块,上模座上安装有动力输送单元及移动电极,输送单元连接有控制单元,移动电极与动力输送单元之间设置有第二绝缘体。本发明缩短了坯料的加热时间,提高了能量的利用效率,实现了加热和成形过程的联动控制,省掉了传统热成形过程中的加热炉和热坯料的传输装置以及传输过程,避免了传输过程中热坯料热量的损失以及表面的氧化,降低了投资成本和生产成本。

    基于多重光学Tamm态的多通道滤波器

    公开(公告)号:CN102053310B

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN201010552550.6

    申请日:2010-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于多重光学Tamm态的多通道滤波器,在布拉格反射镜上生长一层微米量级厚的砷化铝镓薄膜,再在砷化铝镓薄膜上镀一层金属薄膜。本发明通过改变砷化铝镓的组分以及砷化铝镓薄膜的厚度来调节滤波器通道的个数和各通道相应的波长,该滤波器具有通道窄且通道的位置在整个禁带范围内连续可调的优点,在光通讯系统中有着重要的应用价值。

    全光傅立叶变换器、反变换器及一种正交频分复用系统

    公开(公告)号:CN101557270A

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200910061896.3

    申请日:2009-04-30

    Abstract: 全光傅立叶变换器、反变换器及一种由它们构成的正交频分复用系统,属于光信号处理器件和光传输系统,目的是以全光方式实现傅立叶变换和反变换功能,消除对电子芯片处理速率的依赖。全光傅立叶变换器由两个N/2×N/2傅立叶变换器、N/2个2×2傅立叶变换器和N/2个移相器构成;全光傅立叶反变换器与前者区别仅在于其移相器的移相值为相反数;一种正交频分复用系统,包括:时钟分频器、连续光激光器、电光调制器、分路器、串并转换器、全光傅立叶反变换器、光纤通道、全光傅立叶变换器、时间门、解调器和并串转换器。本发明的整个过程都是以全光方式进行处理,消除了对于电子芯片处理速度的依赖,在超高速光纤通信系统中有很大的潜力。

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