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公开(公告)号：CN1305232A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN01108248.8
申请日：2001-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/105
Abstract: 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属－氧化物－半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。
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公开(公告)号：CN1288680C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310112720.9
申请日：2003-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道和金属锰源-HCl管道，对金属锰源-HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3-6sccm，Ar气流量为100-300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820-860℃，反应区域温度，即蓝宝石α-Al2O3衬底所在位置的温度；生长时间为8-20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
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公开(公告)号：CN1599033A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN1185690C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1381870A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1077607C
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN98111554.3
申请日：1998-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法和装置，将α-Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗，然后将衬底进入采用环绕石英反应器的碘钨灯光辐射加热系统反应室内，抽真空；衬底在H2气氛下高温退火，通入TMG和NH3生长GaN缓冲层，生长GaN外延层，本发明利用光辐射促进了NH3分子分解，有利于抑制GaN外延层中的N空位，得到了近乎完美的单晶。
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公开(公告)号：CN1146639A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN95112707.1
申请日：1995-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/775
Abstract: 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时获得高质量的Si/SiO2异质界面。
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公开(公告)号：CN1268783C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410014336.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300-500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300-500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。
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公开(公告)号：CN1599032A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400－800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000－1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN1399308A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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