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公开(公告)号：CN118697520A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410847007.0
申请日：2024-06-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： A61F2/72
摘要： 本申请属于大型假肢手控制技术领域，具体公开了一种假肢手控制方法、装置、电子设备和存储介质，该方法运用于一种两驱动假肢手，两驱动假肢手包括手结构、第一电机、第二电机、阻尼轴和剪式比例结构，手结构包括5根手指结构；第一电机用于基于第一电机驱动信号，控制5根手指结构中的拇指结构；第二电机，用于基于第二电机驱动信号，通过阻尼轴和剪式比例结构，控制5根手指结构中除拇指结构以外的其他4根手指结构包括：采集用户的两路肌电信号；基于两路肌电信号、四种预设阈值、第一电机的状态和第二电机的状态，生成第一电机驱动信号和第二电机驱动信号；基于第一电机驱动信号和第二电机驱动信号，控制两驱动假肢手。
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公开(公告)号：CN115994568A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211538004.6
申请日：2022-12-02
摘要： 本发明公开了一种基于二维材料浮栅晶体管的存算一体神经网络构建方法，浮栅晶体管具有非易失性，可以实现信息的长效、低功耗存储；采用crossbar阵列构建神经网络结构，实现矩阵乘和运算；神经网络层与层之间引入模拟电路，同时作为连接层、激活函数和反相器，因此不需要经过模数转换和软件处理，降低了功耗，同时间接引入负权重，提升了计算精度。本发明提供的浮栅晶体管的存算一体神经网络可以取代传统的忆阻器阵列加软件处理模式，实现了神经网络全硬件结构设计，有望于拓展二维材料半导体器件的大规模集成与应用。
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公开(公告)号：CN114597232B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210501761.X
申请日：2022-05-10
摘要： 本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二硫化钼，二硫化钼的上表面制备有源、漏电极和输出电极，各单点器件中的输出电极共线输出；将待训练神经网络的输入信息对应映射为各单点器件的漏电极电压，源电极电压与漏电极电压等大且极性相反，同时将待训练神经网络的权重信息对应映射为各单点器件中两个沟道区域的电导差，单点器件的电导差通过分别调节其中两个分立式的背栅电极的电压完成。本发明集成密度高，且制备的crossbar器件可实现具备存算一体的矩阵乘和运算。
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公开(公告)号：CN114507714B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210413282.2
申请日：2022-04-20
IPC分类号： C12Q1/6825 , C12Q1/6883 , G06N3/12 , G06N3/06 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
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公开(公告)号：CN114507714A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413282.2
申请日：2022-04-20
IPC分类号： C12Q1/6825 , C12Q1/6883 , G06N3/12 , G06N3/06 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上，其中，PDMS通道包括crossbar阵列排布的8个PDMS子通道，各PDMS子通道对应热压在各单点器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针，miRNA探针的类型包括miRNA208、miRNA1、miRNA133和miRNA499；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
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公开(公告)号：CN114242886B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
摘要： 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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公开(公告)号：CN114597254A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
摘要： 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN118228784A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410358522.2
申请日：2024-03-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06N3/06
摘要： 本申请提供了一种基于双栅结构晶体管的吸引子神经网络设备，属于二维半导体器件，其中，将双栅结构晶体管作为两个神经元之间的突触；双栅结构晶体管包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极；源极接收一个神经元的输出信号；漏极将一个神经元的输出信号传递到另一神经元；第一栅极接收另一神经元的输出信号；第二栅极在第一栅极接收到另一神经元的输出信号后，更新代表两个神经元之间连接强度的突触信号；其中，两个神经元之间的连接强度更新依赖于Hebb学习法则。晶体管所构成的阵列中，所有输出端口的输出信号，共同决定计算结果，从而拟合神经元集合的动态激活模式。本申请采用双栅结构的晶体管作为突触，能够真实拟合神经元的工作方式。
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公开(公告)号：CN114597232A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210501761.X
申请日：2022-05-10
摘要： 本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二硫化钼，二硫化钼的上表面制备有源、漏电极和输出电极，各单点器件中的输出电极共线输出；将待训练神经网络的输入信息对应映射为各单点器件的漏电极电压，源电极电压与漏电极电压等大且极性相反，同时将待训练神经网络的权重信息对应映射为各单点器件中两个沟道区域的电导差，单点器件的电导差通过分别调节其中两个分立式的背栅电极的电压完成。本发明集成密度高，且制备的crossbar器件可实现具备存算一体的矩阵乘和运算。
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公开(公告)号：CN114242886A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
摘要： 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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