公开(公告)号：CN101319400A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810024894.2

申请日：2008-05-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  陶志阔 ,  崔旭高 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  韩平 ,  赵红 ,  刘斌 ,  李弋 ,  宋黎红 ,  崔颖超 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01F1/10 ,  H01F10/18 ,  H01F41/22

Abstract: Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000－1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um－2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900－1150℃温度下通入流量范围分别为0.1－5slm、1－10sccm和15－200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP2Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5－500Torr。

公开(公告)号：CN101270471A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810098864.6

申请日：2008-05-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  李弋 ,  韩平 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  刘斌 ,  郑有炓 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/52

Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900－1100℃温度下进行材料热处理，时间为5－60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900－1100℃温度下时间为10－120分钟；再在900－1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。