-
公开(公告)号：CN111573618A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010435911.2
申请日：2020-05-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种螺旋回路磁头的制备方法，包括第一步，在导电衬底层上，定位制备预设高度、长度和宽度参数的基座；第二步，在所述基座上制备侧壁具有波纹状结构的硅柱；第三步，在样品表面制备一定厚度绝缘层；第四步，利用选择性刻蚀工艺，去除硅柱顶端绝缘层；第五步，定义催化金属沉积区域并沉积用作催化纳米线生长的金属层；第六步，利用IP-SLS纳米线生长模式，制备三维纳米线螺旋结构；第七步，在硅柱顶端和衬底层的绝缘层上分别定义电极区域，两个电极区域分别与三维纳米线螺旋结构的上、下端接触，然后沉积电极实现纳米线与电极和导电衬底层之间的连通。
-
公开(公告)号：CN107640741B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710653561.5
申请日：2017-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a‑Si)/非晶锗(a‑Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸收和平面纳米线生长过程，实现自发相分离的平面硅锗纳米线，其形貌可通过叠层的厚度以及叠加次序加以控制，调控为硅锗岛链结构；其中，当非晶锗层处于底部即a‑Si/a‑Ge结构时，硅锗纳米线中较宽的岛区为锗高浓度区域，而较细的纳米线连接为硅高浓度区域；或通过相反的叠加次序实现直径较为均匀的硅锗合金纳米线结构，或者其中包涵微区间隔的“硅‑锗”交替区域结构。
-
公开(公告)号：CN109950393A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910191817.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种可堆叠大面积制备的纳米线交叉点阵列阻变存储器件结构的制备方法，包括：利用树脂胶体材料转移法，实现硅纳米线阵列与薄膜材料的交替堆叠与交叉分布，形成三维空间的薄膜夹层硅纳米线交叉点阵列结构；交替堆叠过程中，以顶层硅纳米线为掩模，借助刻蚀设备，将网格部分无纳米线遮挡的薄膜材料刻蚀，从而得到纳米线交叉点与夹层薄膜材料的极小点接触结构，为制备忆阻器件提供准直性极强的垂直导电通道。本发明不需要引入价格昂贵的微纳操控技术(如纳米机械手臂)，仅使用简单转移技术实现纳米材料的定向堆叠，同时利用硅纳米线作为掩模对薄膜材料进行精确刻蚀，可靠地制备纳米级“三明治”式点对点接触结构的电子器件。
-
-
公开(公告)号：CN109911847A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910191518.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法，通过将引导沟道侧壁生长的纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底，释放衬底时衬底回缩使得纳米线阵列间距减小，通过多次重复转移不断缩小纳米线阵列间距，实现平面高密度纳米线阵列的方法。本发明提供了一种获得高密度平面纳米线阵列的可靠方法，基于转移技术可将平面高密度纳米线阵列大面积转移至任意衬底，可广泛应用于半导体微纳电子器件，尤其针对大面积电子(平板显示TFT应用)、逻辑、柔性/可穿戴电子和场效应生物化学传感器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100591801C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710133452.7
申请日：2007-09-30
IPC: C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。
-
公开(公告)号：CN119956338A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411899060.1
申请日：2024-12-23
Abstract: 本发明公开了一种利用微波加热生长平面晶硅纳米线的方法，具体步骤为：在柔性衬底表面制备催化金属条带；将制备好催化金属条带的有机衬底置于PECVD反应腔中，利用氢等离子体处理去除催化金属表面氧化层；将催化金属加热形成金属液滴；在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜；采用微波加热金属液滴运动形成晶硅纳米线。该方法采用辐照范围广的微波作为加热源，利用衬底和金属纳米液滴对其辐照的高选择性吸收差异，实现仅在液滴/硅纳米线生长界面的高效局域加热，以驱动晶硅纳米线的高速度生长，突破了传统高温环境加热方式无法用于柔性聚合物衬底的技术限制，避免了衬底加热，为在柔性衬底上直接生长集成晶硅纳米线及器件提供了基础。
-
公开(公告)号：CN118099181A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410219467.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高分辨率纳米光源器件的制备方法，包括第一步、通过纳米线转移技术或采取光刻、刻蚀及纳米线直接生长技术，在绝缘衬底上制备底层导电纳米线阵列通道，在通道一端沉积底层金属电极；第二步、通过旋涂法制备功能发光材料薄膜作为纳米LED光源；第三步、通过转移法在功能发光材料上覆盖与底层导电纳米线阵列交叉的顶层导电纳米线阵列，并定义顶层金属电极区域，第四步、对制备的发光器件进行引线焊接及封装保护以提高稳定性。本发明提出了全新的可高密度集成的新型纳米光源显示技术，可实现25400 PPI的超高空间分辨率，可应用于大面积高清虚拟现实（VR）技术领域。
-
公开(公告)号：CN117250466A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311422036.4
申请日：2023-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种MOSFET器件漏极电流自动测量系统，包括栅极电压发生电路设计，漏极电流读取电路设计，漏极电压发生器设计，MCU主控模块设计，串口通信及PC端上位机，其特征在于通过单片机的DAC输出等步长变化的栅极电压，通过跨阻电路将电流量转换为电压量，通过单片机的ADC采集漏极电流转换后的电压值，通过串口模块将ADC的采样值传输至上位机软件进行处理并展示；本发明提出了一种通过等步长改变栅极电压大小来测量不同栅压下的漏极电流的系统，由此获得MOSFET器件栅极电压与漏极电流的对应关系，以供器件设计者测评FET的实际特性曲线与仿真设计的一致性，具有成本低、轻便易携、方便操作等显著特点。
-
公开(公告)号：CN114628427A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210264075.5
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/028 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器制备方法，包括：1)利用背照式CMOS工艺形成Si衬底；2)获得单层或多层石墨烯；3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的Si衬底上。本发明的石墨烯红外探测器的背照式CMOS制备工艺使电气组件与光线分离，避免了金属布线层对光的吸收、反射，从而获得更高的量子效率，实现更高质量的成像。采用石墨烯作为吸光的材料，因其极高的载流子迁移率及对红外波段的宽谱吸收，使得本发明所述石墨烯红外光探测器具有极快的响应速度和全波段的响应带宽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
97
records
(took 0.02 seconds)
