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公开(公告)号：CN112242487B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011100542.8
申请日：2020-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。选通管包括衬底以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料包括GeS或GeSe，第二子层的材料包括GeTe、ZnTe、AlTe、SiTe、BTe或CTe中的一种。由于GeS和GeSe材料均具有较高的稳定性，可以阻止由于高温导致的第二子层材料中的Te的扩散分离。同时，类超晶格结构各子层很薄，相邻阱之间的耦合很强，在类超晶格层中形成周期性的量子势阱，原来在各量子阱中的分立的能级扩展成为能带，可以减小带隙宽度，从而降低功耗，并且更好的与存储器件单元集成。
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公开(公告)号：CN114937738A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210585419.2
申请日：2022-05-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直电极的三维相变存储器及制备方法，三维相变存储器包括：从下往上依次设置的第一二氧化硅层、第一字线电极层、第二二氧化硅层、第二字线电极层、第三二氧化硅层、第三字线电极层、第四二氧化硅层和第五二氧化硅层，垂直设置于第五二氧化硅层中的第一贯穿通孔，垂直设置的第二贯穿通孔以及位线电极；位线电极通过第一贯穿通孔延申到相变存储器结构表面。本发明中由于处于同一垂直方向上的所有存储单元共用同一位线电极，每个存储单元的字线电极均在水平方向，每个存储单元的功能层为共用的位线电极与相应的字线电极正对的功能层部分，只需要通过增加字线电极层与隔离层的层数，功能层只需要沉积一次，减小了工艺复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242487A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011100542.8
申请日：2020-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。选通管包括衬底以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料包括GeS或GeSe，第二子层的材料包括GeTe、ZnTe、AlTe、SiTe、BTe或CTe中的一种。由于GeS和GeSe材料均具有较高的稳定性，可以阻止由于高温导致的第二子层材料中的Te的扩散分离。同时，类超晶格结构各子层很薄，相邻阱之间的耦合很强，在类超晶格层中形成周期性的量子势阱，原来在各量子阱中的分立的能级扩展成为能带，可以减小带隙宽度，从而降低功耗，并且更好的与存储器件单元集成。
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公开(公告)号：CN112652713B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202011476276.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。该选通管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料为非晶碳，第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物。第一子层的非晶碳作为缓冲层与第一金属电极层和第二金属电极层接触，可以阻止高温导致的具有选通性能的硫系化合物材料中的原子漂移，还可以避免引入新材料交叉污染。由于非晶碳的低热导率，本申请的选通管不仅能够保证选通管阈值电压不受影响，还使得与相变存储单元集成后，相变材料融化时扩散到选通管单元的热量更小。
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公开(公告)号：CN112242488A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011100690.X
申请日：2020-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有二维材料新型结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。选通管包括依次堆叠的第一金属电极层、选通层以及第二金属电极层；选通层包括：二维材料层A、开关层B以及活性金属硫化物层，所述二维材料层A与所述开关层B交替堆叠形成AB不对称结构、BA不对称结构或ABA对称结构中任一结构，活性金属硫化物层的数量与二维材料层A的数量相同，活性金属硫化物层与二维材料层A远离开关层B的一面接触，活性金属硫化物层可以提供金属离子，金属离子穿过二维材料层的缺陷空隙，在开关层中形成导电丝。第一金属电极层与第二金属电极层均为惰性电极层，避免了由于电极失效造成的选通管失效，提高了选通管的稳定性。
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公开(公告)号：CN114937738B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210585419.2
申请日：2022-05-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直电极的三维相变存储器及制备方法，三维相变存储器包括：从下往上依次设置的第一二氧化硅层、第一字线电极层、第二二氧化硅层、第二字线电极层、第三二氧化硅层、第三字线电极层、第四二氧化硅层和第五二氧化硅层，垂直设置于第五二氧化硅层中的第一贯穿通孔，垂直设置的第二贯穿通孔以及位线电极；位线电极通过第一贯穿通孔延申到相变存储器结构表面。本发明中由于处于同一垂直方向上的所有存储单元共用同一位线电极，每个存储单元的字线电极均在水平方向，每个存储单元的功能层为共用的位线电极与相应的字线电极正对的功能层部分，只需要通过增加字线电极层与隔离层的层数，功能层只需要沉积一次，减小了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN112652713A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011476276.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。该选通管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料为非晶碳，第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物。第一子层的非晶碳作为缓冲层与第一金属电极层和第二金属电极层接触，可以阻止高温导致的具有选通性能的硫系化合物材料中的原子漂移，还可以避免引入新材料交叉污染。由于非晶碳的低热导率，本申请的选通管不仅能够保证选通管阈值电压不受影响，还使得与相变存储单元集成后，相变材料融化时扩散到选通管单元的热量更小。
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