蛇形机器人的攀爬控制方法、系统、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN112731810A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011564419.1

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种蛇形机器人的攀爬控制方法、系统、装置及存储介质,其中方法包括以下步骤:构建改进的正弦波函数,根据改进的正弦波函数获取训练数据;设计双层的长短期记忆神经网络模型,采用训练数据对长短期记忆神经网络模型进行训练,获得最优的长短期记忆神经网络模型;根据长短期记忆神经网络模型控制蛇形机器人自适应的攀爬运动;长短期记忆神经网络模型用于对蛇形机器人的每个关节角度值进行预测,预测结果用于控制蛇形机器人的运动。本发明实现蛇形机器人杆径自适应攀爬运动,将反馈的角度信息融合到步态控制当中,形成闭环的反馈控制系统,提高了蛇形机器人在攀爬运动中的准确性以及柔顺性,可广泛应用于机器人的运动控制领域。

    一种基于“热风法”制备的钙钛矿纳米薄膜及其制备方法与在太阳能电池中的应用

    公开(公告)号:CN109390470A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201811114073.8

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于“热风法”制备的钙钛矿纳米薄膜及其制备方法与在太阳能电池中的应用。该钙钛矿纳米薄膜的制备方法包含以下步骤:a.配制钙钛矿前驱体溶液;b.将基底预热,并将加热的前驱体溶液滴到导电基底上;c.在旋涂的同时,将热风筒置于旋涂仪的上方,使溶液快速挥发得到钙钛矿晶体。利用本发明的方法可以调控钙钛矿纳米晶体的结晶度,改善钙钛矿纳米薄膜的表面,在钙钛矿光伏器件的开发研究中展现出较好的应用前景。

    一种锰掺杂二维有机-无机杂化钙钛矿荧光材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN109232433A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811114477.7

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂二维有机-无机杂化钙钛矿荧光材料及其制备方法与应用,属于发光材料领域。该方法包括以下步骤:(1)通过溶液法制备晶体材料(C7H6N2)2PbBr4;(2)将MnBr2与该晶体材料(C7H6N2)2PbBr4按照一定摩尔比例混合并研磨;(3)将所得混合物加热,得到锰掺杂二维有机-无机杂化钙钛矿荧光材料。利用本发明的方法可以调控钙钛矿晶体材料的光学性质,在Mn掺杂以后荧光发射波长发生红移现象,同时荧光强度也有所增加,该材料在LED发光器件的开发研究中展现出较好的应用前景。

    一种基于枚举式的电感型限流避雷针优化设计方法

    公开(公告)号:CN104866644B

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201510160407.5

    申请日:2015-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于枚举式的电感型限流避雷针优化设计方法,通过电感型限流避雷针的初步设计,建立该避雷针的经常长模型,根据电感手册中线圈电感的计算方法,得到电感值,基于匝间电容、每匝对地电容和限流避雷针每匝电感的电感型限流避雷针的高频等效电路模型,采用电磁暂态仿真分析软件,建立电感型限流避雷针的电磁暂态仿真计算程序,分析引入输电线路后对雷电流幅值及线路反击耐雷水平的影响,若对反击耐雷水平的提高效果不明显,则以枚举式方式,通过改变电感型限流避雷针的结构尺寸、材料等,单一改变电感、匝间电容或对地电容达到要求。

    一种基于枚举式的电感型限流避雷针优化设计方法

    公开(公告)号:CN104866644A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510160407.5

    申请日:2015-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于枚举式的电感型限流避雷针优化设计方法,通过电感型限流避雷针的初步设计,建立该避雷针的经常长模型,根据电感手册中线圈电感的计算方法,得到电感值,基于匝间电容、每匝对地电容和限流避雷针每匝电感的电感型限流避雷针的高频等效电路模型,采用电磁暂态仿真分析软件,建立电感型限流避雷针的电磁暂态仿真计算程序,分析引入输电线路后对雷电流幅值及线路反击耐雷水平的影响,若对反击耐雷水平的提高效果不明显,则以枚举式方式,通过改变电感型限流避雷针的结构尺寸、材料等,单一改变电感、匝间电容或对地电容达到要求。

    超分子聚合物光电材料及其应用

    公开(公告)号:CN102153733B

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201110030281.1

    申请日:2011-01-28

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供超分子聚合物光电材料及其在光电器件中的应用。超分子聚合物光电材料含有A1和A2单元,以及分别与A1和A2相连的官能团B、C,所述A1和A2单元为含有共轭单元的齐聚物或含有共轭单元的小分子组分,官能团B为冠醚,官能团C为二级铵盐,官能团B、C之间以氢键方式连接。冠醚与二级铵盐材料在氯仿/乙腈、甲苯/乙腈、氯苯、邻二氯苯等试剂中有很强的相互作用进而形成超分子聚合物。这类超分子聚合物同时具备了小分子结构确定、易纯化和聚合物多功能性、可溶液加工等特点,也克服了传统小分子光电材料必须通过蒸镀加工和聚合物结构不定、难提纯等的缺点,可作为一类新型的超分子聚合物光电材料在有机光电器件中应用。

    一种聚硫脲类化合物及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113292721B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202110548436.4

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种聚硫脲类化合物及其制备方法与应用。所述方法为:在有机溶剂中,将胺类化合物单体、异腈类化合物单体和二硫化碳进行反应,后处理即可得到聚硫脲。本发明所用单体均为工业原料,成本低,还可进行大规模克级生产;反应原子利用率为100%,无有毒有害副产物产生;反应在室温和空气的条件下就可进行,操作简单,聚合反应产率高;产物易分离,可一锅得到聚硫脲产物和另一种硫代甲酰胺产物;通过对投料种类、方式及比例的调节,可制备对称聚硫脲,序列可控的非对称聚硫脲及混乱结构的聚硫脲;所得系列聚硫脲还具有优异的自修复性能及发光性能,可以应用于自修复领域以及光电器件领域,推动聚硫脲化合物的进一步发展。

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