公开(公告)号：CN112687739A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011578341.9

申请日：2020-12-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 叶镭 ,  彭追日 ,  童磊 ,  李政 ,  缪向水

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/18 ,  H01L29/12

摘要： 本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。

公开(公告)号：CN118228784A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410358522.2

申请日：2024-03-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 叶镭 ,  童磊 ,  孟潇涵 ,  余翔翔 ,  黄鑫宇 ,  徐浪浪 ,  彭追日

IPC分类号： G06N3/06

摘要： 本申请提供了一种基于双栅结构晶体管的吸引子神经网络设备，属于二维半导体器件，其中，将双栅结构晶体管作为两个神经元之间的突触；双栅结构晶体管包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极；源极接收一个神经元的输出信号；漏极将一个神经元的输出信号传递到另一神经元；第一栅极接收另一神经元的输出信号；第二栅极在第一栅极接收到另一神经元的输出信号后，更新代表两个神经元之间连接强度的突触信号；其中，两个神经元之间的连接强度更新依赖于Hebb学习法则。晶体管所构成的阵列中，所有输出端口的输出信号，共同决定计算结果，从而拟合神经元集合的动态激活模式。本申请采用双栅结构的晶体管作为突触，能够真实拟合神经元的工作方式。

公开(公告)号：CN112687739B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202011578341.9

申请日：2020-12-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 叶镭 ,  彭追日 ,  童磊 ,  李政 ,  缪向水

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/18 ,  H01L29/12

摘要： 本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。