新型高灵敏度和无标记检测超微量样品的太赫兹传感器

    公开(公告)号:CN115901672A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211547929.7

    申请日:2022-12-05

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型高灵敏度的可用于无标记超微量传感的太赫兹传感器,包括周期的基础结构和构建在基础结构上的样品阱,所述周期基础结构的单元结构为金属线和两侧开口谐振环组成的类电磁感应透明结构,而样品阱是在双侧谐振环开口上层构建一对方阱结构用于放样。本发明还公开了一种制备所述新型太赫兹传感器的方法以及将所述新型太赫兹传感器用于超微量检测的方法。本发明通过在所述太赫兹传感器的样品阱内放置超微量生物样品,实现了对超微量生物样品的无标记高灵敏度检测。

    一种基于PDMS的块材转移固定方法

    公开(公告)号:CN111912683B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202010761186.8

    申请日:2020-07-31

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于PDMS的块材转移固定方法,具体步骤如下,打开二维转移平台,将平台加热装置温度设置在65度,并使平台的样品台温度维持在65度左右,提前配置好环氧树脂,将清洗干净的放在烘台上95度烘烤2分钟,然后放置在二维转移平台的样品台上,本发明的一种基于PDMS的块材转移固定方法,同时可以使单晶上表面不被环氧树脂覆盖,能够确保与PDMS接触的单晶面不会被环氧树脂覆盖,调节夹片台和样品台的平面的水平位置,使单晶表面与衬底表面平行,在制备电极时侧面固化的环氧树脂,阻挡电极短路单晶的不同层。

    一种中红外波段的宽谱高效率探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115101655A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210701390.X

    申请日:2022-06-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种中红外波段的宽谱高效率探测器,自下而上依次包括硅片、反射层和介质层,介质层的表面设置U型超导纳米线,U型超导纳米线的开口端分别与金电极一、金电极二相连,U型超导纳米线的两侧对称设置金天线,金电极一与恒压源相连,金电极二接地。本发明还公开了一种中红外波段的宽谱高效率探测器的制备方法。本发明的基于金天线增强的超导纳米线单光子探测器,具有场增益高、光敏面积大、纳米线吸收效率高、本征量子效率高、极低填充率等特点,能够高效率的应用于中红外波段探测应用领域;与传统的光学腔超导单光子探测器相比,具有工艺制备可行性高、与平面工艺兼容性高、具备场增益等优点,可以探测更宽波段的中红外光信号。

    一种自滤光的超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN114942485A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210530142.3

    申请日:2022-05-16

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种自滤光的超导纳米线单光子探测器,属于光电探测技术领域。本发明包括超导纳米线,所述超导纳米线形状为蜿蜒的光栅,还包括介质衬底以及作为反射层的第一光子晶体和作为保护和滤波层的第二光子晶体,所述第一光子晶体和第二光子晶体均由多种不同介质交替层叠构成,二者相贴合并在二者接触面构成F‑P共振腔,所述超导纳米线镶嵌该F‑P共振腔中,第一光子晶体的另一面与介质衬底贴合,所述第一光子晶体和第二光子晶体的每一层介质厚度为四分之一特征波长。本发明实现了超导纳米线单光子器件自带滤光效果,可以降低杂散光和背景辐射导致的计数干扰,具有高度的产业利用价值。

    一种基于超材料的可调谐太赫兹探测器

    公开(公告)号:CN113108902A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110316984.4

    申请日:2021-03-23

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的可调谐太赫兹探测器,包括第一硅基衬底和第二硅基衬底,所述第一硅基衬底的正面设置天线耦合的六氮五铌薄膜微测热辐射计,背面沉积金层;所述第二硅基衬底背面设置周期排布的口字型超材料阵列,与第一硅基衬底正面相对形成空气腔,通过调节空气腔的长度,实现太赫兹探测器谐振频率的调节。本发明使用超材料,通过仿真设计可以实现特定频率的谐振特性,通过改变空气腔间隔可以调节太赫兹探测器的谐振频率,并且结构简单,制备方便。

    一种基于超导纳米线光子探测阵列的电荷积分成像方法

    公开(公告)号:CN111721408B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202010595694.3

    申请日:2020-06-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于超导纳米线光子探测阵列的电荷积分成像方法,采用超导纳米线单光子探测器作为阵元,组成超导纳米线光子探测阵列,阵元的数量可调整;采用透镜阵列作为光学对位系统,将透射光分成与阵元数量相等的多光束,分别汇聚到超导纳米线探测区域;采用脉冲式激光器探测物体表面,将物体表面反射的不同光脉冲透过透镜阵列,记录每个光子的往返时间;采集各阵元探测的光子数,将阵元作为像元,由阵元的光子数计算像元的灰度值;将像元作为像素点绘制灰度图,由每个光子的往返时间计算物体和像素点的距离,根据灰度图和物像距离重建物体的三维图像。

    一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN112456434A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011226273.X

    申请日:2020-11-05

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法,在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射,生长Nb5N6热敏薄膜;在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式绘制天线图形,磁控生长Au薄膜后,剥离出电极;在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形,通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6,形成Nb5N6薄膜微桥;在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶,通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口,通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2,通过反应离子分步刻蚀法,先刻蚀掉窗口的部分Si,再横向刻蚀微桥下方,形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。

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