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公开(公告)号:CN108119220A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201710928136.2
申请日:2017-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F01N13/08
Abstract: 一种排气系统的涡流产生器。涡流产生器包含装设在排气管内表面的环状轴承。涡流产生器还包含装设在环状轴承上的环状叶片组件。环状叶片组件包含具有上游开口的前导面。分流器还包含具有下游开口的后面,其中上游开口与下游开口是以排气管的纵轴为中心。分流器还包含侧部从前导面延伸至后面,其中侧部具有多个开口,每一个开口中设有一叶片,且其中每一个叶片的后侧是面向纵轴。
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公开(公告)号:CN110834267A
公开(公告)日:2020-02-25
申请号:CN201910104279.0
申请日:2019-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/015 , B24B49/14 , B24B49/16 , B24B57/02
Abstract: 一种化学机械研磨方法及其装置。化学机械研磨方法包括以下步骤。固持一载体中的一晶圆于研磨垫之上。分配一第一浆料至载体中,第一浆料包括多个第一打磨微粒。旋转载体、研磨垫或其组合。暂停分配第一浆料。在暂停分配第一浆料之后,分配第二浆料至载体中,其中第二浆料包括小于第一打磨微粒的多个第二打磨微粒。
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公开(公告)号:CN110098135A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201810224649.X
申请日:2018-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 一种温度控制装置包括台板、流体源、冷却器、第一管道及第二管道。所述流体源供应流体。所述冷却器耦合到所述流体源,以将所述流体源中的所述流体冷却到冷却温度。所述第一管道包括与所述流体源流体连通的第一入口、第一出口及将所述流体从所述冷却温度加热到第一加热温度的第一加热器。经过所述第一加热器加热的所述流体通过所述第一出口分配到所述台板上。所述第二管道包括与所述流体源流体连通的第二入口、第二出口及将所述流体从所述冷却温度加热到第二加热温度的第二加热器,所述第二加热温度不同于所述第一加热温度。经过所述第二加热器加热的所述流体通过所述第二出口分配到所述台板上。
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公开(公告)号:CN108987251A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201710560976.8
申请日:2017-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露的实施例是有关半导体制程的方法,特别是关于用于清洗半导体制程工具的排气通道的设备及方法。本揭露实施例提供排气管截面及在半导体制程工具与工厂排气装置之间连接的管清洗组件。管清洗组件包括设置在排气管截面中的残留物去除器。可操作残留物去除器以在排气管截面中移动以将积聚材料自排气管截面的内表面去除。
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