公开(公告)号：CN115240728A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210909473.8

申请日：2022-07-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 童浩 ,  汪宾浩 ,  缪向水

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/408 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4094

摘要： 本发明公开了一种动态存储器操作方法，包括如下步骤：按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时，根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中读取的状态数据暂存在读缓冲器中，其中，间隔时间T小于写操作时存储单元中电容的电压值下降到读操作正确读出该存储单元状态数据的临界电容电压值所需的时间t；然后再根据操作指令中操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，其中，在每次读操作后需进行一次刷新操作的执行步骤。本发明即使在被选中存储单元中电容发生漏电时，也能有效确保该存储单元进行读、写操作的正常操作。

公开(公告)号：CN114937738A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210585419.2

申请日：2022-05-22

申请人： 华中科技大学

发明人： 缪向水 ,  王位国 ,  童浩

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种基于垂直电极的三维相变存储器及制备方法，三维相变存储器包括：从下往上依次设置的第一二氧化硅层、第一字线电极层、第二二氧化硅层、第二字线电极层、第三二氧化硅层、第三字线电极层、第四二氧化硅层和第五二氧化硅层，垂直设置于第五二氧化硅层中的第一贯穿通孔，垂直设置的第二贯穿通孔以及位线电极；位线电极通过第一贯穿通孔延申到相变存储器结构表面。本发明中由于处于同一垂直方向上的所有存储单元共用同一位线电极，每个存储单元的字线电极均在水平方向，每个存储单元的功能层为共用的位线电极与相应的字线电极正对的功能层部分，只需要通过增加字线电极层与隔离层的层数，功能层只需要沉积一次，减小了工艺复杂度。

公开(公告)号：CN114854419A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210387167.2

申请日：2022-04-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 童浩 ,  彭忻怡 ,  缪向水

IPC分类号： C09K13/02 ,  C09K13/00 ,  H01L45/00

摘要： 本发明属于微电子工艺领域，具体涉及一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻液及其应用，碱性蚀刻液质量百分组成为：10～30％的碱性溶液，0～5％的氧化剂，余量为去离子水；其中碱性溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或TMAH溶液。本发明所提蚀刻液能够应对现在干法刻蚀过程中卤素气体对相变材料组分造成改变影响器件性能的问题，同时本配方的刻蚀溶液相较酸性刻蚀溶液所存在的刻蚀速率较快不够稳定且表面较为粗糙的问题，能得到表面粗糙度较低的刻蚀表面。将上述碱性蚀刻液应用于功能器件单元制备，利用碱性溶液的上述刻蚀效果以及金属上电极耐碱性溶液刻蚀可做硬掩模的性质，避免传统刻蚀工艺中刻蚀气体使材料表面卤化而影响器件性能的问题并降低工艺成本。

公开(公告)号：CN112816520B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202011600491.5

申请日：2020-12-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 童浩 ,  杨冠平 ,  缪向水

IPC分类号： G01N25/20

摘要： 本发明属于薄膜材料热特性测试领域，具体涉及一种薄膜接触热阻的测试方法，包括：在三个衬底上分别制备第一、第二待测薄膜以及依次层叠的第一、第二待测薄膜，层叠结构表示第三待测薄膜，在每个衬底对应的薄膜上表面制备金属条；每个衬底厚度大于该衬底对应的金属条在该衬底中的热穿透深度，且该衬底上部薄膜厚度小于热穿透深度；向每个金属条通入交流电信号并测试基波电压和三次谐波电压，分别基于三倍频法计算第一、第二和第三待测薄膜的热阻；由第三待测薄膜的热阻与第一、第二待测薄膜热阻加和的差值得到第一、第二待测薄膜间的接触热阻。本发明可测试纳米尺度超薄膜，对多层待测薄膜间的相对厚度无限制，且多层薄膜的接触状态与实际相符合。

公开(公告)号：CN111952362B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202010836395.4

申请日：2017-11-17

申请人： 华中科技大学

发明人： 程晓敏 ,  夏泽瑛 ,  张瑾 ,  冯金龙 ,  童浩 ,  缪向水

IPC分类号： H01L29/66

摘要： 本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n晶体结构模型的构建方法，包括如下步骤：第一步，建立超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面结构；第二步，选择表面结构进行磁性原子掺杂，建立磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n表面模型；第三步，对磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n模型进行结构优化及静态自洽计算；第四步，计算得到磁性原子掺杂后的表面能带图及未掺杂时的纯净超晶格材料表面能带图；第五步，对比分析得到磁性原子掺杂后超晶格材料GeTe/Sb2Te3表面能带结构的变化，确定磁性原子掺杂对材料拓扑绝缘性能的影响。通过对不同的掺杂元素引入初始超晶格材料的方案进行构建，能带结构图能够明显看出掺杂后的超晶格材料的表面能带结构的狄拉克点打开，同时引发能带产生自旋劈现象。

