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公开(公告)号：CN113889570A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010630340.8
申请日：2020-07-03
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括堆叠结构以及位线结构。堆叠结构设置于衬底上。堆叠结构包括下部电极、上部电极以及可变电阻层。下部电极设置于衬底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。位线结构覆盖堆叠结构的顶面且覆盖至堆叠结构的侧壁的一部份。位线结构与堆叠结构电性连接。
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公开(公告)号：CN109494224A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710803384.4
申请日：2017-09-08
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11517
摘要： 本发明提供一种非挥发性存储器装置及其制造方法。此非挥发性存储器装置包括穿隧氧化物层、浮动栅极、介电层与控制栅极。穿隧氧化物层形成于基板上。浮动栅极形成于穿隧氧化物层上，且包括第一多晶硅层、第二多晶硅层及氮掺质。第一多晶硅层的晶粒具有第一晶粒尺寸，第二多晶硅层的晶粒具有大于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。氮掺质形成于第一多晶硅层中的晶粒之间的缝隙中。介电层包括第一氮化物薄膜、氧化物层、氮化物层及氧化物层，且顺应性地形成于浮动栅极上。控制栅极形成于介电层上。本发明可大幅改善非挥发性存储器装置的可靠度与耐久性，且不需要大幅修改或是更换工艺及/或生产设备，对于生产成本的影响很小。
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公开(公告)号：CN104051325A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310083714.9
申请日：2013-03-15
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/28 , H01L2221/101
摘要： 本发明涉及半导体领域，具体地讲是关于一种半导体装置的制作方法，所述方法包括：在一半导体基板上形成一绝缘层；在绝缘层中形成至少一个开口，以露出半导体基板，其中半导体基板在位于开口底部的表面区域形成一原生氧化层；在开口的侧壁形成一导电间隙壁；形成导电间隙壁之后，实施一蚀刻步骤，以除去位于开口底部之原生氧化层并露出半导体基板；以及在开口内填充一导电材料，以形成一导电栓塞。本发明可以用以解决实际技术中除掉接触窗底部的原生氧化层时，接触窗尺寸（或孔径）变大的问题。
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公开(公告)号：CN113889569A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010626425.9
申请日：2020-07-02
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包含基底、第一介电层、底电极、电阻转换层、氧原子交换层、阻挡层以及顶电极。前述第一介电层设置于基底上。前述底电极设置于第一介电层上。前述电阻转换层设置于底电极上。前述氧原子交换层设置于电阻转换层上，其中氧原子交换层与电阻转换层的接触面积小于电阻转换层的顶面面积。前述阻挡层设置于氧原子交换层上。前述顶电极设置于阻挡层上。
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公开(公告)号：CN102842580B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110167526.5
申请日：2011-06-21
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 郭泽绵
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制造方法，上述动态随机存取存储器包括一埋藏位线，设置于一基板内沿一第一方向延伸的一第一沟槽中，上述埋藏位线包括复数个位线接触物，沿上述第一方向间隔设置于上述第一沟槽的一侧壁上；一第一绝缘物，设置于上述基板内沿一第二方向延伸的一第二沟槽的一底面上，其中上述第一绝缘物的一对侧壁分别邻接不同的上述些位线接触物；一对埋藏字元线，分别设置于上述第二沟槽的一对侧壁上，且分别覆盖部分上述第一绝缘物。
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公开(公告)号：CN103151244A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110411486.4
申请日：2011-12-07
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 一种堆叠式电容器及其制造方法。该制造方法包括：在基底上依次形成第一支撑层、第一绝缘层、第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层；在第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层中形成至少一第一开口；在第一开口的侧壁上形成间隙壁；以间隙壁为掩模，在第一支撑层及第一绝缘层中形成第二开口；进行一回吃工艺，以加大第二开口在第一绝缘层中的宽度；移除间隙壁；在第二开口及第一开口中依次形成下电极、介电层及上电极。
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公开(公告)号：CN102842580A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110167526.5
申请日：2011-06-21
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 郭泽绵
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制造方法，上述动态随机存取存储器包括一埋藏位线，设置于一基板内沿一第一方向延伸的一第一沟槽中，上述埋藏位线包括复数个位线接触物，沿上述第一方向间隔设置于上述第一沟槽的一侧壁上；一第一绝缘物，设置于上述基板内沿一第二方向延伸的一第二沟槽的一底面上，其中上述第一绝缘物的一对侧壁分别邻接不同的上述些位线接触物；一对埋藏字元线，分别设置于上述第二沟槽的一对侧壁上，且分别覆盖部分上述第一绝缘物。
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公开(公告)号：CN114695654A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011563684.8
申请日：2020-12-25
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器，包括基底、第一电极、第二电极、可变电阻层与氧储存层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极与基底之间。可变电阻层位于第一电极与第二电极之间。氧储存层位于第一电极与可变电阻层之间。氧储存层包括第一部分、第二部分与第三部分。第二部分连接于第一部分的一侧。第三部分连接于第一部分的另一侧。第一部分的厚度大于第二部分的厚度与第三部分的厚度。氧储存层的第一部分朝向第一电极突出。上述电阻式存储器可有效地提升存储器元件的电性效能。
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公开(公告)号：CN114665009A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011528044.3
申请日：2020-12-22
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本申请提供一种存储器结构及其制造方法，所述存储器结构包含基底、电性通道层、第一电极、电阻转态层、第二电极和导电结构。电性通道层设置于基底上。第一电极设置于基底上并延伸至电性通道层中。电阻转态层设置于第一电极与电性通道层之间。第二电极设置于电性通道层上。导电结构连接电性通道层和第二电极。本申请可以增加导电丝数量，进而改善数据保存，而不需要增加电阻转态层的厚度。
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公开(公告)号：CN103151244B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201110411486.4
申请日：2011-12-07
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 一种堆叠式电容器及其制造方法。该制造方法包括：在基底上依次形成第一支撑层、第一绝缘层、第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层；在第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层中形成至少一第一开口；在第一开口的侧壁上形成间隙壁；以间隙壁为掩模，在第一支撑层及第一绝缘层中形成第二开口；进行一回吃工艺，以加大第二开口在第一绝缘层中的宽度；移除间隙壁；在第二开口及第一开口中依次形成下电极、介电层及上电极。
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