公开(公告)号：CN114114783A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111498288.6

申请日：2021-12-09

申请人： 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

发明人： 童浩 ,  刘志远 ,  缪向水

IPC分类号： G02F3/00

摘要： 本发明公开了一种三维空间全光多逻辑功能器件及全光多逻辑运算方法，其器件包括第一光输入装置、第二光输入装置、光输出装置以及逻辑运算装置，其中，逻辑运算装置包括分别沿三个不同的方向排布的多片全光逻辑功能薄膜，且每个方向包括至少两片平行相对的全光逻辑功能薄膜以构成对应方向的光逻辑门，各全光逻辑功能薄膜的透射率随控制光的输入改变而改变；第一光输入装置用于将沿不同方向入射的控制光分别传送至不同的全光逻辑功能薄膜，第二光输入装置用于使输入光垂直穿透任意方向平行相对的全光逻辑功能薄膜并从光输出装置输出得到输出光。通过本申请中的三维空间全光多逻辑功能器件，可以实现三维空间内多个方向的光运算。

公开(公告)号：CN110826181B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910943144.3

申请日：2019-09-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 缪向水 ,  马平 ,  童浩

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F111/10

摘要： 本发明公开了一种相变材料的性能获取方法、终端设备和计算机可读介质，其通过获取待分析相变材料晶胞的坐标文件，从坐标文件中提取待分析相变材料晶胞的模型参数并进行存储，晶胞的模型参数包括晶胞的模型尺寸、原子序数标识和原子位置坐标数据；依据原子序数标识识别目标原子，利用晶胞的模型参数计算目标原子与其他原子的间距，依据间距判断目标原子的成键状态并计算相应的成键参数，遍历所有目标原子的成键状态和成键参数，分析得到待分析相变材料的相变性能，其能够分析不规则的随机键合网络，而无需除原子位置信息以外的其他物理信息数据。

公开(公告)号：CN111952363B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010836781.3

申请日：2017-11-17

申请人： 华中科技大学

发明人： 程晓敏 ,  夏泽瑛 ,  张瑾 ,  冯金龙 ,  童浩 ,  缪向水

IPC分类号： H01L29/66

摘要： 本发明公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，在初始超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料中加入掺杂元素，所述掺杂元素包括锰Mn或铬Cr或钐Sm中的至少一种，以破坏所述超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料的时间反演对称性，使得其表面能带结构的狄拉克点打开，同时产生能带自旋劈裂现象。通过将掺杂元素引入初始超晶格材料，与现有技术相比能够有效解决拓扑绝缘体表面态狄拉克锥调控不易、狄拉克点无法被打开等问题。

公开(公告)号：CN111081869B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201910996019.9

申请日：2019-10-18

申请人： 华中科技大学

发明人： 徐明 ,  徐开朗 ,  缪向水 ,  童浩 ,  万代兴

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种使用电化学沉积进行相变存储单元集成的方法，包括步骤：S1：制备导电衬底；S2：制备绝缘层；S3：制备深孔；S4：配置反应溶液，其中混合有两种不同的电解液；S5：在深孔内从底部向上进行电化学沉积，通过调节沉积参数，在深孔内沉积出上下两层材料即选通管和相变单元；S6：制备上电极。通过微纳加工技术刻蚀出纳米级孔径的深孔之后再利用电化学沉积的方法快速有效填充深孔的工艺方法，可以从纳米孔的底部开始生长纳米相变材料，能够实现超大深宽比小孔进行多层复杂结构的硫系相变材料的填充，通过对沉积参数的调控可以实现对材料生长的精准调控，通过设计底部施加电势的电极形状实现图形化的生长，进行复杂结构多种材料的制备。

公开(公告)号：CN110197829B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910453807.3

申请日：2019-05-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 缪向水 ,  王升 ,  童浩

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/1158 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法，属于3D NAND闪存领域。该包覆型硅纳米管的制备方法该存储器件以碳纳米管为模板，在所述碳纳米管内腔沉积Ni层，然后煅烧去除碳纳米管同时将Ni层氧化得到NiO纳米线，再利用化学气相沉积在NiO纳米线外部沉积Si层，最后去除NiO纳米线即得到包覆型硅纳米管。该3D NAND闪存器件由包覆型纳米管作为NAND串组成，可以有效简化器件结构，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。同时多步模板复制法的使用使制备的纳米管管径和管壁更加均匀，管壁厚度更加可控。